[发明专利]闪存器件及其制造方法在审
申请号: | 201910969623.2 | 申请日: | 2019-10-12 |
公开(公告)号: | CN110690293A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 邵永军 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/788 | 分类号: | H01L29/788;H01L21/336 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种闪存器件及其制造方法,所述闪存器件包括:一衬底,所述衬底中形成有至少一个有源区,每个所述有源区中形成有至少一个凹槽,每个所述凹槽的两侧分别形成有源区和漏区;以及,栅极堆叠结构,至少部分形成于所述凹槽中。本发明的技术方案使得在闪存器件的尺寸减小的同时,还能改善甚至避免闪存器件的电性问题。 | ||
搜索关键词: | 闪存器件 源区 衬底 栅极堆叠结构 尺寸减小 电性问题 漏区 制造 | ||
【主权项】:
1.一种闪存器件,其特征在于,包括:/n一衬底,所述衬底中形成有至少一个有源区,每个所述有源区中形成有至少一个凹槽,每个所述凹槽的两侧分别形成有源区和漏区;以及,/n栅极堆叠结构,至少部分形成于所述凹槽中。/n
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