[发明专利]一种光媒介存储光媒介机构及系统有效
| 申请号： | 201810284557.0 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108511017B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 周冬 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 张亮 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光媒介存储光媒介机构及系统，包括：光媒介存储装置以及光媒介传输装置；光媒介存储装置设有用于储存光媒介的光媒介存储模块和用于提供光媒介接收至光媒介存储模块及提供读取光媒介存储模块中存储光媒介数据的光媒介输入输出端；光媒介接收模块根据接收指令，接收外部传输的光媒介，并通过所述光媒介输入输出端传导至光媒介存储模块；光媒介储存模块与光媒介存储模块相配合，与光媒介存储模块构成光媒介存储路径；光媒介读取模块根据读取指令，提供读取端口，读取光媒介存储模块存储的光媒介。使用光作为存储媒介，减少了电能的消耗，节约了能源，提高了存储速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 媒介 存储 机构 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光媒介存储机构，其特征在于，包括：光媒介存储装置(1)以及光媒介传输装置(2)；所述光媒介存储装置(1)设有用于储存光媒介的光媒介存储模块和用于提供光媒介接收至光媒介存储模块(6)及提供读取光媒介存储模块(6)中存储光媒介数据的光媒介输入输出端；所述光媒介传输装置(2)设置在光媒介输入输出端，所述光媒介传输装置(2)包括：光媒介接收模块(3)，光媒介储存模块(4)以及光媒介读取模块(5)；所述光媒介接收模块(3)用于根据接收指令，接收外部传输的光媒介，并通过所述光媒介输入输出端传导至光媒介存储模块(6)；所述光媒介储存模块(4)用于与光媒介存储模块(6)相配合，与光媒介存储模块(6)构成光媒介存储路径；所述光媒介读取模块(5)用于根据读取指令，提供读取端口，读取光媒介存储模块(6)存储的光媒介。
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- 2016-10-20 - 2020-09-25 - G11C13/04
- 本发明实施例提供了一种对红外光子记忆存储的存储器及方法，所述存储器包括：用于导电的导电基底；用于对红外光子进行记忆存储的二氧化钒薄膜；用于使导电基底导电的正负电极；用于为导电基底提供电流以改变二氧化钒薄膜的红外光谱透过率的直流电压源，及用于二氧化钒薄膜的对红外光子记忆存储状态进行调控的脉冲电压源。二氧化钒薄膜设置在导电基底上，正负电极设置在导电基底上且位于二氧化钒薄膜相对的两侧，直流电压源及脉冲电压源串联于正负电极之间。通过调节直流电压源，连续调控红外光谱的透过率，进而通过调节脉冲电压源，实现对红外光子的记忆存储，降低了光存储器的制作难度。
- 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件-201810244207.1
- 刘富荣;韩子豪;樊婷;韩钊;黄引;张永志 - 北京工业大学
- 2018-03-23 - 2020-07-03 - G11C13/04
- 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。
- 非互易单光子量子存储器-201921655317.3
- 丁冬生;刘宗凯;董明新;史保森;郭光灿 - 中国科学技术大学
- 2019-09-29 - 2020-06-26 - G11C13/04
- 本实用新型公开了一种非互易单光子量子存储器，所述量子存储器包括：原子发生组件、第一光路组件、耦合光路组件以及第二光路组件；所述第一光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第一方向入射所述原子团的第一单光子；所述耦合光路组件用于产生耦合光，所述耦合光和所述第一单光子与所述原子团中原子能级满足电磁诱导透明条件，所述原子团存储该单光子；所述第二光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第二方向入射所述原子团的第二单光子；所述耦合光和所述第二单光子与所述原子团中原子能级不满足电磁诱导透明条件，所述原子团不存储该单光子。应用本实用新型提供的非互易单光子量子存储器，实现了单光子的非互易存储。
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