[发明专利]金刚石的制备装置及制备方法在审
| 申请号： | 201910114769.9 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109825876A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 卢泽 | 申请（专利权）人： | 北京沃尔德金刚石工具股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/04;C01B32/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100018 北京市朝阳区酒仙桥*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金刚石的制备装置及制备方法。该制备装置包括：石墨乳涂抹单元和金刚石制备单元。石墨乳涂抹单元用于在籽晶托表面涂抹石墨乳，石墨乳涂抹单元设置有籽晶托入口；及金刚石制备单元用于对放置在涂抹有石墨乳的籽晶托上的金刚石籽晶进行等离子体刻蚀，并金刚石籽晶生长，以制备金刚石。采用上述方法制备金刚石一方面能够有效控制单晶金刚石籽晶的温度，使金刚石籽晶温度稳定在一定范围内；另一方面还能够降低金刚石籽晶表面出现石墨亮点的几率，使生长过程中等离子体浓度分布均匀，进而提高制得的金刚石的品质。此外采用上述方法制备金刚石还有利于使籽晶托上生长的多晶金刚石快速脱落，降低残留量。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 制备 石墨乳 金刚石籽晶 籽晶托 涂抹 制备装置 等离子体刻蚀 单晶金刚石 中等离子体 表面涂抹 单元设置 浓度分布 生长过程 温度稳定 有效控制 残留量 生长 石墨 多晶 籽晶 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石的制备装置，其特征在于，所述制备装置包括：石墨乳涂抹单元(10)，用于在籽晶托表面涂抹石墨乳，所述石墨乳涂抹单元(10)设置有籽晶托入口；及金刚石制备单元(20)，所述金刚石制备单元(20)用于对放置在涂抹有所述石墨乳的籽晶托上的金刚石籽晶进行等离子体刻蚀，并金刚石籽晶生长，以制备所述金刚石。
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- D·J·台特申;S·L·乔赫甘;N·珀金斯 - 六号元素有限公司
- 2010-06-25 - 2018-03-30 - C30B25/02
- 描述了制备鲜艳橙色的合成CVD金刚石材料的方法。该方法包括辐照已经由CVD生长的单晶金刚石材料从而将孤立空位引入至少一部分的CVD金刚石材料中，并且随后退火该辐照的金刚石材料，从而由至少一些所引入的孤立空位形成空位链。还描述了鲜艳橙色的CVD金刚石材料。
- 晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置-201310741406.0
- 大部智行;宫原孝广;永田朋幸 - 东京毅力科创株式会社
- 2013-12-27 - 2018-03-27 - C30B25/02
- 本发明提供一种晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备下述工序（1）将基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成第一晶种层；以及（2）将基底加热，在加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有第一晶种层的基底表面上形成第二晶种层，将前述（1）工序中的处理温度设为不足400℃且前述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在前述基底表面上的温度以上，将前述（2）工序中的处理温度设为不足400℃且前述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有前述第一晶种层的前述基底表面上的温度以上。
- 在单晶硅上生长外延3C‑SiC-201680042627.0
- M·米罗诺夫;G·科尔斯顿;S·黑德 - 华威大学
- 2016-07-22 - 2018-03-27 - C30B25/02
- 公开了一种用于在单晶硅上生长外延3C‑SiC的方法。该方法包括在冷壁化学气相沉积反应器(7)中提供单晶硅基板(2)，将基板加热到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的温度，当基板处于所述温度时，将气体混合物(41)引入反应器中，所述气体混合物包括硅源前体(16)、碳源前体(18)和载气(24)，以在单晶硅上沉积3C‑SiC的外延层(图1；4)。
- 一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法-201510287364.7
- 王文林;高航;李杨;李明达 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 2015-05-29 - 2018-01-12 - C30B25/02
- 本发明涉及一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法,采用常压平板式外延炉,步骤包括，（1）利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行抛光；（2）向外延炉内装掺磷硅衬底片，依次用纯度均≥99.999%的氮气和氢气吹扫外延炉腔体；（3）利用氯化氢气体对硅衬底片表面进行抛光；（4）采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫；（5）进行本征外延层的生长；（6）对外延炉反应腔室进行变流量吹扫；（7）进行掺杂外延层的生长。有益效果是外延层为厚度不均匀性<1%，电阻率不均匀性<1%，表面无层错、位错、滑移线、雾等缺陷，最佳条件下过渡区宽度可小于1 um，完全满足肖特基器件对硅外延层的要求，提高了肖特基器件的性能和良率。
- 高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备-201720309710.1
- 李占成;伍俊;史浩飞;李昕;黄德萍;段银武;张永娜;余杰 - 重庆墨希科技有限公司
- 2017-03-27 - 2018-01-09 - C30B25/02
- 本实用新型公开了一种减小重力作用对石墨烯成型质量影响的高温工艺腔竖向布置的石墨烯连续生长设备。该石墨烯连续生长设备，包括用于放料冷却腔和收料冷却腔抽真空的真空泵、放料冷却腔、收料冷却腔、过渡腔以及均竖向设置的第一高温工艺腔、第二高温工艺腔；所述第一高温工艺腔的两端和第二高温工艺腔的两端均设置有匀流隔热装置；所述第一高温工艺腔和第二高温工艺腔上均设置有加热器；石墨烯生长基底放料辊上放料石墨烯生长基底依次经过放料冷却区导向辊、第一高温工艺腔、过渡腔、第二高温工艺腔、收料冷却腔导向辊最终卷收到石墨烯基底收料辊上。采用该石墨烯连续生长设备能够减小重力对产品质量的影响，保证石墨烯薄膜最终品质，提高生产效率。
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