[发明专利]形成氧化镓器件隔离的方法以及氧化镓隔离器件在审

申请号：	201910767741.5	申请日：	2019-08-19
公开（公告）号：	CN110416090A	公开（公告）日：	2019-11-05
发明（设计）人：	龙世兵;熊文豪;吴枫	申请（专利权）人：	中国科学技术大学
主分类号：	H01L21/426	分类号：	H01L21/426;H01L21/76;H01L29/24
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	张宇园
地址：	230026 安***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	一种形成氧化镓器件隔离的方法，其中包括：在氧化镓材料涂覆光刻胶，所述氧化镓材料包括氧化镓衬底和其上的N型掺杂氧化镓；进行光刻显影工艺，部分区域暴露出氧化镓材料；实施氮离子注入工艺，注入深度为氧化镓衬底至N型掺杂氧化镓的界面处，以形成器件隔离。相比于以往器件隔离常用的刻蚀手段，本发明采用离子注入的手段来进行器件隔离，避免刻蚀时遇到的无法有效隔离以及光刻胶变性等问题。
搜索关键词：	氧化镓器件隔离光刻胶衬底刻蚀隔离器件光刻显影区域暴露有效隔离氮离子界面处变性涂覆离子
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【主权项】：

1.一种形成氧化镓器件隔离的方法，其中包括：在氧化镓材料涂覆光刻胶，所述氧化镓材料包括氧化镓衬底和其上的N型掺杂氧化镓；进行光刻显影工艺，部分区域暴露出氧化镓材料；实施氮离子注入工艺，注入深度为氧化镓衬底至N型掺杂氧化镓的界面处，以形成器件隔离。

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形成氧化镓器件隔离的方法以及氧化镓隔离器件-201910767741.5
发明人：龙世兵;熊文豪;吴枫 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/426
摘要：一种形成氧化镓器件隔离的方法，其中包括：在氧化镓材料涂覆光刻胶，所述氧化镓材料包括氧化镓衬底和其上的N型掺杂氧化镓；进行光刻显影工艺，部分区域暴露出氧化镓材料；实施氮离子注入工艺，注入深度为氧化镓衬底至N型掺杂氧化镓的界面处，以形成器件隔离。相比于以往器件隔离常用的刻蚀手段，本发明采用离子注入的手段来进行器件隔离，避免刻蚀时遇到的无法有效隔离以及光刻胶变性等问题。

一种SiC器件的横向变掺杂结终端结构制作方法-201810618045.3
发明人：蔺增金;孙茂友;周丽哲;朱继红 -专利权人：江苏矽导集成科技有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L21/426
摘要：本发明公开了半导体器件领域内的一种SiC器件的横向变掺杂结终端结构制作方法，包括如下步骤：1）清洗SiC半导体器件；2）在所述SiC器件表面淀积介质层SiO2；3）光刻定义介质层SiO2，光刻胶中间形成有开口，作为后续刻蚀介质层的掩膜；4）湿法刻蚀介质层SiO2，利用湿法刻蚀的各向同性刻蚀特性，形成自所述开口向两侧厚度逐渐增加的斜坡结构，作为后续离子注入的阻挡层；5）去掉光刻胶；6）通过掩蔽层高温Al离子注入形成P型掺杂，形成结深从器件内部向外逐渐降低的横向变掺杂的结终端扩展结构，本发明简化了器件制备工艺，在有效提高器件击穿电压的同时降低了工艺难度和工艺成本，可用于电力电子系统中。

用于高能离子注入的复合掩膜-201520371989.7
发明人：施长治;林春 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/426
摘要：本专利公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜。本专利中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。本专利的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。

一种用于高能离子注入的复合掩膜-201510295752.X
发明人：施长治;林春 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/426
摘要：本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。

太阳能电池制造中使用的可调阴影掩模组件-201180018217.X
发明人： M·春;B·阿迪博 -专利权人：因特瓦克公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/426
摘要：一种可调阴影掩模注入系统，包括：被配置为提供离子的离子源；以及被配置为选择性地允许来自该离子源的离子通过其中以到达离子所注入的衬底的阴影掩模组件，其中，该阴影掩模组件被配置为在第一位置和第二位置之间调整；其中，当被设置在该第一位置时，该阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入，而不使能相对于该多个基本平行的线具有相交取向的任何线的离子注入；以及其中，当被设置在该第二位置时，该阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入以及相对于该多个基本平行的线具有相交取向的线的离子注入。

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