[发明专利]一种提高大规模芯片组定位精度的即时自补偿方法在审

申请号：	201910708165.7	申请日：	2019-08-01
公开（公告）号：	CN110571159A	公开（公告）日：	2019-12-13
发明（设计）人：	蔡琨辰;杨斌;崔成强;林挺宇	申请（专利权）人：	广东芯华微电子技术有限公司
主分类号：	H01L21/50	分类号：	H01L21/50;H01L21/60
代理公司：	44401 广州知顺知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	彭志坚
地址：	528225 广东省佛山市狮山镇南海***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明提供一种提高大规模芯片组定位精度的即时自补偿方法，包括以下步骤：提供一承载板，在承载板的表面贴上临时键合胶；在贴有临时键合胶的承载板表面覆铜，通过高精度曝光显影设备制作出定位平台；在定位平台上涂覆一层浆料；通过贴片设备将芯片贴装在浆料的表面；将上述贴有芯片的承载板经过回流焊工序。本发明的提高大规模芯片组定位精度的即时自补偿方法能够在较低设备的成本下有效提高大规模芯片的定位精度，提高产品良率，降低生产成本。
搜索关键词：	大规模芯片承载板定位平台临时键合自补偿浆料承载板表面产品良率曝光显影贴片设备芯片贴装表面贴回流焊覆铜涂覆芯片
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【主权项】：

1.一种提高大规模芯片组定位精度的即时自补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一承载板，在承载板的表面贴上临时键合胶；/n在贴有临时键合胶的承载板表面覆铜，通过高精度曝光显影设备制作出定位平台；/n在定位平台上涂覆一层浆料；/n通过贴片设备将芯片贴装在浆料的表面；/n将上述贴有芯片的承载板经过回流焊工序，使浆料受热熔化，使之具有表面张力和液体浸润性，熔化的浆料开始流动浸润芯片并吸附侧移或偏转的芯片进行自对位，使得芯片精准地归位到定位平台上。/n

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摘要：本申请公开了半导体锯切方法和系统。在一个实例中，一种制造集成电路的方法包括用于将半导体晶圆(302)切块的方法，该方法包括将半导体晶圆(302)设置在可移动切割台(312)上，切割半导体晶圆(302)，以及至少在切割半导体晶圆(302)期间，喷射清洁流体(320)通过半导体晶圆(302)的暴露侧(318)，其中清洁流体(320)完全覆盖半导体晶圆(302)。喷射清洁流体(302)被喷射以形成流体层或膜，其从半导体晶圆(302)的暴露侧(318)清除或减少其他流体。还呈现了其他方面。

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摘要：本发明提供了一种芯片的键合方法及系统，首先获取若干晶圆的良率，然后将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合，或者将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，挑出良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合，而在剩余的所述晶圆中，将良率较大的作为衬底晶圆，良率较小的作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，本发明将良率较高的晶圆进行晶圆级键合从而提高了键合的产率，将良率较低的晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，可以剔除部分不良芯片，从而提高了最终键合芯片的良率，从而降低了产品的制造成本。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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