[发明专利]一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910939322.5 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110527955A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 兰云萍;邹永刚;马晓辉;范杰;赵鑫;王小龙 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 11430 北京市诚辉律师事务所 | 代理人： | 范盈<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光学薄膜技术领域，具体涉及一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法。主要包括以下步骤：1)取一硅片，清洁后放入氮气柜中待用；2)使用电子束蒸发镀膜机，在坩埚中添加Al2O3颗粒，并将硅片放入腔室中；3)设定Al2O3薄膜生长的初始真空度；4)在薄膜沉积之前，去除硅片表面的杂质；5)采用晶振测量控制系统，Al2O3薄膜的沉积厚度为300nm；6)设定Al2O3薄膜的沉积速率，进行Al2O3薄膜的生长沉积。本发明Al2O3薄膜的制备方法和后处理方法都比较简单，采用电子束蒸发工艺，有利于降低成本，实现薄膜的大规模生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 硅片 放入 制备 电子束蒸发镀膜机 光学薄膜技术领域 电子束蒸发工艺 测量控制系统 初始真空度 后处理 薄膜沉积 薄膜生长 低折射率 硅片表面 氮气柜 阶跃 晶振 腔室 坩埚 去除 清洁 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：/n1)取一硅片，清洁后放入氮气柜中待用；/n2)使用电子束蒸发镀膜机，在坩埚中添加纯度为99.9％的Al2O3颗粒，并将硅片放入腔室中；/n3)设定Al2O3薄膜生长的初始真空度为4.0×10-4Pa；/n4)在薄膜沉积之前，先采用等离字体对硅片进行120s的轰击，以去除硅片表面的杂质；/n5)采用晶振测量控制系统，Al2O3薄膜的沉积厚度为300nm；/n6)设定Al2O3薄膜的沉积速率分别为0.2nm/s～0.5nm/s，进行Al2O3薄膜的生长沉积。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910939322.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LaMnO
- 下一篇：一种铝钪合金溅射靶材及其制备方法
- 同类专利
- 一种铟铝共掺硫化锌薄膜及其制备方法-201911214221.8
- 李文剑;陈伟新;赖文彬 - 福建省电子信息应用技术研究院有限公司
- 2019-12-02 - 2020-02-04 - C23C14/30
- 本发明涉及一种铟铝共掺硫化锌薄膜的及其制备方法，所述制备方法以下步骤：基片清洗：通过超声波反复震荡清洗玻璃基片，然后烘干玻璃基片；本征ZnS材料第一次蒸镀：在真空环境中，通过电子束在玻璃基片上蒸镀ZnS材料，形成第一层薄膜；铟铝掺杂：当形成第一层薄膜后，首先在第一层薄膜上真空蒸镀单质In，蒸镀单质In后，再次通过电子束蒸镀ZnS材料，形成第二层薄膜；在第二层薄膜上真空蒸镀Al单质；本征ZnS材料第三次蒸镀：蒸镀Al单质后，再次通过电子束蒸镀ZnS材料，形成第三层薄膜，得到掺杂硫化锌薄膜；快速退火：通过在氩气对得到的掺杂硫化锌薄膜进行退火。通过真空电子束蒸发制备的铟铝掺杂硫化锌薄膜，成份易控制，成本低，产品性能优良。
- 一种高精度直写式真空镀膜设备及方法-201811172883.9
- 闫鹏;岳宗仰 - 山东大学
- 2018-10-09 - 2020-01-24 - C23C14/30
- 本发明公开了一种高精度直写式真空镀膜设备及方法，它解决了现有技术中存在的镀膜精度无法保证，镀膜特性较为单一的问题，具有满足镀膜过程中高精度，微尺度等特性的有益效果，其方案如下：一种高精度直写式真空镀膜设备，包括掩膜基座，掩膜基座设置通孔；微动平台，微动平台设置通槽，且微动平台支撑于掩膜基座端面；基片架，基片架端部设置基片，且基片架部分卡设于通槽内，基片朝向通孔设置，在微动平台的带动下，基片架及基片在设定平面内微动运动，靶材通过掩膜孔进入从而将靶材沉积于基片表面。
- 一种在盾构刀具上生成碳氮化钛薄膜的装置-201810525935.X
- 夏开民;祝勇;马玉忠;倪凯;欧长顺;刘小福 - 马鞍山灵山机械设备科技有限公司
- 2018-05-29 - 2020-01-14 - C23C14/30
- 本发明公开了一种在盾构刀具上生成碳氮化钛薄膜的装置，包括外壳组件、镀膜组件，所述外壳组件包括真空镀膜机外壳、仪表箱、监控箱和支撑台，所述真空镀膜机外壳内侧壁左侧设有所述仪表箱，所述仪表箱与所述真空镀膜机外壳固定连接；镀膜箱的内侧壁设有滑轨和夹具箱，活动夹的右端设有转轮，使活动夹可上下转动，活动夹位于夹具箱内，夹具箱可在滑轨上滑动，使活动夹可将物品进行不同角度的翻转，活动夹与第三电动推杆连接，使活动夹可在不使用时缩回夹具箱内，你不会影响镀膜材料的镀膜操作，是镀膜材料在物品上覆盖的面积更加广泛，第二电动推杆的底端设有杯状保护罩，使蒸发箱排出的气态镀膜材料不会扩散的太远。
- 磁性材料表面蒸发镝的设备-201911100414.0
- 谢曲坚 - 谢曲坚
- 2019-11-12 - 2020-01-10 - C23C14/30
- 本发明公开了磁性材料表面蒸发镝的设备，其结构包括机架、蒸发镀膜设备、门盖、电控器，蒸发镀膜设备由机体、真空系统、S极电磁铁、防溅射装置、电子束蒸发源、工件固定架、N极电磁铁组成，蒸发镀膜设备通过S极电磁铁与N极电磁铁让磁性工件可以漂浮在空中并且旋转工作，提高了蒸发镀膜效率，使得磁性工件是因为在旋转工作下镀膜均匀，通过刮除机构可以将镝金属蒸发形成镝液体推入到罩体底端，进行二次利用，节约成本，第一磁铁环通过回卷机构可以将其送回原位置，利用工件固定架可以让磁性工件在放置位置上不会影响电子束蒸发源工作。
- 一种表面增强拉曼散射基片及其制备方法-201810379352.0
- 张政军;刘跃华 - 广西三环高科拉曼芯片技术有限公司
- 2018-04-25 - 2020-01-10 - C23C14/30
- 本发明公开了一种稳定的表面增强拉曼基片及其简便制备方法，属于痕量有机物检测技术领域。本发明采用双电子束共沉积的方法制备银铝固溶纳米棒阵列，在沉积腔室内原位退火，在银铝固溶纳米棒表面上自发形成一层均匀的非晶态氧化铝薄膜。超薄的氧化铝层不会大幅度衰减表面增强拉曼效应，基片具有良好的表面增强拉曼效应；同时自发形成的氧化铝薄膜使得银铝纳米棒同外界环境隔离，提高了银铝固溶纳米棒基片的抗硫化/抗氧化/抗腐蚀能力，从而大幅度提升了银铝固溶纳米棒基片的表面增强拉曼效应的稳定性。该基片在工业化批量生产和快速检测痕量有机物等方面具有广泛的应用前景。
- 一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置-201911050071.1
- 范希营 - 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司
- 2019-10-31 - 2020-01-03 - C23C14/30
- 本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置，包括坩埚、火山口、多个衬锅、多个升降装置和驱动装置，所述坩埚内设有多个坩埚容器，所述衬锅内盛放蒸镀源且放置在所述坩埚容器内，坩埚上方置有所述火山口，坩埚底端开设有多个孔口，所述升降装置穿过孔口与坩埚连接，并所述驱动装置电性连接，驱动装置控制并调节衬锅的运作状态，本发明调节衬锅的高度，缩小衬锅与火山口之间的间隙，改善了在蒸镀过程中相邻蒸镀源间的交叉污染现象，减少因镀源污染造成的片源异常，降低异常率，减少镀源交叉污染导致镀源无法继续使用，造成镀源的浪费，有效地降低成本；在蒸镀过程中，由于衬锅底部远离坩埚容器底部。
- 一种公转式半导体蒸发台-201911038291.2
- 景苏鹏;黄鹏飞;刘卫平 - 苏州华楷微电子有限公司
- 2019-10-29 - 2019-12-31 - C23C14/30
- 本发明公开了一种公转式半导体蒸发台，包括下壳体和上盖，下壳体的内壁上旋转安装有旋转环，该旋转环由旋转动力装置驱动，旋转环上圆周均布若干个载片盖，载片盖的工作面上固定有若干个圆片，载片盖通过自转轴转动安装于固定座上，该固定座通过自锁结构安装于旋转环上，下壳体的内腔上转动安装有取料臂，取料端和固定座之间设置有自锁切换结构，下壳体上设置有偏摆驱动装置，蒸发腔的底部设置有防护罩，载片盖处于蒸发工位时位于防护罩的上端且位于坩埚的正上方，所述上盖上设置有自转动力装置，该自转动力装置驱动蒸发工位的载片盖自转。该蒸发台不但能够保证蒸发图案的精度，而且蒸发效率更高，减少抽真空的时间。
- 用于金属材料加工的镀膜机-201920457103.9
- 姚佳杰;赵柯;曲林峰 - 烟台市福康金属科技有限公司
- 2019-04-04 - 2019-12-31 - C23C14/30
- 本实用新型公开了用于金属材料加工的镀膜机，包括底座、底架、控制器、电机，所述底架焊接在所述底座下方，所述底座内部安装有所述控制器，所述控制器上方设置有电机，所述底座前部安装有控制面板，所述控制面板上设置有显示屏，所述显示屏下方设置有按键，所述按键下方设置有开关按钮，所述底座上方设置有工作箱，所述工作箱上方安装有压力表，所述工作箱上设置有观察窗，所述工作箱前部设置有防护门，所述工作箱侧面安装有氩气罐，所述氩气罐上安装有电磁阀门，所述工作箱后部安装有抽气泵，所述工作箱内部设置有转柱。本实用新型结构简单，操作方便，体积小，生产成本低，通过不断旋转工件，使工件表面镀膜更加均匀。
- 一种手机后盖颜色渐变色镀膜方法-201911056862.5
- 任红艳 - 苏州市三同真空镀膜有限公司
- 2019-10-31 - 2019-12-24 - C23C14/30
- 本发明公开了一种手机后盖颜色渐变色镀膜方法，包括：S1、选择镀膜材料：根据不同材料所呈现的光学颜色，选择所需镀膜靶材；S2、设计调色的挡板：根据预定渐变效果，设计调色挡板形状、尺寸；通过电子束提供蒸发能量，使蒸发材料以分子态溢出由蒸发点向玻璃表面进行沉积，在镀膜过程中，由于遮挡区域沉积蒸发态的量少于未遮挡区域，两者对应的产品区域就会形成不同的膜层厚度，从而使镀膜颜色从一个颜色缓慢过渡到另一个颜色，同时，调色挡板距离电子枪蒸发源越远，即调色挡板与玻璃基基底越近，屏蔽效果越明显，渐变色差也越强烈，因此，也可通过整调色挡板形状和位置形成多种渐变效果。
- 一种三维锥形纳米层膜结构-201920284088.2
- 蔡博渊;孔阿茹;石鹏;刘民航;褚宪薇;袁小聪 - 深圳大学
- 2019-03-06 - 2019-12-24 - C23C14/30
- 本实用新型属于新能源技术开发领域，尤其涉及一种三维锥形纳米层膜结构。本实用新型提供一种三维锥形纳米层膜结构，为：二氧化硅‑二氧化铪复合层以及银层，二氧化硅层设置于二氧化铪层的上方；二氧化硅‑二氧化铪复合层的数量大于10层，银层的上方设置有二氧化硅‑二氧化铪复合层。本实用新型中，引入三维锥形纳米层膜结构，可实现高性能的双窗口大气辐射，并最终可以实现高效率的被动辐射冷却降温的能力；解决了现有技术中，日间冷却的方法存在着净辐射冷却功率较低的技术缺陷。
- 一种镀铝机卷绕定位装置-201821203278.9
- 陈珍富 - 无锡光群雷射科技有限公司
- 2018-07-27 - 2019-12-17 - C23C14/30
- 本实用新型提供一种镀铝机卷绕定位装置，涉及工业设备领域。该镀铝机卷绕定位装置，包括承载杆，所述承载杆的两侧分别焊接有连接块，所述连接块远离承载杆的一侧焊接有固定座，两个固定座的顶部和底部均焊接有卡接块，所述卡接块的表面活动套接有卡接罩，所述承载杆的两侧分别设置有左侧移动箱和右侧移动箱。该镀铝机卷绕定位装置，通过卡接罩的设置能够对承载杆进行固定，防止其在旋转时导致装置出现轻微的抖动，通过把连接箱通过插接座插接进卡接箱中之后，能够对装置进行固定，同时卡接箱固定在转盘上之后，能够通过滚珠的设置，能够在装置旋转时，具有很好的转动效果，同时能够使装置具有稳固的效果。
- 一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法-201710378910.7
- 贺振卿;银登杰;焦莎莎;张谦;李勇;刘军;王明;李军;窦金龙 - 株洲中车时代电气股份有限公司
- 2017-05-25 - 2019-12-13 - C23C14/30
- 本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法，用于将芯片安装至行星盘上，装置包括：用于安装芯片的盖板和挡环，挡环中部设置有挡环通孔，并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中，盖板设置于内卡环的上方，芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内，芯片设置有硅片的一面朝下，然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺，以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
- 固体颗粒源、处理系统和方法-201880027111.8
- 迈克·菲卢夫 - 冯·阿登纳资产股份有限公司
- 2018-04-25 - 2019-12-13 - C23C14/30
- 本发明涉及固体颗粒源(100a，100b)的各种实施例，其可以包括：容器(104)，所述容器(104)包含用于接收固体颗粒的区域；至少一个电子源(106)，所述至少一个电子源(106)用于以这样的方式将电子引入到所述固体颗粒中，即，所述固体颗粒的通过所述电子引起的静电充电使所述固体颗粒彼此分离，并且使它们在离开所述容器(104)的方向上加速；振动源(110)，所述振动源(110)被构造为将振动耦合到所述区域中以便使所述固体颗粒松散；其中所述电子源包括用于将电子发射到真空发射区域中的发射表面。
- 一种手机摄像头中树脂镜片非有效径加黑的镀膜方法-201910687897.2
- 张雷 - 辽宁中蓝电子科技有限公司
- 2019-07-29 - 2019-12-06 - C23C14/30
- 本发明是一种手机摄像头中树脂镜片非有效径加黑的镀膜方法，使用电子束真空蒸发镀膜机进行以下操作：1)将目标镜片非有效径进行磨砂打毛处理；2)采用镀膜治具，将目标树脂镜片的有效径遮挡，非有效径裸露；3)选用高吸收的金属氧化物材料进行单种材料镀膜,膜层厚度应大于五个光学波长；4)不使用离子源辅助沉积或者使用离子源辅助沉积。改善由手机摄像头内树脂镜片非有效径区域透光跟反射光线形成的flare现象。提高手机摄像头的成像质量，提升镜头竞争力，适用于批量加工生产。
- 一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法-201910939322.5
- 兰云萍;邹永刚;马晓辉;范杰;赵鑫;王小龙 - 长春理工大学
- 2019-09-30 - 2019-12-03 - C23C14/30
- 本发明涉及光学薄膜技术领域，具体涉及一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法。主要包括以下步骤：1)取一硅片，清洁后放入氮气柜中待用；2)使用电子束蒸发镀膜机，在坩埚中添加Al2O3颗粒，并将硅片放入腔室中；3)设定Al2O3薄膜生长的初始真空度；4)在薄膜沉积之前，去除硅片表面的杂质；5)采用晶振测量控制系统，Al2O3薄膜的沉积厚度为300nm；6)设定Al2O3薄膜的沉积速率，进行Al2O3薄膜的生长沉积。本发明Al2O3薄膜的制备方法和后处理方法都比较简单，采用电子束蒸发工艺，有利于降低成本，实现薄膜的大规模生产应用。
- 一种自动换靶的反应电子束蒸发仪的应用方法-201710608524.2
- 张荣生 - 徐州长盛电力设备有限公司
- 2017-07-24 - 2019-12-03 - C23C14/30
- 本发明公开了一种自动换靶的反应电子束蒸发仪的应用方法，包括以下步骤：1)由控制单元控制控制第一机械泵、第二机械泵和第三机械泵启动，先由第一机械泵、第二机械泵和第三机械泵分别对真空镀膜腔、进入腔和出入腔以及备用靶材腔进行初抽真空；2)控制单元控制第一真空泵、第二真空泵和第三真空泵启动，分别继续对真空镀膜腔、进入腔和出入腔以及备用靶材腔进行抽真空，直到真空达到10‑5Pa，3)当需要镀膜时，由控制单元将模式切换为自动，然后启动电子枪，待电子枪稳定后，待用；4)设置蒸镀薄膜的参数，将基片放在基底架上，并将基底架放置在第一料架上；5)由控制单元控制完成一个镀膜周期；6)循环操作上述步骤。
- 一种镀膜补正装置和用于对曲面基板镀膜的镀膜机-201822032031.1
- 朱伟;张继凯;程晓龙;康帅;裴鑫 - 汉能移动能源控股集团有限公司
- 2018-12-05 - 2019-12-03 - C23C14/30
- 本实用新型提供一种镀膜补正装置和用于对曲面基板镀膜的镀膜机，镀膜补正装置包括由第一端到第二端的方向上依次排布设置的多个遮挡区，且相邻两个所述遮挡区具有不同的遮挡面积。这样，当该镀膜补正装置设置于镀膜机上时，由于各遮挡区的遮挡面积不同，对靶材气体的遮挡效果也不同，能够实现对与不同遮挡区相对应的区域的靶材气体的浓度的调节。通过控制不同遮挡区与待镀膜曲面基板的位置关系，能够实现通过该镀膜补正装置对待镀膜曲面基板上镀膜的厚度的调节，使镀膜厚度更加均匀，实现降低待镀膜曲面基板镀膜后的色差。
- 光学镀膜设备-201920490993.3
- 周少波 - 周少波
- 2019-04-12 - 2019-12-03 - C23C14/30
- 本实用新型提供一种光学镀膜设备，其包括：真空室、设置于所述真空室的电子束蒸发系统、适于靶材固定的镀膜夹具。所述镀膜夹具包括：基座、安装于所述基座上的固定夹持机构以及导向机构，所述固定夹持机构包括：固定座、贯穿所述固定座的传动丝杆、螺接于所述传动丝杆上的夹持滑块、位于所述夹持滑块的滑动行程上的夹持固定块以及位于所述夹持滑块和夹持固定块之间的载台。本实用新型通过镀膜夹具实现了不同尺寸靶材的有效固定，进而保证了镀膜的顺利进行，提高了产品的良率。
- 电子束蒸发镀膜机镀膜修正装置-201920110784.1
- 杨佳葳;龚涛;蔡国;龚平;谢俊 - 湖南宇诚精密科技有限公司
- 2019-01-23 - 2019-11-29 - C23C14/30
- 电子束蒸发镀膜机镀膜修正装置，包括固定修正装置Ⅰ、固定修正装置Ⅱ、活动修正装置、1个蒸发源、4个卤素灯、1个离子源和1个电子枪；所述1个蒸发源、4个卤素灯、1个离子源在同一个分度圆上，所述4个卤素灯分为两组，沿中心位置两侧对称；蒸发源位于炉体中心对称位置；离子源位于炉体左侧；电子枪位于炉体右侧；固定修正装置Ⅰ位于左侧两个卤素灯中间位置，安装在炉体内壁上；固定修正装置Ⅱ位于右侧卤素灯与电子枪中间位置，并安装在炉体内壁上；固定修正装置Ⅰ与固定修正装置Ⅱ安装高度一致；活动修正装置位于炉体右侧，位于电子枪上方。本实用新型具有结构简单，修正装置数量少、效果好等优点。
- 电子束蒸发式真空镀膜机-201920110787.5
- 杨佳葳;龚涛;蔡国;龚平;谢俊 - 湖南宇诚精密科技有限公司
- 2019-01-23 - 2019-11-29 - C23C14/30
- 电子束蒸发式真空镀膜机，包括腔体组件、伞架组件、高阀组件、深冷系统、管道系统、扩散泵、罗茨泵、机械泵、离子源组件、电子枪组件、电控柜组件、线槽组件和门夹紧组件；所述伞架组件固定在腔体组件上，所述高阀组件与腔体组件相连，所述高阀组件、扩散泵、罗茨泵以及机械泵通过管道系统连接在一起，所述门夹紧组件安装于腔体组件上；所述电子枪组件的电子枪部分、离子源组件的离子源部分均安装在腔体组件内；所述深冷系统包括2根深冷盘管，1根安装在腔体组件内，1根安装在高阀组件内。本实用新型具有机构简单，镀膜结构均匀重复性高，腔体尺寸可达2700mm，镀膜效率高等特点。
- 自动换靶装置的使用方法-201710607841.2
- 张荣生 - 利辛县诚创科技中介服务有限公司
- 2017-07-24 - 2019-11-22 - C23C14/30
- 本发明公开了一种自动换靶装置，应用于电子束蒸发镀膜设备，包括以下步骤：(1)实时推进靶材：当蒸镀工艺在进行时，推进机构根据第二感应器的数据由控制单元控制实时自动的通过第二伺服电机带动推进平台将靶容器内的靶材根据蒸镀工艺的消耗量实时向上推进；(2)自动换靶材：由第三伺服电机带动靶材盘旋转，将靶材盘上另一个有靶材的第二靶材腔转动到靶容器的正下方与靶容器的圆柱形空腔精确地相重合，推进平台则上移至第二靶材腔的靶材的正下方托住靶材，然后卡门打开，推进平台则继续上移将靶材推进至靶容器内且与靶容器内的靶材紧密结合，推进机构则停止；(3)向靶材盘内推入替换靶材。
- 一种具有分体式火山口的坩埚结构-201920220393.5
- 刘小军;王福平 - 爱发科真空技术(苏州)有限公司
- 2019-02-21 - 2019-11-22 - C23C14/30
- 本实用新型提供了一种具有分体式火山口的坩埚结构，它包括坩埚本体、甲板、分体式火山口以及支撑架，所述甲板固定在支撑架上，坩埚本体设在甲板下方，坩埚本体上端面具有坩埚口，所述甲板上对应于坩埚口处设有U型缺口，所述分体式火山口的形状与所述U型缺口的形状相配合，并可拆卸的连接到U型缺口，分体式火山口上设有圆形开口，该圆形开口的大小和位置均对应于坩埚口设置并与其连通。本实用新型其至少具有维护时间短、避免坩埚震动引起定位的偏移或故障、火山口单独维护时间灵活、提升作业效率、降低安全风险等优点。
- 一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法-201910864226.9
- 任卫;杨光道;张永超;朱楠楠;杜淑菊;杨朝宁;杨炎翰;李璐;王勇刚;姚国光;商世广 - 西安邮电大学;陕西师范大学
- 2019-09-12 - 2019-11-19 - C23C14/30
- 本发明公开了一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法，在高真空下，通过e型电子枪加速从钨丝发射的电子聚焦到铜坩埚中的五氧化二钽颗粒上，将其气化，在硅基片上沉积生长出五氧化二钽薄膜，最后对其进行不同温度的退火处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相比于磁控溅射法，所得薄膜结晶度高、空隙率和孔洞少、稳定性好，相对于阳极氧化法成膜速率快、效率高，具备商业量产的能力，为以后制备出致密五氧化二钽薄膜提供了支持。
- 一种真空镀膜设备电子枪内部冷却结构-201822233971.7
- 张胜利 - 镇江超威纳米科技有限公司
- 2018-12-28 - 2019-11-19 - C23C14/30
- 本实用新型涉及真空镀膜技术领域，且公开了一种真空镀膜设备电子枪内部冷却结构，包括枪体，所述枪体的顶部焊接有输入头，所述枪体的右侧焊接有进水管，所述枪体的左侧焊接有出水管，所述枪体的外侧固定套装有定位套板，所述定位套板的内壁与枪体的外壁固定连接，所述枪体的底部固定安装有输出头，所述枪体的内部固定安装有连接杆，所述连接杆的底端贯穿枪体并延伸至输出头的下方。该真空镀膜设备电子枪内部冷却结构，当电子枪工作时，通过进水管进行进水，随后通过出水腔和入水腔进行水流物理吸热降温，继而水流通过出水管进行排出，从而解决了电子枪冷却较差问题，从而达到这个机构均匀冷却的效果。
- 一种近零介电常数可控基底及其制备方法-201910705905.1
- 洪瑞金;颜廷贞;张大伟;师境奇;李正旺;陶春先 - 上海理工大学
- 2019-08-01 - 2019-11-15 - C23C14/30
- 本发明提供了一种近零介电常数可控基底及其制备方法，包括：将洁净的基片放置于电子束真空蒸发设备中，采用电子束蒸发法在基片上沉积具有近零介电常数特性的膜料，得到透明导电的薄膜；在大气环境中，采用脉冲激光器以一定激光参数辐照薄膜的表面，使薄膜改性得到近零介电常数可控基底。本发明所提供的近零介电常数可控基底的制备方法制备成本低、工艺周期短，通过调节激光参数的方法能够方便地得到介电常数实部近零点的大波段范围的调控；制备得到的近零介电常数可控基底具有良好的灵敏度，在光子器件和光互连领域具以及光子信号处理与CMOS兼容非线性光学等领域有广阔的应用前景。
- 专利分类
