[发明专利]晶片的加工方法和磨削装置在审
| 申请号： | 201910456667.5 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110571147A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杉谷哲一 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/66;B24B37/30;B28D5/02 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法和磨削装置，能够进行分割后的器件芯片的背面侧的检查。晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，利用切削刀具对晶片的正面进行切削，沿着分割预定线形成深度超过晶片的完工厚度的槽；第一检查步骤，从晶片的正面对通过切削步骤而形成的槽进行拍摄，对所拍摄的槽的缺损的状态进行检查；保护部件粘贴步骤，在实施了第一检查步骤之后，将保护部件粘贴在晶片的正面上；磨削步骤，利用卡盘工作台对晶片的保护部件侧进行保持，对晶片的背面进行磨削而薄化至完工厚度，将晶片分割成器件芯片；以及第二检查步骤，在实施了磨削步骤之后，从晶片的背面对露出在晶片的背面的槽进行拍摄，对所拍摄的槽中形成的缺损的状态进行检查。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 保护部件 切削 磨削 检查 拍摄 器件芯片 缺损 粘贴 背面 分割预定线 卡盘工作台 晶片分割 磨削装置 切削刀具 薄化 加工 分割 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，该晶片具有形成于正面的多条分割预定线以及在由该分割预定线划分的正面的区域内形成的器件，其中，/n该晶片的加工方法具有如下的步骤：/n切削步骤，利用切削刀具对晶片的正面进行切削，沿着该分割预定线形成深度超过晶片的完工厚度的槽；/n第一检查步骤，从该晶片的正面对通过该切削步骤而形成的该槽进行拍摄，对所拍摄的该槽的缺损的状态进行检查；/n保护部件粘贴步骤，在实施了该第一检查步骤之后，将保护部件粘贴在该晶片的正面上；/n磨削步骤，利用卡盘工作台对该晶片的该保护部件侧进行保持，对该晶片的背面进行磨削，将该晶片薄化至完工厚度而将该晶片分割成器件芯片；以及/n第二检查步骤，在实施了该磨削步骤之后，从该晶片的背面对露出在该晶片的背面的该槽进行拍摄，对所拍摄的该槽中形成的缺损的状态进行检查。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910456667.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：矩形被加工物的加工方法
- 下一篇：功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件
- 同类专利
- 基板处理装置以及基板处理方法-201880041589.6
- 岩尾通矩;安田周一;藤田和宏;菊本宪幸;山口贵大 - 株式会社斯库林集团
- 2018-06-28 - 2020-02-14 - H01L21/304
- 一种基板处理装置，包含：吸引单元，用以吸引存在于连通至喷出口的处理液配管的内部的处理液；以及控制装置。所述控制装置执行：吸引步骤，通过所述吸引单元吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液。此外，所述控制装置在所述吸引步骤中选择性地执行：第一吸引步骤，使处理液的前端面后退，并使吸引后的处理液的前端面配置于所述处理液配管的内部中的预先设定的待机位置；以及第二吸引步骤，使处理液的前端面后退至比所述待机位置还后方。此外，所述控制装置在所述第二吸引步骤后进一步执行：待机位置配置步骤，通过所述处理液供给单元对所述处理液配管供给处理液，将处理液的前端面配置于所述待机位置。
- 基板处理方法、基板处理液及基板处理装置-201880042458.X
- 佐佐木悠太 - 株式会社斯库林集团
- 2018-06-12 - 2020-02-14 - H01L21/304
- 本发明提供一种基板处理方法、基板处理液及基板处理装置，所述基板处理方法可抑制图案的倒塌并且削减用于基板干燥的升华性物质的使用量。本发明的基板处理方法包括以下步骤：基板处理液供给步骤S13，其对基板的图案形成面供给基板处理液；凝固步骤S14，其使基板处理液在图案形成面上凝固而形成凝固体；及升华步骤S15，其使凝固体升华而从图案形成面去除；且作为基板处理液，使用以下处理液：其包含熔解状态的升华性物质与溶剂，升华性物质的凝固点高于溶剂的凝固点，且在使升华性物质与溶剂分离的情况下，密度大于基板处理液的升华性物质沉淀；凝固步骤S14中，于在基板处理液供给步骤S13中供给到图案形成面的基板处理液中，使升华性物质分离并沉淀，并使沉淀的升华性物质以成为与图案同等以上的高度的方式凝固。
- 半导体装置的制造方法及晶片粘合结构体-201880040660.9
- 明田正俊;富士和则 - 罗姆股份有限公司
- 2018-06-19 - 2020-02-11 - H01L21/304
- 半导体装置的制造方法包括：准备半导体晶片源的工序，该半导体晶片源包括一方侧的第一主面、另一方侧的第二主面、以及连接上述第一主面及上述第二主面的侧壁；元件形成工序，在上述半导体晶片源的上述第一主面设定多个元件形成区域，并在上述多个元件形成区域分别制作半导体元件；以及晶片源分离工序，在上述元件形成工序之后，通过从上述半导体晶片源的厚度方向中途部起沿着与上述第一主面平行的水平方向切断上述半导体晶片源，从而将上述半导体晶片源分离为元件形成晶片及元件未形成晶片。
- 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质-201880041638.6
- 児玉宗久;坂本贵浩 - 东京毅力科创株式会社
- 2018-06-07 - 2020-02-11 - H01L21/304
- 使正面粘贴有保护带的基板薄化的基板处理方法具有测量所述保护带的厚度的带厚度测量工序和在带厚度测量工序之后使用磨削部对保持于基板保持部的基板的背面进行磨削的磨削工序。
- 具有集成传感器的化学机械抛光保持环-201580030103.5
- 西蒙·亚沃伯格 - 应用材料公司
- 2015-05-28 - 2020-02-11 - H01L21/304
- 本文中提供一种用于化学机械抛光承载头的保持环，具有用于基板的固定表面。在一些实施方式中，该保持环可以包括具有中央开口的环形主体、被形成在该主体中的通道，其中该通道的第一端邻近该中央开口；以及被设置在该通道内并邻近该第一端的传感器，其中该传感器配置为检测来自在该基板上进行的工艺的声波及/或振动发射。
- 一种硬脆材料的激光加工方法-201810162883.4
- 蒋仕彬 - 苏州图森激光有限公司
- 2018-02-27 - 2020-02-07 - H01L21/304
- 本发明公开了一种硬脆材料的激光加工方法，包括以下步骤：(1)提供一脉冲宽度可调谐的激光光源，调整激光焦点使之聚焦在待加工材料的第一表面；(2)调整激光脉冲宽度在0.02～2ns之间，获得短脉冲激光，采用短脉冲激光加工表层材料，在第一表面划开切割道，切割道的深度D1≤0.2mm；(3)调节脉冲宽度在4～10ns之间，获得长脉冲激光，采用长脉冲激光沿切割道继续加工，直至加工到距离第二表面的厚度D3≤0.2mm；(4)调节激光脉冲宽度，获得短脉冲激光，采用短脉冲激光加工剩余厚度D3，完成激光加工。本发明加工形成的崩边少，加工时间短，优化了整体加工效率。
- 研磨用组合物-201580030457.X
- 井出匠学;田畑诚;高见信一郎 - 福吉米株式会社
- 2015-06-02 - 2020-02-07 - H01L21/304
- 本发明提供消除硬激光标记周缘的隆起的性能优异的研磨用组合物。提供一种硅晶圆用的研磨用组合物。该研磨用组合物包含BET平均粒径为50nm以下的二氧化硅颗粒、弱酸盐和季铵化合物。上述季铵化合物的含量Y[mol/L]满足下述式(1)(此处，Y
- 芯片切割装置-201710851517.5
- 李孟全 - 万润科技股份有限公司
- 2017-09-19 - 2020-02-04 - H01L21/304
- 本发明提供一种芯片切割装置，包括：一本体，设有一第一枢接部与一安装面，该第一枢接部设于该本体的一端，该安装面设于该本体的一侧，该安装面上设有一定位件；该本体下方设有一第一压件；一固定座，设有一第二枢接部与该第一枢接部相枢接，该固定座可相对于该本体枢转；该固定座下方设有一第二压件，可随该固定座相对于该本体的枢转而靠近或远离该第一压件；一切刀，靠抵在该定位件下方并夹设在该本体与该固定座之间。
- 自由空间光隔离器芯片的切割方法及光隔离器微型芯片-201710779084.7
- 郁建科;练文东;陈永清 - 深圳市翔通光电技术有限公司
- 2017-09-01 - 2020-01-21 - H01L21/304
- 本发明公开了一种自由空间光隔离器芯片的切割方法及光隔离器微型芯片，方法包括：将硅片放置在一预先进行加热处理到预定温度的楔形黄铜垫块的倾斜面上；楔形黄铜垫块的倾斜面与水平方向成一预设的倾斜角度；将预先胶合完成的整块光隔离器芯片与硅片粘合并固化；启动切割机，并以一定的间距对整块光隔离器芯片进行竖直下刀切割，形成带有所述倾斜角度的光隔离器微型芯片。本发明的自由空间光隔离器芯片的切割方法操作简单，加工成本低，且能够缩小光隔离器微型芯片的角度误差，增加了产品稳定性和可靠性。
- 具有受控孔隙率的打印化学机械抛光垫-201480073643.7
- 拉克斯曼·穆鲁盖什;卡德萨拉·拉玛亚·纳伦德纳斯 - 应用材料公司
- 2014-11-24 - 2020-01-17 - H01L21/304
- 一种制造抛光垫的方法，包括确定待引入所述抛光垫的抛光层的聚合物基质内的期望空隙分布。生成电子控制信号，所述电子控制信号配置为由三维打印机所读取，且所述电子控制信号指定待沉积聚合物基质前驱物的位置，以及指定无材料待沉积的期望空隙分布的位置。使用所述三维打印机连续沉积与所述多个第一位置相对应的多层的所述聚合物基质。所述多层的所述聚合物基质的每一层是通过从喷嘴射出聚合物基质前驱物而沉积。所述聚合物基质前驱物经固化而形成具有期望空隙分布的固化聚合物基质。
- 半导体工艺部件及其形成方法、以及半导体工艺设备-201910973045.X
- 蒋维楠;余兴 - 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
- 2019-10-14 - 2020-01-10 - H01L21/304
- 一种半导体工艺部件及其形成方法、以及半导体工艺设备，其中形成方法包括：提供第一基板；在所述第一基板内形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第一导电层；在所述第一导电层上和第一基板上形成第一介质层；提供第二基板；将第一基板朝向第二基板进行第一键合处理，且所述第一介质层位于第一基板和第二基板之间。所述方法能够简化制备工艺步骤，节省制造成本。
- 用于修改基板表面的掠射角等离子体处理-201580010005.5
- L·戈黛;E·Y·叶;S·D·耐马尼;G·E·迪肯森;S·B·拉杜瓦诺维;A·布兰德 - 应用材料公司
- 2015-03-05 - 2020-01-10 - H01L21/304
- 本公开的实施例提供用于使用等离子体修改工艺来修改基板表面的装置和方法。在一个实施例中，工艺一般包括：当基板设置在粒子束修改装置内时，通过使用高能粒子束来去除和/或再分配基板的被暴露表面的部分。实施例也可提供等离子体修改工艺，所述等离子体修改工艺包含全都在一个处理系统内执行的一个或更多个前平坦化处理步骤和/或一个或更多个后平坦化处理步骤。一些实施例可提供用于通过以下方式来平坦化基板表面的装置和方法：在相同处理腔室内、在相同的处理系统内或在两个或更多个处理系统内发现的处理腔室内执行全部等离子体修改工艺。
- 使用初始层校正增材制造中制造的形状-201880034570.9
- 丹尼尔·雷德菲尔德;杰森·加香·冯;马尤·费利西亚·山村 - 应用材料公司
- 2018-05-25 - 2020-01-07 - H01L21/304
- 接收指示由增材制造系统通过液滴喷射而制造的抛光垫的期望形状的数据。数据包括限定期望轮廓的期望形状，期望轮廓包括具有由抛光垫上的一或多个凹槽而分开的一或多个分隔部的抛光表面。产生指示由增材制造系统通过液滴喷射而分配层所导致的期望轮廓的失真的数据。产生指示由液滴喷射分配的初始层的数据，以至少部分地补偿来自期望轮廓的失真。初始层通过液滴喷射而分配在支撑件上。由增材制造系统通过液滴喷射将覆盖层分配在初始层上，以形成抛光垫。
- 半导体晶圆表面保护用粘合带-201580027900.8
- 横井启时 - 古河电气工业株式会社
- 2015-09-15 - 2020-01-07 - H01L21/304
- 本发明课题为提供一种半导体晶圆表面保护用粘合带，即使贴合在尤其是具有金凸块的半导体晶圆并放置，也不会发生浮起的现象，在研磨半导体晶圆的背面时，尘埃或水不会浸入，可将半导体晶圆研磨成膜，半导体晶圆不会发生破裂或残胶而能够剥离。课题解决手段为一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其至少具有粘合剂层与基材膜，并且粘合剂层不会因为能量射线的照射而固化，在23℃时对于剥离速度50mm/min下的SUS280研磨面的粘合力A与对于剥离速度500mm/min下的SUS280研磨面的粘合力B的比值B/A低于4.0，对于剥离速度300mm/min下的SUS280研磨面的粘合力，在23℃时为1.2～4.5N/25mm，在50℃时的粘合力为在23℃时的粘合力的50％以下。
- 清洗装置-201580041138.9
- 高桥常二郎;山口英辉;久高将吾郎 - 株式会社资源开发研究所
- 2015-07-29 - 2020-01-07 - H01L21/304
- 本发明的课题在于提供一种能够获得具有较高洁净度的清洗液的清洗装置。清洗装置(10)具有用于使气体溶解于液体的溶解罐(20)、用于将液体连同气体一起送入溶解罐(20)的移送泵(30)、用于将储存于溶解罐(20)内的液体向对象物(W)供给的供给喷嘴(40)。移送泵(30)为容积式泵。溶解罐(20)、移送泵(30)以及供给喷嘴(40)的与液体接触的部分由氟树脂形成。
- 磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片-201910531140.4
- 广泽俊一郎 - 株式会社迪思科
- 2019-06-19 - 2019-12-31 - H01L21/304
- 提供磨削磨具的修锐方法和修锐用晶片，能够减少在修锐作业中使用的调试级晶片的使用张数，能够有效地实施磨削磨具的修锐作业。该磨削磨具的修锐方法使用了磨削装置，该磨削装置具有：卡盘工作台，其利用保持面对被加工物进行保持；磨削单元，其将呈环状配置有多个磨削磨具的磨削磨轮安装于具有与该保持面垂直的旋转轴的主轴上，对该卡盘工作台所保持的被加工物进行磨削；以及磨削进给单元，其将该磨削单元在该旋转轴方向上进行磨削进给，该该磨削磨具的修锐方法的特征在于，一边使该主轴旋转一边将该磨削单元进行磨削进给，在不使该卡盘工作台旋转的情况下对该卡盘工作台所保持的被加工物进行磨削，在该被加工物的正面形成圆弧状的磨削槽。
- 基板处理装置、排出方法以及程序-201780026476.4
- 丰村直树;今村听 - 株式会社荏原制作所
- 2017-10-23 - 2019-12-27 - H01L21/304
- 本发明提供一种基板处理装置，具备：第一阀，设置于气体供给源和气水分离槽之间并且开关从气体供给源供给的气体的流路；第二阀，开关从气水分离槽的排出口排出的液体的流路；以及控制部，控制第一阀和第二阀，气水分离槽的排出口与清洗基板的清洗室的排出口连通，控制部以从成为第一阀打开并且无法从气水分离槽排出气体的状态时起经过预先设定的气体供给时间之后，关闭第一阀，在关闭第一阀之后关闭第二阀的方式进行控制。
- 半导体晶片的研磨方法及研磨装置-201480047485.8
- 山下健儿 - 胜高科技股份有限公司
- 2014-05-29 - 2019-12-24 - H01L21/304
- 具备研磨工序、测量工序、研磨条件设定工序，在所述研磨工序中借助研磨机构（1）研磨半导体晶片（W），在所述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片（W）的研磨面变成亲水面之前，借助测量机构（3）测量前述半导体晶片（W）的形状，在所述研磨条件设定工序中，借助研磨条件设定机构（51），基于前述半导体晶片（W）的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。
- 加工装置-201920314622.X
- 冈本典彦 - 东京毅力科创株式会社
- 2018-07-27 - 2019-12-17 - H01L21/304
- 本实用新型提供一种能够提供一种防止液体流向加工台的内部或者是飞溅到加工装置外部、良好地回收液体的加工装置，其具有：多个卡盘，其用于保持基板；多个加工轴；其安装有加工工具；加工台，其保持多个所述卡盘，使该卡盘在搬入所述基板的搬入位置与配置有所述多个加工轴的加工位置之间移动；以及多个检测部，其检测保持于各所述卡盘的所述基板的状态；在所述加工装置中，在所述加工台的上方设有罩部，其覆盖该加工台以及检测部；在所述罩部设有开口部，与各检测部电连接的布线经由该开口部引出到外部。
- 用于化学机械抛光的多层抛光垫-201580023882.6
- B.姆尔齐格洛德;J.奈尔;G.布莱克 - 嘉柏微电子材料股份公司
- 2015-04-30 - 2019-12-17 - H01L21/304
- 本发明涉及用于化学机械抛光的多层抛光垫，其包含顶层、中间层及底层，其中，该顶层与该底层通过该中间层而接合在一起，且没有使用粘合剂。本发明还涉及包含光学透射区域的多层抛光垫，其中，该多层抛光垫的各层接合在一起而没有使用粘合剂。
- 矩形被加工物的加工方法-201910444699.3
- 大室喜洋;山田千悟 - 株式会社迪思科
- 2019-05-27 - 2019-12-13 - H01L21/304
- 提供矩形被加工物的加工方法，无需繁杂的作业而能够从背面侧对分割预定线进行切削。封装基板(1)具有形成于正面的多条分割预定线(24)，沿着分割预定线(24)分别形成有正面侧加工槽(27)，该封装基板的加工方法包含如下的步骤：贯通孔形成步骤，分别形成与封装基板的相互对置的一对边相邻的加工槽(9)，从而在正面侧加工槽(27)与加工槽(9)的各交点形成贯通孔(8)；分割预定线位置检测步骤，利用拍摄单元对贯通孔进行拍摄，根据贯通孔的位置而对分割预定线(24)的位置进行检测；以及加工步骤，根据分割预定线(24)的位置，从封装基板(1)的背面(2A)沿着分割预定线(24)对封装基板(1)进行加工。
- 晶片的加工方法和磨削装置-201910456667.5
- 杉谷哲一 - 株式会社迪思科
- 2019-05-29 - 2019-12-13 - H01L21/304
- 提供晶片的加工方法和磨削装置，能够进行分割后的器件芯片的背面侧的检查。晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，利用切削刀具对晶片的正面进行切削，沿着分割预定线形成深度超过晶片的完工厚度的槽；第一检查步骤，从晶片的正面对通过切削步骤而形成的槽进行拍摄，对所拍摄的槽的缺损的状态进行检查；保护部件粘贴步骤，在实施了第一检查步骤之后，将保护部件粘贴在晶片的正面上；磨削步骤，利用卡盘工作台对晶片的保护部件侧进行保持，对晶片的背面进行磨削而薄化至完工厚度，将晶片分割成器件芯片；以及第二检查步骤，在实施了磨削步骤之后，从晶片的背面对露出在晶片的背面的槽进行拍摄，对所拍摄的槽中形成的缺损的状态进行检查。
- 微气泡清洗装置和微气泡清洗方法-201780046445.5
- 日高義晴;山本宽 - 松下知识产权经营株式会社
- 2017-07-28 - 2019-12-13 - H01L21/304
- 在清洗半导体、电子器件时想要利用微气泡，但由于微气泡长期间稳定地存在，因此有时在被清洗物的表面微气泡不高效地发生破裂。微气泡清洗装置的特征在于，具有：微气泡产生装置，其使清洗液中产生微气泡，来生成气泡清洗液；气泡自发破裂装置，其使所述气泡清洗液中的所述微气泡的寿命缩短，来生成短寿命气泡清洗液；以及清洗槽，其用于使所述短寿命气泡清洗液与被清洗物接触，所述微气泡清洗装置预先将微气泡的寿命设定得短，因此在微气泡到达被清洗物时使微气泡自发破裂，来提高清洗力。
- 基板处理装置以及基板处理装置的配管清洗方法-201580016524.2
- 国泽淳次;丸山徹;今井正芳;前田幸次;宫崎充;本坊光朗;丰增富士彦 - 株式会社荏原制作所
- 2015-03-17 - 2019-12-13 - H01L21/304
- 本发明涉及一种将清洗液(例如纯水或药液)供给至晶片等的基板来处理基板的基板处理装置以及该基板处理装置的配管清洗方法。本发明的基板处理装置的特征在于，具备：第一清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第一清洗单元(52、54)；第二清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第二清洗单元(60、62)；第一纯水供给配管(120)，将纯水供给至第一清洗路径；及第二纯水供给配管(180)，将纯水供给至第二清洗路径。
- 用于钨材料的化学机械抛光的组合物及方法-201580013518.1
- 林致安;陈湛 - 嘉柏微电子材料股份公司
- 2015-03-05 - 2019-12-10 - H01L21/304
- 本发明提供用于抛光含钨基材的化学机械抛光(CMP)方法。随本发明方法一起使用的抛光组合物包含水性载剂、研磨剂、多氨基化合物、金属离子、螯合剂、氧化剂及任选的氨基酸。本发明方法有效地移除钨，同时减少表面缺陷，例如，典型地与钨CMP相关的凹坑。
- 全边切削的晶圆加工方法-201810863992.9
- 邱垂良;徐坤基;曾仁栋;巫勤达 - 力成科技股份有限公司
- 2018-08-01 - 2019-12-03 - H01L21/304
- 一种晶圆加工方法，使用直径小于待加工的半导体晶圆的加工平台。因此，可在半导体晶圆的周边进行全切穿的边缘切削，以于周边形成全切穿的平直面，且于周边形成平坦部，进而在胶带贴合与背面研磨制程利用平坦部作定位。
- 晶片的加工方法-201510242728.X
- 卡尔·普利瓦西尔 - 株式会社迪思科
- 2015-05-13 - 2019-11-29 - H01L21/304
- 晶片的加工方法。在晶片的正面具有形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，并且形成有对应于该器件区域的背面被磨削为规定的厚度的圆形凹部和围绕该圆形凹部且对应于该外周剩余区域的环状凸部，加工方法具有：第一带贴附步骤，在晶片的正面贴附第一带，并将晶片隔着该第一带安装于第一环状框架上；分离步骤，在实施了该第一带贴附步骤后，隔着该第一带通过卡盘台保持晶片，对该环状凸部与该器件区域之间的边界照射激光束，将晶片与该第一带一起截断，分离为该器件区域和该环状凸部；以及去除步骤，在实施了该分离步骤后，将隔着该第一带安装于该第一环状框架上的该环状凸部与该第一环状框架一起从晶片的该器件区域上去除。
- 具有局部区域速率控制的抛光系统-201480057444.7
- 陈志宏;P·D·巴特菲尔德;张寿松 - 应用材料公司
- 2014-09-30 - 2019-11-26 - H01L21/304
- 一种抛光模块，所述抛光模块包含：卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周界；以及一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述卡盘的所述周界定位，其中所述一个或更多个抛光垫的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可以动的，并且所述抛光垫在径向移动上被限制为约小于从所述卡盘的所述周界测量的所述卡盘的半径的二分之一。
- 清洗液组合物-201480021935.6
- 守田菊惠;堀家千代子;深谷启介;大和田拓央 - 关东化学株式会社
- 2014-04-07 - 2019-11-26 - H01L21/304
- 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。
- 芯片的制造方法-201910349136.6
- 淀良彰;赵金艳 - 株式会社迪思科
- 2019-04-28 - 2019-11-22 - H01L21/304
- 提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，沿着分割预定线仅对芯片区域照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束，形成沿着芯片区域的分割预定线的第1改质层；第2激光加工步骤，沿着芯片区域与外周剩余区域的边界照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束，形成沿着该边界的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，通过一次的冷却或加热来赋予力而将被加工物分割成各个芯片。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
