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[发明专利]一种图像传感器-CN202011117358.4有效
发明人：旷章曲;保罗·维克伯特;刘志碧;陈杰 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H04N25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形传感器，至少包含子图像单元阵列、外围数字模块和参考电压产生器等组件，子图像单元阵列由子图像单元排列成阵列构成；子图像单元由子像素阵列和非像素模块组成；非像素模块至少包含像素信号读取电路、模数转换器、子图像单元数字模块。利用传统图像传感器非有效成像区域，把传统固态图像传感器中部分非像素电路放在像素阵列中非有效成像正方形区域，提高图像传感器的面积利用率；或利用像素阵列中非有效成像区域增加图像传感器功能。
一种图像传感器

[发明专利]一种光学指纹传感器的封装方法-CN201711122326.1有效
发明人：马建斌;李文杰;旷章曲 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学指纹传感器的封装方法，在光学指纹传感器的受光面直接镀一层用于阻隔红外线的薄膜。省去玻璃，在光学指纹传感器表面直接镀IR CUT膜，提高了光学指纹传感器的透光性，减少了光学指纹传感器的厚度。
一种光学指纹传感器封装方法

[发明专利]一种基于屏下式光学指纹传感器的快速测光实现方法-CN201810064997.5有效
发明人：王凯 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于屏下式光学指纹传感器的快速测光实现方法，包括：通过触摸屏幕反馈的手指按压区域来确定需要测光的区域；在需要测光的区域处的感光阵列中抽取一些测光样本先进行曝光，通过曝光后像素的亮度值来确定曝光是否正确。该方法只需要一些测光样本就可以判断曝光是否正确，而且可以排除手指不覆盖区域的环境光干扰，测光的速度和精准度都有所提高。
一种基于屏下式光学指纹传感器快速测光实现方法

[发明专利]一种模拟增强图像对比度的方法-CN201811622225.5有效
发明人：李文杰;旷章曲 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟增强图像对比度的方法，包括：利用Ramp产生器输出划分区域的Ramp信号，采用模拟电路增加对比度的方式，通过区域划分调节及相应的斜率调节，来实现对信号的放大和缩小；其中，实现对信号的放大包括：通过调节区域的划分和相应的斜率来实现关心信号区域的放大，通过斜率调节来实现非关心信号区域的缩小。该方法采用模拟电路增强对比度的方法，通过分区域调节模拟增益，来实现对信号的放大和缩小，由于该操作是在ADC量化前进行，因此不会损失精度，从而图像的分辨率更高。
一种模拟增强图像对比度方法

[发明专利]一种减小LDO浪涌电流的电路-CN202110554282.X在审
发明人：李文杰;旷章曲 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小LDO浪涌电流的电路，主要包括：LDO电路以及与LDO电路连接钳位电路；通过在整个电路结构中增加钳位电路，使得LDO电路上电时，vp电压会被钳位电路的输出电压vp_tmp钳住，无法下降到很低的电压，从而减小LDO输出电压vout的上升速度，进而减小了浪涌电流。
一种减小 ldo 浪涌电流电路

[发明专利]一种通过分步启动减小LDO浪涌电流的电路结构-CN202110554284.9在审
发明人：李文杰;旷章曲 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过分步启动减小LDO浪涌电流的电路结构，其通过分步开启调整管，在vout未达到目标电压时，只开启第一调整管M1，当vout上升到目标电压后，通过上电复位电路延迟开启输出端sw_c，通过上述分步操作后，在LDO上电开始工作阶段，只有第一调整管M1开启，第一调整管M1的尺寸远小于第二调整管M2的尺寸，因此电阻大，vout上升较慢，从而减小浪涌电流。
一种通过分步启动减小 ldo 浪涌电流电路结构

[发明专利]一种通过双LDO减小浪涌电流的电路-CN202110553171.7在审
发明人：李文杰;旷章曲 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过双LDO减小浪涌电流的电路，包括：两个LDO电路与上电复位电路；两个LDO电路的输出节点均连接所述上电复位电路；首先，启动第二LDO电路，当第二LDO电路的输出电压vout上升到目标电压后，通过POR电路，延迟一段时间开启第二LDO电路，并关闭第二LDO电路；其中，KM2KM1，KM1、KM2各自表示第一LDO电路中第一调整管M1、第二LDO电路中第二调整管M2的尺寸。该电路采用双LDO的启动操作，在上电开始工作阶段，只有LDO2开启，由于调整管M2的尺寸很小，因此电阻大，vout上升较慢，从而减小浪涌电流。
一种通过 ldo 减小浪涌电流电路

[发明专利]集成多光谱、高光谱膜的防伪光学指纹芯片-CN202011559392.7在审
发明人：尚大吉;郭必成;旷章曲;刘志碧;陈杰 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多光谱、高光谱膜的防伪光学指纹芯片，包括传感器阵列，所述传感器阵列的表面设有多光谱或高光谱薄膜；多光谱或高光谱薄膜为孔状、光栅状或者厚度变化状。可以通过小孔成像、光栅或者薄膜效应等原理识别不同波长反射光的强度，工艺加工难度低，并且节约成本，识别精确度高，节省芯片所需空间。
集成光谱防伪光学指纹芯片

[发明专利]一种用于CMOS图像传感器的低功耗列电路-CN201910682277.X有效
发明人：李文杰;旷章曲;陈杰;刘志碧 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的低功耗列电路，包括比较器与计数器，还包括：反馈控制电路以及相应的控制晶体管；所述控制晶体管的漏极接像素单元的输出信号，源极接偏置电流管；所述反馈控制电路的输入分别接比较器的输出和时序控制器的输出，生成的输出信号分别接控制晶体管的栅极与比较器的控制端，以分别控制像素单元的读出电路与比较器的偏置；当列电路量化结束后，利用反馈控制电路的输出信号关闭像素单元的读出电路与比较器。其利用反馈控制电路的输出来控制像素单元读出电路的偏置和比较器电路的偏置，当量化完成后，通过偏置控制关闭响应电路，从而达到降低功耗的目的。
一种用于 cmos 图像传感器功耗电路

[发明专利]使用屏下光学指纹识别芯片检测血氧浓度的方法-CN202011558857.7在审
发明人：尚大吉;郭必成;旷章曲;刘志碧;陈杰 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： A61B5/1455 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用屏下光学指纹识别芯片检测血氧浓度的方法，在屏幕下设有光学指纹识别芯片，将手指放在屏幕上方对应光学指纹识别芯片的位置，使用屏幕本身发光或者在屏幕下使用其它光源，实现血氧浓度测试；光学指纹识别芯片包括传感器阵列，传感器阵列的表面设有多光谱或高光谱薄膜；多光谱或高光谱薄膜为孔状、光栅状或者厚度变化状。体积小，使用方便，可以使用屏幕本身发光或者在屏幕下使用其它光源用于血氧浓度测试；成本低，增加芯片的多用途，光学指纹芯片既可以识别指纹也可以测试血氧浓度；操作简单，复合人体工程学。
使用光学指纹识别芯片检测浓度方法

[发明专利]一种应用于指纹识别的滤波方法-CN202011271337.8在审
发明人：张佳祎;程杰;王凯;刘志碧 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于指纹识别的滤波方法，包括以下步骤：步骤S1，根据所处理的指纹图像的空间频率选定M×M滤波器；步骤S2，根据选定的所述M×M滤波器的尺寸选定该滤波器的权重；步骤S3，根据所述M×M滤波器的尺寸选定该滤波器的卷积步进；步骤S4，用所述M×M滤波器按选定的权重和卷积步进对所述指纹图像进行滤波处理。该滤波方法能在指纹图像去噪处理同时对图像进行binning处理，保留指纹细节的同时可以尽量减少数据量，提高传输速度，由于进行binning处理具备抗锯齿功能，有效提高指纹识别的成功率；该方法在图像去噪处理时仅需要一至两行SRAM，占用空间少，成本低，特别适合CMOS图像传感器使用。
一种应用于指纹识别滤波方法

[发明专利]多窗口曝光控制方法-CN201811622224.0有效
发明人：王凯;程杰;刘志碧;陈杰 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明公开了一种多窗口曝光控制方法，包括：当需要从阵列的行列方向按照一定规律抠出阴影部分的小孔，并将一个小孔作为一个窗口，对每一个窗口的图像进行翻转时；计算有效曝光的行列数，再采用地址映射的方法，计算出有效曝光的行列的读地址和复位地址对应的实际地址，从而实现曝光与翻转控制。该方法可以实现通过曝光控制得到不连续的多窗口，并可以对每一个窗口进行翻转。
窗口曝光控制方法

[发明专利]一种用于CMOS图像传感器的RAMPADC-CN201710304552.5有效
发明人：旷章曲;陈杰;刘志碧 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的RAMP ADC，其包括：四输入端比较器(413)、计数器(412)和差分Ramp产生器；所述四输入端比较器(413)的第一输入端接像素输出信号Pix_Out，第二输入端接差分Ramp产生器的负输出端，第三输入端接差分Ramp产生器的正输出端，第四输入端接参考电平信号VREF；四输入端比较器(413)的输出端与计数器(412)连接。该方案可以有效消除外部对Ramp信号的干扰。
一种用于 cmos 图像传感器 rampadc

[发明专利]一种用于CMOS图像传感器的高速RAMPADC-CN201710304557.8有效
发明人：李文杰;旷章曲;陈杰;刘志碧 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的高速RAMP ADC，包括：三输入端比较器413、高位锁存器414、电平选择器404、计数器412和Ramp产生器415；所述高位锁存器414还与电平选择器404相连；所述三输入端比较器413分别与高位锁存器414、电平选择器404、计数器412和Ramp产生器415相连，通过三输入端比较器，比较像素输出信号(Pix_Out)与高位选择参考电平产生的电平和Ramp信号产生的电平之间差异，进而进行后续控制，该方法提供的高速RAMP ADC理论可缩短一半量化周期，从而提高帧率。
一种用于 cmos 图像传感器高速 rampadc

[发明专利]一种电源管脚的静电释放保护结构-CN201910734503.4在审
发明人：李文杰;旷章曲;陈杰 -专利权人： 北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源管脚的静电释放保护结构，用于由电源、电阻、电容和反相器连接而成的驱动ESD NMOS保护管的clamp结构的电源管脚中，该静电释放保护结构还包括：一个PMOS静电释放保护管，被保护的所述电源管脚通过所述PMOS静电释放保护管连接到IO环电源。通过加入了一个PMOS静电释放保护管将被保护的电源管脚连接到IO环电源，形成从被保护电源管脚到IO环电源和Ground两条静电释放路径，被保护的电源管脚上的静电可以从IO环电源和Ground两条路径释放，可以起到更好的静电保护作用。
电源管脚静电释放电源静电释放保护结构静电保护路径释放静电反相器管连接电容电阻驱动

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