[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审

专利信息
申请号: 201910154686.2 申请日: 2019-03-01
公开(公告)号: CN109887942A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 卓恩宗;刘凯军 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/32;G06F3/041
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 王宁
地址: 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。该阵列基板,包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第一导电层、第一保护层、光敏层、第二导电层、光屏蔽层以及第二保护层;阵列基板至少具有下列优点:通过第一保护层可以保护其覆盖区域免受污染和损伤;外界光线可直接通过第二导电层照射光敏层上,有助于增加光传感器的感光面积,提升光感测效能;同时,第一电极层可有效阻挡背光源直接照射光敏层,以避免可能的噪声影响,从而可以使得光感测器具有较稳定的光感测性能;通过第二保护层可以防止例如手指按压阵列基板时对各层的挤压损坏,提高使用寿命,同时防止各层出现相对错位的现象,提高用户的体验。
搜索关键词: 阵列基板 光敏层 第二保护层 第二导电层 第一保护层 显示面板 光感测 制备 第一导电层 栅极绝缘层 半导体层 第一电极 覆盖区域 光传感器 光感测器 光屏蔽层 免受污染 使用寿命 手指按压 外界光线 相对错位 噪声影响 直接照射 背光源 栅极层 衬底 感光 挤压 损伤 照射 阻挡
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括薄膜晶体管区域和光感测区域;栅极层,包括设置在所述薄膜晶体管区域上的第一栅极以及设置在所述光感测区域的第二栅极;栅极绝缘层,设置在所述衬底上,覆盖所述栅极层和所述衬底;半导体层,设置在所述栅极绝缘层上,位于所述第一栅极上方;第一导电层,设置在所述栅极绝缘层和所述半导体层上,包括设置在光感测区域的第一电极层,所述第一电极层露出部分栅极绝缘层;第一保护层,设置在所述第一导电层和所述部分栅极绝缘层上,所述第一保护层部分贯穿所述半导体层,所述第一保护层露出部分第一电极层;光敏层,设置在所述部分第一电极层上;第二导电层,设置在所述光敏层上,与所述第二栅极电性连接;光屏蔽层,设置在所述第一保护层上,位于所述第一栅极上方;以及第二保护层,设置在所述光屏蔽层、所述第二导电层以及所述第一保护层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910154686.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 图像传感器及其形成方法-201910756782.4
  • 方明旭;夏春秋 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-16 - 2019-11-12 - H01L27/146
  • 本公开涉及图像传感器及其形成方法。一种用于形成图像传感器的方法,包括:提供衬底,该衬底包括具有第一掺杂类型的有源区;以及在有源区之上形成至少一个光电二极管,每个光电二极管包括具有第一掺杂类型的第一区域和具有第二掺杂类型的第二区域,第二区域包括多个外延掺杂层,并且第一区域围绕第二区域。其中,形成每个光电二极管包括:通过外延生长在衬底上依次形成具有第一掺杂类型的多个外延层,每个外延层都包括用于形成光电二极管的第二区域的第二部分和围绕其第二部分的第一部分,其中,在形成每个外延层之后,通过离子注入将该外延层的第二部分调整为具有第二掺杂类型,以形成第二区域的多个外延掺杂层中的一个或多个。
  • 一种基于纳米盘结构的多波段滤光传感器及其制备方法-201910862087.6
  • 曹笈;朱滨;孙英豪;刘文朋;刘钢;谷雨 - 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司
  • 2019-09-12 - 2019-11-12 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种基于纳米盘结构的多波段滤光传感器,包括基底电路层,所述基底电路层上设置有电连接的光敏器件层,所述光敏器件层上设置有滤光结构层,所述滤光结构层上设置平坦层;所述滤光结构层由纳米盘阵列组成,所述纳米盘阵列包括多个子阵列,各子阵列包括多个纳米盘,相同子阵列内的纳米盘具有相同的直径和周期,不同子阵列中的纳米盘具有不同的直径和周期。利用氢化非晶硅纳米盘结构实现了彩色滤光,兼容异质基底上以及CMOS工艺,可直接在现有CMOS图像晶圆上沉积薄膜,制备工艺简单,非晶硅纳米盘结构利用的是米氏散射实现电偶极子和磁偶极子的共振,通过改变纳米盘几何参数可实现特定波长的光的选择,波长选择灵活,可以实现多波长滤光。
  • 图像传感器及成像系统-201810154833.1
  • 陈刚;王勤;毛杜立;戴森·H·戴;林赛·亚历山大·格朗 - 豪威科技股份有限公司
  • 2018-02-23 - 2019-11-12 - H01L27/146
  • 本申请案涉及图像传感器及成像系统。一种图像传感器包含分裂双光电二极管DPD对阵列。所述分裂DPD对阵列的第一群组完全由第一维分裂DPD对构成或完全由第二维分裂DPD对构成。由所述第一维分裂DPD对构成的所述分裂DPD对阵列的每一第一群组邻近于由所述第二维分裂DPD对构成的所述分裂DPD对阵列的另一第一群组。所述第一维正交于所述第二维。多个浮动扩散FD区域经布置于所述分裂DPD对的每一第一群组中。多个转移晶体管中的每一者耦合到相应分裂DPD对的相应光电二极管,且耦合于所述相应光电二极管与所述多个FD区域的相应者之间。
  • 具有增强近红外量子效率的CMOS图像传感器-201810628043.2
  • 杨存宇;赵城;陈刚;戴森·戴;陆震伟 - 豪威科技股份有限公司
  • 2018-06-19 - 2019-11-12 - H01L27/146
  • 本发明涉及一种具有增强近红外量子效率的CMOS图像传感器。一种图像传感器包括:半导体材料,其具有受照表面及非受照表面;光电二极管,其形成于所述半导体材料中,从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光,其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷;转移栅极,其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷;浮动扩散,其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷;近红外NIR量子效率QE增强结构,其在所述光电二极管的某一区域内包括至少两个NIR QE增强元件,其中所述NIR QE增强结构经配置以通过衍射、偏转及反射中的至少一者修改所述半导体材料的所述受照表面处的所述入射光以重新分布所述光电二极管内的所述入射光以改进所述图像传感器的光学灵敏度,包含近红外光灵敏度。
  • 影像感测器-201510513040.0
  • 钟志平;陈名伟;何明佑 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2015-08-20 - 2019-11-12 - H01L27/146
  • 本发明公开一种影像感测器,包括一基底,包括一像素阵列区;多个隔离结构,位于该基底中,在该像素阵列区中区隔出多个像素区;一光感测区,位于各该像素区内的该基底中;以及一反射凹穴结构,位于各该像素区内的该基底中,该反射凹穴结构由各该隔离结构的底部一较浅处,连续的延伸至各该像素区中间一较深处,使在各该像素区内构成一碟状轮廓,其中该反射凹穴结构的折射率小于该基底的折射率。
  • 传感器芯片和电子设备-201880018703.3
  • 松本晃 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-03-14 - 2019-11-12 - H01L27/146
  • 本公开涉及各使得借助光电转换生成的载流子能够被高效使用的传感器芯片和电子设备。在半导体基板中,在多个像素区域中的每一个中设置使借助光电转换生成的载流子倍增的至少一个或更多个雪崩倍增区域,并且由片上透镜凝聚在半导体基板上入射的光。然后,多个片上透镜设置在一个像素区域中。本技术例如可以应用于背面照射型CMOS图像传感器。
  • 光电转换装置和设备-201910364191.2
  • 山火智;小谷佳范;柏崎昭夫;大桥良太;塚本雅美 - 佳能株式会社
  • 2019-04-30 - 2019-11-08 - H01L27/146
  • 本发明提供一种光电转换装置和设备。该光电转换装置包括:光电转换基板,其具有多个光电转换部分和布置在所述多个光电转换部分上的微透镜阵列;覆盖微透镜阵列的透光板;布置在微透镜阵列与透光板之间的膜,其中,所述膜具有:在1.05到1.15的范围内的折射率,98.5%以上的在400nm到700nm的波长范围内的光的平均透射率,以及在500nm至5000nm的范围内的膜厚度。
  • 图像传感器及其形成方法-201910705010.8
  • 魏代龙;杨帆 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-07-31 - 2019-11-08 - H01L27/146
  • 本申请提供一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底内形成有分立排列的光电器件;沟槽隔离结构,形成于所述半导体衬底中且位于所述光电器件之间;第一浮置扩散区和第二浮置扩散区,形成于所述光电器件上的半导体衬底内且位于所述沟槽隔离结构之间;传输栅极,形成于所述光电器件一侧的沟槽隔离结构中,所述传输栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和光电器件接近;控制栅极,形成于所述光电器件上的半导体衬底的第一表面上,所述控制栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和第二浮置扩散区接近。本申请实现了图像传感器的高动态范围和高灵敏度,提高了图像传感器的性能。
  • 图像传感器及其制造方法-201910716338.X
  • 佟璐;富田隆治;黄晓橹 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-05 - 2019-11-08 - H01L27/146
  • 本申请公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底内的多个感光器件;位于所述半导体衬底内的隔离结构;以及位于所述半导体衬底上的多个滤光层,所述多个滤光层与所述多个感光器件在位置上一一对应并包括至少一对彼此相邻且具有相同颜色的滤光层,其中,所述隔离结构仅存在于彼此相邻且具有不同颜色的滤光层所对应的感光器件之间。在本申请的图像传感器及其制造方法中,相同颜色的滤光层所对应的感光器件之间不设置DTI结构,因此同色光之间不存在串扰,能够达到良好的光利用率,同时DTI结构的数量的减少也带来了暗电流的减少。
  • 一种摄像头模组封装结构及其制作方法-201910737807.6
  • 宋闯;田茂;熊望明;黄高 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-09 - 2019-11-08 - H01L27/146
  • 本申请涉及摄像头技术领域,具体地涉及一种摄像头模组封装结构及其制作方法。所述摄像头模组封装结构包括:电路板,所述电路板包括第一表面和第二表面;固定连接的传感器芯片和滤光片,其中,所述传感器芯片的背面形成有焊块,所述传感器芯片的正面正对所述滤光片;所述固定连接的传感器芯片和滤光片封装在所述电路板的贯穿孔中,并且所述传感器芯片的背面朝向所述电路板的第二表面。本申请所述摄像头模组封装结构及其制作方法,先将滤光片和传感器芯片固定连接,再对所述固定连接的传感器芯片和滤光片进行封装,提高了工艺集成度,在封装过程中,所述传感器芯片被滤光片保护,提高了产品良率。
  • 固态成像元件、电子设备和制造方法-201880018750.8
  • 福冈慎平;富樫秀晃 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-03-16 - 2019-11-08 - H01L27/146
  • 本公开涉及能够进一步减少元件布局面积的固态成像元件、电子设备和制造方法。根据本发明,设置在半导体基板的第一面上的光电转换元件通过贯通电极连接到设置在所述半导体基板的第二面上的浮动扩散部和放大晶体管的栅极,所述贯通电极设置在所述半导体基板的所述第一面和所述第二面之间并连接到所述光电转换元件。对于这种像素结构,电介质层设置在所述第二面上的所述贯通电极之间,并且当从所述第二面侧观看时,屏蔽电极设置在电介质层的内侧。所述电介质层形成为比布置在所述第二面侧的所述晶体管的栅极绝缘膜厚。例如,本公开适用于堆叠背面照射型固态成像元件。
  • 固态摄像装置和电子设备-201880020160.9
  • 田中晴美 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-03-16 - 2019-11-08 - H01L27/146
  • 本技术涉及一种固态成像装置和一种电子设备,由此可以使用堆叠在传感器衬底的上表面上的遮光体衬底来抑制鬼影噪声出现在所述传感器衬底的输出中。一种根据本技术的第一方面的固态成像装置包括:至少具有第一像素区域和第二像素区域的传感器衬底;以及遮光体衬底,其堆叠在所述传感器衬底的上表面上,且具有围绕多个光传导路径的遮光体,其中所述多个光传导路径至少包括对应于所述第一像素区域的第一光传导路径,以及对应于所述第二像素区域的第二光传导路径,包括在所述第一像素区域中的多个像素具有基于所述第一像素区域中相应的像素位置的遮光结构,且包括在所述第二像素区域中的多个像素具有基于所述第二像素区域中相应的像素位置的遮光结构。本技术可以例如应用于背面照明式CMOS图像传感器。
  • 芯片的封装方法、半导体结构及其制备方法-201810402680.8
  • 胡媛;吴静銮;郭伟 - 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2018-04-28 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种芯片的封装方法、半导体结构及其制备方法,首先刻蚀所述基底的背面,以形成第一沟槽,以露出所述焊盘结构的至少部分;再形成填充所述第一沟槽并覆盖所述基底的背面的第一金属层,最后去除所述第一金属层中对应所述晶粒边缘的部分,所述基底的正面形成有多个晶粒,后续为了将各个晶粒分开,会对所述基底进行切割,由于去除所述第一金属层中对应所述晶粒边缘的部分,在切割时不会因为切偏或者刀口过大而造成第一金属层从芯片的边缘曝露出来,从而避免了芯片失效的问题,提高了芯片封装的可靠性。进一步,整个封装方法过程简单,封装成本较低。
  • 图像传感器及其形成方法-201910721627.9
  • 王东;金子貴昭 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-06 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及其形成方法,所述形成方法包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有的第一面;在所述第一衬底第一面形成抗反射层,并且在垂直于所述第一面的方向上,所述抗反射层的厚度为预设厚度;形成贯穿所述抗反射层和所述第一衬底的通孔;在所述通孔内形成第一导电层,所述抗反射层表面暴露出所述第一导电层表面;在形成所述第一导电层后,在所述抗反射层表面形成栅格层。所述形成方法能够节省制造图像传感器的时间和成本。
  • 图像传感器及其形成方法-201910733053.7
  • 北村陽介;夏春秋;方欣欣 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-09 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:基底,所述基底包括若干相互分立的光电区,相邻光电区之间具有隔离区;位于所述隔离区表面的栅格层,所述栅格层包括第一栅格结构,且所述第一栅格结构的材料具有第一折射率;位于所述光电区的基底上的滤光层,所述滤光层的材料具有第二折射率,且所述第二折射率大于所述第一折射率。所述图像传感器的性能较好。
  • 一种图像传感器封装结构-201910734511.9
  • 李文杰;旷章曲;陈杰 - 北京思比科微电子技术股份有限公司
  • 2019-08-09 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器封装结构,该封装结构为立方体封装结构;该立方体封装结构的底面为接口集合面,顶面和四周的四个面均为像素阵列面。通过采用立方体封装结构,并将底面设为接口集合面,将顶面和四周的四个面均设为像素阵列面,形成一种5方向的图像传感器,在一个图像传感器中实现了更多方向的传感,解决了现有封装方式传感方向单一的问题。
  • 封装结构、图像采集模组以及智能手机终端-201910809093.5
  • 崔中秋;刘路路;沈志杰;王威;姜迪;王腾 - 苏州多感科技有限公司
  • 2019-08-29 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 本发明实施例公开了一种封装结构、图像采集模组以及智能手机终端,该封装结构包括:功能芯片,功能芯片的第一表面包括至少一个第一焊盘;形成在功能芯片第一表面上的第一粘结层,第一粘结层露出第一焊盘;形成在第一粘结层上的盖板;形成在功能芯片上方的印刷电路板,印刷电路板的第二表面包括至少一个第二焊盘,功能芯片第一表面上的第一焊盘与印刷电路板第一表面上的至少一个第二焊盘电连接,第二焊盘的数量与第一焊盘的数量相同,且一一对应。本发明实施例中的技术方案减小了封装结构在垂直于功能芯片第一表面方向的厚度,即减少了封装结构的整体厚度,解决了现有技术中智能手机等移动终端内部空间日益紧张的技术问题。
  • 固态成像装置及其制造方法-201510531863.6
  • 中村纪元 - 精工爱普生株式会社
  • 2015-08-26 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。本发明的一个方式为一种固态成像装置,其具备:P型阱(12);被形成在P型阱(12)中的N型低浓度扩散层(18),被形成在N型低浓度扩散层(18)的表面上的P型表面扩散层(16),被形成在N型低浓度扩散层(18)的侧面与P型阱(12)的边界处的P型高浓度阱(15)。
  • 晶片封装体及其制造方法-201610317325.1
  • 黄玉龙;廖季昌;刘沧宇 - 精材科技股份有限公司
  • 2016-05-13 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含基底、导电层及多个散热连结。基底包含光感测区,且具有相对设置的上表面及下表面。导电层设置于基底的下表面,且包含大致对准光感测区的遮光浮置导电层。多个散热连结设置于基底的下表面的下方。本发明可解决现有技术中所述的漏光及散热不佳等问题。
  • 固态成像装置-201610119147.1
  • 张智杰;林绮涵 - 采钰科技股份有限公司
  • 2016-03-02 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 本公开提供固态成像装置,包含基底具有多个光电转换元件排列成像素阵列,彩色滤光层含有多个彩色滤光部件设置于光电转换元件之上,以及分隔网格含有多个分隔物,每个分隔物设置在两个相邻的彩色滤光部件之间,且彩色滤光层与分隔网格设置在同一层中。此外,分隔物包含第一分隔物设置在像素阵列的中心线,以及第二分隔物设置在像素阵列的边缘,且第二分隔物的顶部宽度大于第一分隔物的顶部宽度。本公开可应用在BSI和FSI成像装置,提高位于像素阵列边缘的像素的灵敏度和量子效率(QE),且进一步改善固态成像装置的角响应(AR)。
  • 一种抗干扰图像传感器-201611044953.3
  • 王汉清 - 江苏骏龙光电科技股份有限公司
  • 2016-11-24 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 本发明提供了一种抗干扰图像传感器,包括:第一衬底,所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面;硅基板,所述硅基板包括具有凹槽的正面和与所述正面相对的背面;第二衬底,设置于所述凹槽底部,所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底的正面与所述硅基板的背面共面;所述第一衬底的背面与所述硅基板的正面通过一层铁钴合金层键合。
  • 固体拍摄元件以及固体拍摄元件的制造方法-201880017465.4
  • 高桥聪 - 凸版印刷株式会社
  • 2018-04-17 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 提供能减弱混色的、高精细且灵敏度良好的固体拍摄元件及其制造方法。本实施方式所涉及的固体拍摄元件在二维配置有多个光电变换元件(11)的半导体基板(10)上,具有与各光电变换元件(11)对应地配置有多种颜色的彩色滤光片(14、15、16)的彩色滤光片图案,形成有使得在半导体基板(10)与彩色滤光片(14、15、16)之间形成的使得可见光透射的层、和在相邻的彩色滤光片(14、15、16)之间形成的使得可见光透射的层相连续的间隔壁层(12),多种颜色的彩色滤光片(14、15、16)中的面积最大的彩色滤光片(14)的边缘部和间隔壁层(12)中包含的边缘部相连续,在面积最大的彩色滤光片(14)的侧壁形成有对间隔壁层(12)进行蚀刻时的反应生成物层(40)。
  • 成像元件和成像装置-201880017532.2
  • 关勇一;亀田俊辅;高武明真 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-04-17 - 2019-11-05 - H01L27/146
  • 本发明的目的是简化其中使未透过配置在像素中的滤色器而进入像素的光衰减的成像元件的制造。所述成像元件设置有像素和入射光衰减部。所述像素包括来自被摄体的光中的具有预定波长的光所透过的滤色器和响应于透过所述滤色器的光而生成电荷的光电转换部。所述入射光衰减部配置在所述被摄体和所述滤色器之间,并且使未透过配置在所述像素中的滤色器而进入所述光电转换部的光衰减。
  • 隔离结构及其形成方法、图像传感器及其形成方法-201910723839.0
  • 阿久津良宏 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-06 - 2019-11-01 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器的隔离结构及其形成方法、图像传感器及其形成方法。所述隔离结构的形成方法包括:提供基底,所述基底中设置有多个分立的像素区域;在所述基底中形成多个分立的第一沟槽,所述第一沟槽位于相邻的像素区域之间,且所述第一沟槽的开口位于所述基底的第一表面;形成多个分立的第一隔离结构,所述第一隔离结构位于所述第一沟槽内,且所述第一隔离结构未填充满所述第一沟槽;以及形成多个分立的第二隔离结构,所述第二隔离结构位于所述第一隔离结构的表面,且所述第二隔离结构的一部分位于所述第一沟槽内。所述隔离结构及其形成方法、所述图像传感器及其形成方法能够降低像素区域之间的光线串扰。
  • 图像传感器及其形成方法-201910726407.5
  • 阿久津良宏 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-07 - 2019-11-01 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及其形成方法,方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底中形成初始光电掺杂区;在初始光电掺杂区内形成相互分立的初始隔离区,所述初始隔离区内掺杂有第一离子和第二离子,第一离子的导电类型和初始光电掺杂区的导电类型相反,第二离子的导电类型和和初始光电掺杂区的导电类型相同,且第二离子的扩散速率大于第一离子的扩散速率;进行热处理,使初始隔离区内的第一离子和第二离子扩散,在初始光电掺杂区内形成主光电掺杂区、相互分立的隔离区以及相互分立的附加光电掺杂区,所述附加光电掺杂区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相同,所述隔离区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相反。所述方法形成的图像传感器的性能较好。
  • 图像传感器及其形成方法-201910754167.X
  • 吴明;郭松辉;林宗贤;孙明亮;朱晓彤 - 德淮半导体有限公司
  • 2019-08-15 - 2019-11-01 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:半导体衬底;凸透镜,位于所述半导体衬底的表面;凸透曲面结构,位于所述凸透镜的表面;其中,所述凸透曲面结构的上表面与下表面均为曲面,且所述上表面的曲率半径小于下表面的曲率半径;所述凸透曲面结构的上表面为远离所述半导体衬底的表面,所述凸透曲面结构的下表面为邻近所述半导体衬底的表面。本发明方案有利于降低光线串扰,并且提高光电转换的效率。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top