[发明专利]半导体装置制造方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201910921660.6 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957356B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 徐永昌;潘昇良;林焕哲;郭国凭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置制造方法，包括蚀刻通孔通过介电层和蚀刻停止层(ESL)到源极/漏极接点、在源极/漏极接点的顶表面中形成凹陷，使得源极/漏极接点的顶表面是凹的、以及在通孔的侧壁上形成氧化物衬垫。氧化物衬垫捕捉藉由蚀刻通过介电层和蚀刻停止层的通孔所留下的杂质，其中蚀刻步骤、形成凹陷的步骤以及形成氧化物衬垫的步骤在第一腔室中执行。半导体装置制造方法更包括执行移除氧化物衬垫的预清洗和在通孔中沉积金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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