[实用新型]金刚石的制备装置有效
| 申请号： | 201920197092.5 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN209741306U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 卢泽 | 申请（专利权）人： | 廊坊西波尔钻石技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00;C30B25/18 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 韩建伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 065300 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种金刚石的制备装置。该制备装置包括：石墨乳涂抹单元和金刚石制备单元。石墨乳涂抹单元用于在籽晶托表面涂抹石墨乳，石墨乳涂抹单元设置有籽晶托入口；及金刚石制备单元用于对放置在涂抹有石墨乳的籽晶托上的金刚石籽晶进行等离子体刻蚀，并金刚石籽晶生长，以制备金刚石。采用上述方法制备金刚石一方面能够有效控制单晶金刚石籽晶的温度，使金刚石籽晶温度稳定在一定范围内；另一方面还能够降低金刚石籽晶表面出现石墨亮点的几率，使生长过程中等离子体浓度分布均匀，进而提高制得的金刚石的品质。此外采用上述方法制备金刚石还有利于使籽晶托上生长的多晶金刚石快速脱落，降低残留量。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 石墨乳 制备 金刚石籽晶 籽晶托 涂抹 制备装置 等离子体刻蚀 本实用新型 单晶金刚石 中等离子体 表面涂抹 单元设置 浓度分布 生长过程 温度稳定 有效控制 残留量 生长 石墨 多晶 籽晶 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石的制备装置，其特征在于，所述制备装置包括：/n石墨乳涂抹单元(10)，用于在籽晶托表面涂抹石墨乳，所述石墨乳涂抹单元(10)设置有籽晶托入口；及/n金刚石制备单元(20)，所述金刚石制备单元(20)用于对放置在涂抹有所述石墨乳的籽晶托上的金刚石籽晶进行等离子体刻蚀，并金刚石籽晶生长，以制备所述金刚石。/n
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