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[发明专利]一种提升冷冻调理炒饭关键品质的复合方法-CN202310068086.0在审
发明人：张慜;童天;陈晶晶;卢利群;方欣欣 -专利权人：江南大学;宁波海通食品科技有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： A23L7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升冷冻调理炒饭关键品质的复合方法，属于方便食品加工技术领域。本发明选用粳米，将粳米浸泡后进行煮制，煮制完成后打散冷却，在炒制时添加回生抑制复合添加剂，混合均匀。炒制完成后自然冷却至40‑50℃，进行抽真空密封包装，而后采用超声协同牛至精油纳米乳液杀菌进行杀菌处理。采用静电场联合脉冲磁场辅助速冻得到冷冻调理炒饭产品，并采用红外复热的方式得到可食用的冷冻调理炒饭。本发明所制得的冷冻调理炒饭，在90天保藏期内无明显回生现象，复热后感官品质高，相较于与未采用本方法改良的冷冻调理炒饭，感官评分提升15％以上，回生得到明显抑制。本发明有效提升了冷冻调理炒饭的食用品质。
一种提升冷冻调理炒饭关键品质复合方法

[发明专利]致密储层的原油充注孔喉下限的确定方法-CN201910422497.9有效
发明人：郭迎春;方欣欣;张凯逊 -专利权人：中国地质科学院地质力学研究所
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种石油地质研究领域的计算方法，具体说涉及一种致密储层的原油充注孔喉下限的确定方法，包括如下步骤：(1)基于充注过程中的动力与阻力的关系，当剩余压力P与毛细管力Pc相等时，则达到充注下限；(2)根据充注过程中的动力与阻力的平衡关系式，计算确定原油充注孔喉下限。本发明深化了致密油充注机理的认识，是对致密油成藏地质理论的补充，为致密油分布范围的预测提供了一种有效的手段，因而在当前和今后非常规油气勘探领域内有着巨大的指导价值和广阔的应用前景。
致密原油充注孔喉下限确定方法

[外观设计]包装袋-CN202130848327.5有效
发明人：陈卉卉;李兴;吴文毅;方欣欣;卢利群;陈晶晶 -专利权人：宁波海通食品科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装袋。2.本外观设计产品的用途：用于包装炒饭的包装袋。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
装袋

[发明专利]一种提升冷冻华夫面团保质期内品质的方法-CN201910852663.9有效
发明人：张慜;孙卿;陈晶晶;陈移平;方欣欣;杨方银 -专利权人：宁波海通食品科技有限公司;江南大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A21D6/00 文献下载
摘要：一种提升冷冻华夫面团保质期内品质的方法，属于食品加工技术领域。本发明首先按照配方取料，然后在预拌粉中加入谷朊粉和/或黄原胶，经过配料、搅拌、分割整形、超声波联合静电场辅助速冻和冷藏制得冷冻华夫面团。本发明将谷朊粉、黄原胶等添加剂单独或者复合使用，对冷冻华夫面团冻藏品质具有提升作用。本发明所用谷朊粉、黄原胶等食品添加剂符合国家添加剂限量标准。本发明采用超声波联合静电场辅助速冻和冷藏制得冷冻华夫面团，改善冷冻华夫面团在冻藏过程中的品质，延长冷冻华夫面团的保质期，整个工艺操作简单易行，生产成本较低，适合工业化推广。
一种提升冷冻面团保质期品质方法

[实用新型]一种工程造价用预算工具箱-CN202122766876.5有效
发明人：孙娇娇;方欣欣 -专利权人：青岛正恒明信工程咨询有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： A45C5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及工具箱技术领域，具体公开了一种工程造价用预算工具箱，包括箱体，箱体顶部安装有拉链体，箱体外部固定安装有背带、底座和限位框体，限位框体内部镶嵌安装有绘图板，绘图板侧壁开设有通孔，绘图板顶部表面开设有凹槽，凹槽外部镶嵌安装有盖板，箱体外壁两侧均固定安装有限位块和夹环架，箱体外壁两侧均转动安装有支撑杆。本实用新型通过背带方便对箱体进行背运，随后转动支撑杆与限位块相接触，并且将绘图板的通孔与支撑杆外部镶嵌连接，绘图板与支撑杆形成一个稳定的临时绘图平台，有利于使用者在复杂地面环境下进行造价制图，并且绘图板表面设置的凹槽可存放绘图工具，方便绘图时进行拿取使用，提升绘图效率。
一种工程造价预算工具箱

[发明专利]近红外图像传感器及其制备方法-CN202110262139.3有效
发明人： 方欣欣;黄晓橹 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外图像传感器及其制备方法。该近红外图像传感器包括衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域，其中，光电二极管区域包括在衬底上形成的沟槽、以及位于沟槽的内壁上的U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。该制备方法包括：提供衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域；在衬底的光电二极管区域形成沟槽；在沟槽的内壁外延生长U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。近红外图像传感器中沟槽侧壁的第二材料层不止提高了正入射的近红外光的吸收，还有利于斜入射时在侧壁积累的光子的吸收，既减小了串扰又提高了近红外波段的量子效率。
红外图像传感器及其制备方法

[发明专利]一种冻藏菜椒中期出库解冻的协同失水控制方法-CN202111568163.6在审
发明人：张慜;冯天琳;陈晶晶;方欣欣;卢利群 -专利权人：宁波海通食品科技有限公司;江南大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： A23B7/045 文献下载
摘要：本发明公开了一种冻藏菜椒中期出库解冻的协同失水控制方法，属于果蔬保鲜贮藏技术领域。本发明以新鲜菜椒为原料，以0.04％结冷胶溶液混合卤料为浸泡液，将切条、漂烫后的菜椒丝在浸泡液中冷藏浸泡一小时再置于磁电耦合恒温箱中以‑20℃，10mT的条件冷冻储存，解冻时在磁电耦合恒温箱中以4℃，10mT的条件进行解冻，能够有效降低冻藏菜椒中期出库解冻时的失水率，且不会对产品的风味产生影响，还更好地保留了菜椒的营养物质。
一种冻藏菜椒中期出库解冻协同失水控制方法

[实用新型]一种工程造价用图纸存储装置-CN202122741597.3有效
发明人： 方欣欣;孙娇娇 -专利权人：青岛正恒明信工程咨询有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B65D25/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及工程造价技术领域，公开了一种工程造价用图纸存储装置，包括载板，所述载板顶部前后两侧均固定安装有滑轨，所述滑轨内左侧放置有若干组均匀阵列的滑块b，所述滑块b顶部固定安装有撑板，所述撑板右侧倾斜放置有活动板，且活动板顶端通过转动座与撑板转动连接，所述活动板上表面固定安装有透明盒，且透明盒上端为开口，所述撑板底部通过弹簧与活动板连接。本实用新型通过设置有弹簧和活动板，在非使用期间，使活动板和撑板聚拢在载板左侧，以免装置占用过多空间，在挑选指定文件时，可通过右移推板，使活动板和透明盒处于倾斜状态，供给工作人员察看文件表面文字，大大提升挑选效率，适合广泛推广与使用。
一种工程造价图纸存储装置

[发明专利]遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法-CN202110814987.0在审
发明人： 方欣欣 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法。本发明提供的图像传感器采用遮光结构，包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管位于所述衬底内部；存储器，所述存储器位于所述光电二极管之间；遮光结构，所述遮光结构包括位于光电二极管间纵向的滤光器以及位于光电二极管上方横向的遮光板；介质层，所述介质层位于所述滤光器的表面。本发明利用纵向的滤光器吸收到斜入射到存储器的光，横向的遮光板阻挡正入射的光，从而消除寄生光效应，提高光电二极管的灵敏度，进一步提高了图像传感器的灵敏度。
遮光结构图像传感器制备方法

[发明专利]遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法-CN202110814988.5在审
发明人： 方欣欣 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法。本发明提供了一种图像传感器，包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管位于所述衬底内部；介质层，所述介质层位于所述衬底内部并将所述光电二极管相隔开；存储器，所述存储器位于所述光电二极管之间；遮光结构，所述遮光结构包括位于光电二极管间纵向的反光板以及位于光电二极管上方横向的遮光板。本发明利用横向的遮光板阻止正入射及小角度入射光，利用纵向的反光板反射较大角度的斜入射光，由此来消除寄生光效应，降低图像传感器中寄生光对存储器的影响；反射回去的光可以被光电二极管吸收，从而进一步提高光电二极管的灵敏度。
遮光结构图像传感器制备方法

[发明专利]一种石油地质钻探岩屑清洗装置-CN202110659383.3在审
发明人：郭军;苑坤;王文彬;方欣欣;陈相霖;韩菲;李岩;董旭;高远 -专利权人：湖南省煤炭地质勘查院;中国地质调查局油气资源调查中心;中国地质科学院地质力学研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： E21B21/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种石油地质钻探岩屑清洗装置，涉及石油地质钻探技术领域，包括机架、搅拌桶、搅拌装置、电动机和抽水泵，搅拌桶设置于机架的内侧，搅拌桶的顶部一侧设置进料口，搅拌桶的底部设置出料口，搅拌装置设置于搅拌桶的内部，搅拌装置包括动力杆、搅拌轴和搅拌叶，搅拌叶由搅拌轴固定在动力杆上，动力杆为上下开口的空心管，动力杆的顶端通过进水管连接抽水泵，动力杆的底端设置出水孔，抽水泵经由进水管和动力杆向搅拌桶内供水；动力杆由电动机驱动旋转，带动搅拌叶转动；本发明中的石油地质钻探岩屑清洗装置，能够实现岩屑的自动化清洗，具有对岩屑的清洗效果好，省力、省时、高效、环保的优点。
一种石油地质钻探岩屑清洗装置

[发明专利]一种图像传感器及照相机-CN202110286763.7在审
发明人： 方欣欣;黄晓橹 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及照相机，其中，图像传感器包括多个光电二极管单元；该光电二极管单元包括：光电二极管和预设层；其中预设层的禁带宽度小于预定阈值；预设层设置于该光电二极管上方；该光电二极管单元两侧设置有背面深沟道隔离层；背面深沟道隔离层上方设置有金属层；通过背面深沟道隔离层连接的多个光电二极管单元的上方设置有介质层；该介质层上方设置有微透镜。通过本发明解决了现有技术中难以进一步提升NIR波段的吸收效率的问题。在本发明中锗硅工艺与现有的硅基工艺兼容，使得锗硅层在制备上不存在难点，并且锗硅层中锗的配比可以调节，进而调节锗硅层的禁带宽度，使得NIR的吸收效率更高，进而显著增强NIR波段的量子效率。
一种图像传感器照相机

[发明专利]一种锅贴皮微波加热后防硬化的复合方法-CN202011361794.6在审
发明人：张慜;刘文超;陈晶晶;方欣欣;陈移平 -专利权人：宁波海通食品科技有限公司;江南大学;宁波海通日润食品有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： A21D13/31 文献下载
摘要：一种锅贴皮微波加热后防硬化的复合方法，属于食品加工技术领域。本发明在高筋小麦粉中加入包括结冷胶、复合磷酸盐，按照配方制备锅贴，经程序降温冷冻后的冻结锅贴再经多级微波复热，得到锅贴皮微波加热后防硬化的微波复热锅贴。本发明所得锅贴口感酥脆，较传统锅贴煎制方法节约50%以上熟制时间，改善了一般微波复热锅贴的不良坚硬口感；使用的添加剂用量符合国内外食品添加剂的使用要求。本发明所述的方法是一种操作简单易行，生产成本较低，适合工业化推广的方法。
一种锅贴微波加热后防硬化复合方法

[发明专利]衬底掺杂结构及其形成方法-CN201810420939.1有效
发明人：许文山;方欣欣 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底掺杂结构及其形成方法，包括：提供衬底，包括隔离区域和第一掺杂阱区域；在衬底表面形成暴露出所述隔离区域以及所述第一掺杂阱区域的第一图形化掩膜层；以第一图形化掩膜层为掩膜，对衬底进行场注入，在所述隔离区域内以及第一掺杂阱区域内同时形成场掺杂区；以所述第一图形化掩膜层为掩膜，对衬底进行第一掺杂离子注入，在所述隔离区域内以及第一掺杂阱区域内同时形成第一掺杂区；在衬底表面形成暴露出第一掺杂阱区域的第二图形化掩膜层；以第二图形化掩膜层为掩膜，对衬底进行第二离子注入，在第一掺杂阱区域内形成第二掺杂区，第一掺杂区位于所述第二掺杂区内。上述方法能够提高器件性能，且无需增加光罩的数量。
衬底掺杂结构及其形成方法

[发明专利]一种制造光电二极管的方法以及相应光电二极管-CN201910432737.3有效
发明人： 方欣欣;夏春秋;柯天麒 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：提供p型衬底并对其第一侧进行注入以形成n型注入区；通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分；在p型衬底的第二侧形成绝缘层；刻蚀绝缘层以形成背侧深沟槽、以及背侧深沟槽绝缘体；在背侧深沟槽中进行外延生长以形成p型硅外延层；对p型硅外延层进行各向异性刻蚀以除去背侧深沟槽的底部处的p型硅外延层；以及在背侧深沟槽中进行外延生长以形成n型硅外延层。通过本发明，可避免高能注入并提高光电二极管的良品率和性能。
一种制造光电二极管方法以及相应

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