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[发明专利]一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置-CN202310181094.6在审
发明人：李文杰;旷章曲;刘志碧 -专利权人：豪威科技（北京）股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04N23/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置，包括探测模块detectingpixel、开关电容放大器OPAMP、光变强检测模块、光变弱检测模块、逻辑模块，一个或多个探测模块设置在CMOS图像传感器阵列所划分的多个区域的中心位置；感知输出电压Vdet_out通过开关电容放大器进行放大处理；输出电压amp_out再连接至光变强检测模块和光变弱检测模块；光变强信号High_out和光变弱信号Low_out均连接至逻辑模块；当外部系统检测到唤醒信号wakeup为高电平时，立即进行唤醒CMOS图像传感器阵列的操作。上述唤醒装置功耗低，而且不需要大型的数据运算和存储单元，能有效提高唤醒效率。
一种嵌入 cmos 图像传感器阵列唤醒装置

[发明专利]一种图像传感器-CN202011117358.4有效
发明人： 旷章曲;保罗·维克伯特;刘志碧;陈杰 -专利权人：北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H04N25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形传感器，至少包含子图像单元阵列、外围数字模块和参考电压产生器等组件，子图像单元阵列由子图像单元排列成阵列构成；子图像单元由子像素阵列和非像素模块组成；非像素模块至少包含像素信号读取电路、模数转换器、子图像单元数字模块。利用传统图像传感器非有效成像区域，把传统固态图像传感器中部分非像素电路放在像素阵列中非有效成像正方形区域，提高图像传感器的面积利用率；或利用像素阵列中非有效成像区域增加图像传感器功能。
一种图像传感器

[发明专利]低PLS全局快门像素结构及其驱动时序控制方法-CN202110553168.5有效
发明人：龚雨琛;旷章曲;陈多金;王菁;伍建华;张帅;徐冰;刘志碧;陈杰 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04N25/626 文献下载
摘要：本发明公开了一种低PLS全局快门像素结构及其驱动时序控制方法，通过结构上的改进配合相应的驱动时序控制方案，可以在读出过程中消除曝光时的寄生电子，可有效提升全局像素快门效率。相比于传统全局快门像素结构，本发明可有效抑制像素PLS效应，且像素结构与工作时序简单，兼顾较大的填充因子与非一致性噪声抑制。
pls 全局快门像素结构及其驱动时序控制方法

[发明专利]一种降低随机电报信号的像素结构-CN202211625259.6在审
发明人：陈多金;旷章曲;刘志碧;陈杰;龚雨琛;张富生 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低随机电报信号的像素结构，包括光电二极管、传输管、悬浮节点、复位管、源跟随器、行选通管、电流源以及pixel输出；源跟随器和行选通管采用PMOS管；源跟随器和行选通管置于Pixel Nwell；pixel输出置于行选通管的源端。源跟随器106b采用空穴沟道，当沟道开启时，沟道俘获和释放空穴的效应弱于俘获和释放电子的效应。像素区的源跟随器SF和行选通管select管置于N阱中，SF正常工作时，沟道耗尽，空穴发生定向运动产生电流，与电子沟道相比，沟道俘获和释放空穴的几率远远低于俘获和释放电子的几率，有效的降低了因沟道硅氧界面俘获和释放载流子而产生的随机电报信号噪声。
一种降低随机电报信号像素结构

[发明专利]一种高灵敏度图像传感器像素结构-CN202211622952.8在审
发明人：陈多金;旷章曲;刘志碧;陈杰;龚雨琛;董建新 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度图像传感器像素结构，包括置于硅基底中的光电二极管、传输管、悬浮节点、复位管、源跟随器、行选通管以及电源，光电二极管采用三个纵向光电二极管，从上到下依次为蓝色像素光电二级管、绿色像素光电二极管、红色像素光电二极管。三个纵向光电二极管间采用P型阱隔离。不同深度的光电二极管采用不同能量的N型离子注入。不同深度的光电二极管收集不同波长的光信号。纵向PD与传统像素的平面PD相比，感光面积增大到原来的四倍，有效的提高了像素感光灵敏度。
一种灵敏度图像传感器像素结构

[发明专利]一种具有过冲抑制和自适应补偿的多种LDO输出电压电路-CN202211103733.9在审
发明人：王浩;李文杰;旷章曲 -专利权人：豪威集成电路（成都）有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有过冲抑制和自适应补偿的多种LDO输出电压电路，包括：不同基准电压产生模块、误差放大器、中间级、功率管、防过冲模块、自适应弥勒补偿模块、以及反馈网络。上述电路无外接片外电容和片内增加电容，因此，可以减小电路面积；在误差放大器与功率输出级之间由中间级进行连接，可以起到增大增益和提升驱动能力，以提高响应速度；通过防过冲模块在检测电流的同时还给中间级提供偏置电压，降低了静态功耗，并且能够对电路的输出端电压实现过冲抑制；通过自适应弥勒补偿模块进行自适应补偿，能够提高电路稳定性。
一种具有抑制自适应补偿多种 ldo 输出电压电路

[实用新型]一种具有过冲抑制和自适应补偿的多种LDO输出电压电路-CN202222402582.9有效
发明人：王浩;李文杰;旷章曲 -专利权人：豪威集成电路（成都）有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有过冲抑制和自适应补偿的多种LDO输出电压电路，包括：不同基准电压产生模块、误差放大器、中间级、功率管、防过冲模块、自适应弥勒补偿模块、以及反馈网络。上述电路无外接片外电容和片内增加电容，因此，可以减小电路面积；在误差放大器与功率输出级之间由中间级进行连接，可以起到增大增益和提升驱动能力，以提高响应速度；通过防过冲模块在检测电流的同时还给中间级提供偏置电压，降低了静态功耗，并且能够对电路的输出端电压实现过冲抑制；通过自适应弥勒补偿模块进行自适应补偿，能够提高电路稳定性。
一种具有抑制自适应补偿多种 ldo 输出电压电路

[发明专利]一种图像传感器结构及其制作方法和工作时序-CN202111579264.3在审
发明人：伍建华;陈杰;旷章曲;陈多金;王菁;龚雨琛;刘志碧;马士杰;程超 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法和工作时序，自像素中心向四周依次为复位晶体管源极、复位晶体管栅极、浮置扩散节点、第二转移晶体管栅极、氧化层隔离、第一转移晶体管栅极、深P阱；浮置扩散节点和复位晶体管源极设于复位晶体管栅极两侧硅的N+注入层中；第一转移晶体管栅极之下由浅到深依次为：浅P阱、次P阱、光电二极管；在第二转移晶体管栅极和复位晶体管栅极之下设有将浮置扩散节点和复位晶体管源极与光电二极管、浅P阱和次P阱隔离开的深P阱。第一转移晶体管为结型场效应晶体管，第二转移晶体管为CMOS晶体管。将结型场效应晶体管JEFT和CMOS的两种栅极同时应用在转移栅极之上，JEFT的栅极结构可以防止转移出的电子回流到PD中造成图像拖尾等噪声，既增大了像素面积而且每个像素都有单独的读出电路避免信号串扰。
一种图像传感器结构及其制作方法工作时序

[发明专利]一种高转换增益的图像传感器像素结构-CN202111579267.7在审
发明人：王菁;陈多金;陈杰;旷章曲;刘志碧;田晓川;程超 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种高转换增益的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管101、传输晶体管103、浮动扩散节点104、复位晶体管105、源跟随器晶体管107、行选通晶体管108、电源106以及pixel输出109；通过改变浮动扩散节点104与传输晶体管103和复位晶体管105之间的交叠电容，提高电荷电压转换因子，从而提高图像传感器的灵敏度：在浮动扩散节点104与所述传输晶体管103和复位晶体管105的交叠处分别设置复位晶体管浅沟道氧化层115和传输晶体管浅沟道氧化层116，并在周围设置浅沟槽隔离117。本发明通过减少浮动扩散节点与传输晶体管和复位晶体管之间的交叠电容提高电荷电压转换因子减小输入参考噪声，提高信噪比，实现高灵敏度的图像传感器。
一种转换增益图像传感器像素结构

[发明专利]一种高灵敏度的图像传感器像素结构-CN202111579268.1在审
发明人：王菁;旷章曲;陈多金;陈杰;刘志碧;张富生;付保利 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管(PD)、传输晶体管(TX)、浮动扩散节点(FD)、复位晶体管(RESET)、厚栅氧源跟随器晶体管(Thick Gate Oxide SF)、薄栅氧源跟随器晶体管(Thin Gate Oxide SF)，行选通晶体管(SELECT)、电源(VDD)以及pixel输出(VOUT)。通过使用双源跟随器晶体管‑厚栅氧源跟随器晶体管/薄栅氧源跟随器晶体管，替代传统单一源跟随器晶体管，在减少1/f噪声(flicker noise)的前提下，提高电荷电压转换因子(Conversion Gain；C.G.)从而提高图像传感器的灵敏度(Sensitivity)。
一种灵敏度图像传感器像素结构

[发明专利]一种高动态像素结构-CN202111533033.9在审
发明人：陈多金;旷章曲;王菁;龚雨琛;陈杰;徐景星;衷世雄 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种高动态像素结构，至少包括置于半导体基体中的光电二极管(PD)、传输管(TX)、悬浮节点(FD)、复位管(RESET)、源跟随器(SF)、行选通管(SELECT)、电源(VDD)以及pixel输出(VOUT)。FD包含三个不同面积、不同离子注入浓度的区域。通过对FD面积的控制，形成可变的FD电容和FD转换增益,通过对掺杂浓度的控制形成电势梯度。弱光下，高电势的FD1起作用，FD1对应高转换增益，能够把少量的电子转换为较强的电压信号，避免了因为光照弱而无法量化光电信号的问题。强光下，FD1、FD2和FD3同时起作用，其转换增益较小，FD能够收集很多的光电子，避免了强光下FD过早饱和的问题，有效的拓展了光强范围，从而扩展了像素的动态范围。
一种动态像素结构

[发明专利]一种低噪声图像传感器-CN202111533034.3在审
发明人：王菁;旷章曲;陈多金;陈杰;刘志碧;衷世雄;张富生 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声图像传感器，将像素单元分别制作于两片圆晶上，形成三片圆晶堆叠的背照式图像传感器，由上而下分别为光电二极管圆晶、像素控制圆晶和逻辑控制圆晶。将光电二极管(PD)、传输栅晶体管(M1)、浮置扩散节点(FD1)制成于独立的光电二极管圆晶上，将复位晶体管(M2)、源跟随器晶体管(M3)、行选择晶体管(M4)制成于另一片像素控制圆晶上，并通过铜‑铜互连将浮置扩散节点(FD1)与源跟随器晶体管(M3)的栅极相连。将传统的平面像素单元改进为三维像素单元，在保持光电二极管面积不变的同时，缩小每个像素单元的尺寸，并增加源跟随器晶体管的尺寸(W/L)。
一种噪声图像传感器

[发明专利]一种像素电荷转移效率测试结构与时序-CN202111534022.2在审
发明人：龚雨琛;陈杰;旷章曲;陈多金;王菁;董建新;高峰 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素电荷转移效率测试结构，像素在p型衬底100的基础上，用N型离子注入形成PPD101感光区域，用于减小暗电流噪声的p+掺杂104位于PPD表面；N型掺杂的浮置扩散节点FD105和存储节点SD103分别位于一个P阱102中。第一传输栅107栅极接TG1信号，源极为PPD，漏极为FD节点；第二传输栅108栅极接TG2信号，源极为PPD；第二传输栅108堆叠在第三传输栅109上方。第二传输栅108与PPD101的交叠大于第一传输栅107与PPD101的交叠程度，第三传输栅109与SD节点103的交叠程度大于第一传输栅107与FD节点105的交叠程度。通过在测试像素中额外引入更益于传输的结构，增加的堆叠栅极与存储节点结构的设计无需过于拘束于转换增益的限制用于转移拖尾电子，以更为客观准确地评估像素的电荷转移效率。
一种像素电荷转移效率测试结构时序

[发明专利]一种低噪声高灵敏度近红外图像传感器-CN202111534014.8在审
发明人：龚雨琛;陈多金;旷章曲;陈杰;刘志碧;王菁;高峰;董建新 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声高灵敏度近红外图像传感器，图像传感器像素基于硅材料106制备，像素背面最顶层为像素的微透镜100，其下方为光学平坦层101，平坦层下方为红光滤光片102，红光滤光片102两侧为像素间的金属网格103，红光滤光片102下方为氧化层104；像素两侧沟槽为深沟槽隔离结构105，像素感光区域的N型区域109位于像素正面中心，感光区域的耗尽区110向像素背面方向延伸，像素背面设置多道不同深度的BST结构107。BST结构107的深度根据耗尽区110边界设计，并在BST沟槽刻蚀完成后，增加一道浅p型重离子注入。适用于大尺寸像素的高灵敏度低噪声BST像素结构，在周期性BST结构增强像素灵敏度的基础上，通过变化的BST深度和BST沟槽的p型离子注入，减小像素暗电流噪声。
一种噪声灵敏度红外图像传感器

[发明专利]一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片-CN202111246152.6在审
发明人：李小亮;李文杰;旷章曲 -专利权人：豪威科技（北京）股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GGNMOS的ESD保护电路及电子芯片，保护电路包含至少一个GGNMOS，各GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区仅直接电性连接至GNDIO，使该GGNMOS内部的竖向寄生三极管与横向寄生三极管并联连接后共同形成IO至GNDIO的放电路径。通过将GGNMOS内部形成竖向寄生三极管的Nwell区直接电性连接至GNDIO，不再与VDDIO连接，避免了竖向寄生三极管向VDDIO形成放电路径，不会影响横向寄生三极管的放电不均匀性，放电电流都要经过GNDIO路径到VDDIO，降低了横向寄生三极管的开启电压Vt1，即以相对简单的方式，很大程度消除了GGNMOS固有的导通不均匀特征，提升了该ESD保护电路的静电保护效果。
一种基于 ggnmos esd 保护电路电子芯片

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