[发明专利]摄像器件模块、摄像系统、摄像器件封装和制造方法在审
| 申请号： | 201910349261.7 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416163A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 清水孝一;小坂忠志;千叶修一;野津和也;小森久种;滨崎智;片濑悠 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/06 | 分类号： | H01L23/06;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人： | 迟军 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供摄像器件模块、摄像系统、摄像器件封装和制造方法。根据本公开，满足Tgp>Tgf、αf1<αPCB1和(Tgp‑To)×αPCB1<(Tgf–To)×αf1+(Tgp–Tgf)×αf2的关系，或者Tgp | ||
| 搜索关键词： | 玻璃化转变 摄像器件 线性膨胀系数 摄像系统 基板 封装 内方向 下基板 下框架 制造 | ||
【主权项】：
1.一种摄像器件模块，其包括：基板，其具有第一主面、第二主面以及与第一主面和第二主面连续的外边缘，并且包括多个导体层和多个绝缘层；固态摄像器件，其附接于第一主面；框架，其附接于第一主面以围绕固态摄像器件的外周；以及透光构件，其固定在框架上，其中，满足如下关系：Tgp>Tgf，αf1<αPCB1，和(Tgp‑To)×αPCB1<(Tgf–To)×αf1+(Tgp–Tgf)×αf2或者如下关系：Tgp<Tgf，αPCB1<αf1，和(Tgf‑To)×αf1<(Tgp–To)×αPCB1+(Tgf–Tgp)×αPCB2其中，在低于基板的玻璃化转变温度Tgp的温度下基板的面内方向上的线性膨胀系数被表示为αPCB1，在高于玻璃化转变温度Tgp的温度下基板的面内方向上的线性膨胀系数被表示为αPCB2，在低于框架的玻璃化转变温度Tgf的温度下框架的线性膨胀系数被表示为αf1，在高于玻璃化转变温度Tgf的温度下框架的线性膨胀系数被表示为αf2，并且室温被表示为To。
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- 何伟超;李东伟;吴萍 - 浙江长兴电子厂有限公司
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- 本实用新型公开了一种半导体器件金属外壳，包括六边形底板，所述底板上成型有矩形框体，所述矩形框体内成型有芯片安装孔，所述矩形框体内侧边缘对称设有多组穿透底板的引线，其中位于同一侧的两组引线之间设安装接地引线，本实用新型的有益效果在于：散热性能优越、通过在金属外壳上涂层，大幅提高抗腐蚀性，一体成型的壳体强度高，可靠性好。
- 集成电路封装盖板及其装配方法-201310544554.3
- 刘兰;韩汝伟 - 北京航天港科技开发有限公司
- 2013-11-05 - 2016-11-30 - H01L23/06
- 本发明涉及集成电路领域，具体而言，涉及集成电路封装盖板及其装配方法。该集成电路封装盖板，由镍材质制成。该集成电路封装盖板的装配方法，包括：将管座和上述封装盖板放置于平行封焊机中焊接，使所述封装盖板与所述管座的管口密封。本发明提供的集成电路封装盖板及其装配方法，当其与管座的管口封焊之后，封装盖板不易发生锈蚀现象。因此，也就不会出现漏气的现象，可保证集成电路模块正常工作。
- 一种微组装小型化的三维微波电路结构-201620398045.3
- 黄学骄;黄祥;惠力;曾荣;龙双;刘清锋;黄维;郝海龙 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 2016-05-05 - 2016-11-23 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种微组装小型化的三维微波电路结构，包括LTCC基板、可伐金属载板、有机基板、带隔墙的铝腔体、接插件、供电和微波绝缘子和腔体上下盖板；隔墙上面向上依次安装可伐金属载板、LTCC基板；隔墙下面安装有机基板；接插件焊接于有机基板上；若干供电绝缘子和微波绝缘子焊接固定于隔墙上，绝缘子针一端焊接到背面基板焊盘相应位置，绝缘子针另一端通过金丝键合连接到正面LTCC基板焊盘上；腔体上盖板通过激光封焊焊接到腔体上，使上腔体内部密封；本实用新型组装工艺简单，机械强度高，封装体积小。
- 一种用于驱动电路的低频少噪音MOS管-201620363167.9
- 王兴 - 王兴
- 2016-04-27 - 2016-11-23 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种用于驱动电路的低频少噪音MOS管，包括绝缘壳体、漏极输出端、栅极输入端、二氧化硅绝缘层、P型硅衬底层，绝缘壳体上方设置有安装片体，安装片体上设计有固定孔，绝缘壳体下方设置有栅极输入端，栅极输入端一侧设置有漏极输出端，漏极输出端一侧设置有电源输出端，绝缘壳体内部安装有P型硅衬底层，P型硅衬底层上方两侧设置有高掺杂工作区，高掺杂工作区上方设置有二氧化硅绝缘层，两侧的高掺杂工作区之间设置有导电沟道。有益效果在于：采用精密的输入栅极和输出漏极，使MOS管工作过程中产生的不规则电压或电流变化较小，在低频范围内噪声小，从而使MOS管构成的驱动电路工作性能更稳定，能耗更小。
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