[发明专利]一种硅基扇出型封装方法及结构在审
| 申请号： | 201910701985.3 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110416091A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王成迁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/52;H01L21/54;H01L23/485 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基扇出型封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基，在所述硅基正面沉积截止层；提供玻璃载板，与所述截止层键合在一起；在所述硅基背面刻蚀出用于埋入芯片凹槽，并用干膜材料填满；通过再布线技术实现所述埋入芯片与外部互连，再制作阻焊层；在阻焊层开口处制作凸点，切割成单颗封装芯片。本发明通过在硅基表面沉积截止层和引入临时键合技术，解决了硅基扇出型封装刚性翘曲、凹槽刻蚀均一性、凹槽凸点和底部圆角等问题；同时，得益于临时键合技术的引入，埋入芯片厚度与封装厚度几乎一致，使得封装体厚度大大减小，散热性能大大提高。本发明的封装工艺简单，成本低，封装效率和良率高，适合大规模量产使用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 扇出型封装 截止层 埋入 临时键合 阻焊层 凸点 芯片 集成电路封装 背面刻蚀 玻璃载板 材料填满 底部圆角 封装工艺 封装效率 封装芯片 硅基表面 技术实现 散热性能 芯片凹槽 正面沉积 封装体 均一性 开口处 再布线 引入 干膜 互连 减小 键合 刻蚀 良率 量产 翘曲 沉积 制作 封装 切割 并用 外部 | ||
【主权项】：
1.一种硅基扇出型封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅基，在所述硅基正面沉积截止层；提供玻璃载板，与所述截止层键合在一起；在所述硅基背面刻蚀出用于埋入芯片凹槽，并用干膜材料填满；通过再布线技术实现所述埋入芯片与外部互连，再制作阻焊层；在阻焊层开口处制作凸点，切割成单颗封装芯片。
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- 本发明公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基，在其正面沉积截止层；在所述截止层上键合玻璃载板；在所述硅基背面刻蚀出凹槽，在凹槽中埋入芯片并用干膜材料填满；接着在芯片的焊盘处开口并完成第一表面重布线，并通过微凸点与异质芯片倒装焊接；塑封所述硅基的背面使芯片的侧面完全被包裹，拆解所述玻璃载板露出所述截止层；然后去掉所述截止层，用真空压干膜填充表面，在焊盘处开口；最后依次制作第二表面重布线、阻焊层和凸点，最后切成单颗封装芯片，完成最终封装。
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- 李翔 - 佛山市南海益晶科技有限公司
- 2019-01-23 - 2019-10-01 - H01L21/48
- 本实用新型公开了一种矽晶片的封装装置，包括工作台，所述工作台的上端固定有垫板，所述工作台的上端设有传送带，且传送带的下端抵触在垫板的上端，所述传送带上等间距安装有多个固定块，所述固定块的两端侧壁上均固定有连接块，所述固定块的两端均设有伸缩装置，所述固定块的上端设有V型槽，所述V型槽内设有壳体，所述壳体两端均贯穿设有多个连接片。本实用新型通过对封装装置的改进，解决了在现有封装过程中，需要不断的更换冲压模具，才能实现连接片不同弯曲状态的问题，实现了不需要更换模具即可满足封装需求的目的，简化了工序，降低了工作强度，提高了封装效率，降低了成本，方便使用。
- 芯片级集成微流体散热模块及制备方法-201710321415.2
- 黄旼;贾世星;朱健 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2017-05-09 - 2019-09-27 - H01L21/48
- 本发明涉及一种芯片级集成微流体散热模块及制备方法，散热模块包括下层硅基微流体拓扑结构、上层硅基微流体拓扑结构以及功率芯片接口；下层微流体拓扑结构将冷却液在水平方向上引导分配至微喷孔阵列的下方，并将与功率芯片发生完热交换的废液收集引导。上层微流体拓扑结构提供冷却液流入流出的接口，将下层微流体拓扑中的冷却液在垂直方向上引导分配至发热功率芯片底部，热交换完成后的废液通过四周的微槽道流往底层微流体拓扑。本发明中冷却液可以通过微喷孔阵列直达芯片底部，其间没有任何中间层增加额外的热阻，不仅能够有效提高散热效率，还能够针对系统局部热点散热，降低散热系统的复杂程度和成本。
- 一种铝碳化硅封装基板及其制备方法-201910117332.0
- 刘昌涛;陈燕 - 西安明科微电子材料有限公司
- 2019-02-15 - 2019-09-24 - H01L21/48
- 本发明涉及封装基板技术领域，具体为一种铝碳化硅封装基板及其制备方法。本发明先通过制备形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板以及与孔位匹配的硅片，然后将硅片镶嵌于孔位中形成整体陶瓷基板并向整体陶瓷基板中渗铝形成具有铝碳化硅和铝硅两相材料的铝碳化硅基板，在孔位处的铝硅材料上可轻松实现机加工制作各种形状和尺寸的安装孔，不仅可制作丝孔，且丝孔不易滑牙，解决了铝碳化硅封装基板的安装孔难加工制作的问题，且通过该制作方法，孔位处的铝硅材料与铝碳化硅材料结合稳固，不易开裂和脱落，从而使在铝硅材料上制作的安装孔可靠性高。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
