[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911020268.0 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN111354698A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 施信益 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开提供一种半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构包括一第一晶粒、至少一第二晶粒、位在该第二晶粒上的一重布线层(RDL)、将该第一晶粒与该第二晶粒封入的一封模、位在该封模中的多个第一导体,以及位在该第二晶粒中的多个第二导体。该第一晶粒具有相对设置的一第一侧与一第二侧。该第二晶粒具有相对设置的一第三侧及一第四侧,该第三侧是面对该第一晶粒的该第一侧。该重布线层位在该第二晶粒的该第四侧上。该第一晶粒经由所述第一导体电性连接该重布线层,且该第二晶粒经由所述第二导体电性连接该重布线层。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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