[发明专利]一种可控硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911025815.4 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110828548A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赖首雄;张潘德;蓝浩涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市德芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/167;H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度情况下降低可控硅器件的关断时间，解决了现有的可控硅器件关断时间较长，应用在中高频的开关电路中时存在的关断异常的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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