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[发明专利]调控硅酸钛钡晶体相变温度和压电性能的方法及剪切式振动传感器-CN202111044485.0有效
发明人：于法鹏;姜超;李妍璐;孙丽;赵显 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控硅酸钛钡晶体相变温度和压电性能的方法及剪切式振动传感器。方法包括如下步骤：硅酸钛锶钡的通式为Ba2‑xSrxTiSi2O8，其中，0.1x1.0，按该通式中的化学计量比配料，制备多晶料；将多晶料融化，加入籽晶生长晶体，所述籽晶为硅酸钛钡籽晶，籽晶方向应为Z方向，将生长得到的晶体退火，获得硅酸钛锶钡晶体。制备得到的锶掺杂硅酸钛钡晶体的介电和压电性能及其温度稳定性相较于未掺杂的硅酸钛钡晶体有了较大提升，利用硅酸钛锶钡晶体制备的剪切式振动传感器，压电灵敏度在室温至600℃范围内具有优异的温度稳定性。
调控硅酸晶体相变温度压电性能方法剪切振动传感器

[实用新型]一种微小型超高温压电振动加速度传感器-CN202021110946.0有效
发明人：于法鹏;刘学良;房浩然;杨勇;马庆宇;赵显 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司;山东大学
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微小型超高温压电振动加速度传感器，属于电子材料与器件技术领域，包括安装底座、装配基面、压电模块和外壳；压电模块包括多片压电晶片和两个质量块，压片晶片为剪切式RECOB晶片，RECOB晶片的化学式为RECa4O(BO3)3(RE为Y和稀土元素)；外壳为一端开口的矩形壳体，与安装底座固定连接形成传感器的密封内腔；安装底座上还设置有通孔，通孔内安装有用于信号传输的双屏蔽高温铠装电缆。本实用新型体积较小，结构简单稳定，低介电损耗、热释电小、温度漂移小于5％，且该传感器耐温高达1000℃，并可在高达1000℃的极端环境下长时间服役。
一种微小超高温压电振动加速度传感器

[实用新型]一种简易的耐高温差分式连接器-CN202021578287.3有效
发明人：于法鹏;刘学良;房浩然;杨勇;赵显 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司;山东大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种简易的耐高温差分式连接器，属于电气传输技术领域，包括连接外壳、陶瓷基座、陶瓷盖板、插针、护套、尾罩和双芯铠装电缆，其中，护套、尾罩和连接外壳的材质均为Inconel600合金，陶瓷盖板和陶瓷基座的材质均为高纯氧化铝陶瓷。本实用新型采用过盈配合的方式来组装插针和绝缘陶瓷，插针的材料为可伐合金，该合金材料在高温下，其热膨胀系数与高纯氧化铝陶瓷的热膨胀系数基本一致，且都为线性，可以确保在高温下连接器的气密性；本实用新型采用在高温下阻抗高，膨胀系数为线性的高纯氧化铝陶瓷作为绝缘材料，耐温高达1000℃，并可在高达600℃的极端环境下长时间服役。
一种简易耐高温分式连接器

[发明专利]一种简易的耐高温差分式连接器及装配方法-CN202010766382.4在审
发明人：于法鹏;刘学良;房浩然;杨勇;赵显 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司;山东大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种简易的耐高温差分式连接器及装配方法，属于电气传输技术领域，包括连接外壳、陶瓷基座、陶瓷盖板、插针、护套、尾罩和双芯铠装电缆，其中，护套、尾罩和连接外壳的材质均为Inconel600合金，陶瓷盖板和陶瓷基座的材质均为高纯氧化铝陶瓷。本发明采用过盈配合的方式来组装插针和绝缘陶瓷，插针的材料为可伐合金，该合金材料在高温下，其热膨胀系数与高纯氧化铝陶瓷的热膨胀系数基本一致，且都为线性，可以确保在高温下连接器的气密性；本发明采用在高温下阻抗高，膨胀系数为线性的高纯氧化铝陶瓷作为绝缘材料，耐温高达1000℃，并可在高达600℃的极端环境下长时间服役。
一种简易耐高温分式连接器装配方法

[发明专利]一种微小型超高温压电振动加速度传感器及其装配方法-CN202010547527.1在审
发明人：于法鹏;刘学良;房浩然;杨勇;马庆宇;赵显 -专利权人：山东大学;山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种微小型超高温压电振动加速度传感器及其装配方法，属于电子材料与器件领域，包括安装底座、装配基面、压电模块和外壳；压电模块包括多片压电晶片和两个质量块，压片晶片为剪切式RECOB晶片，RECOB晶片的化学式为RECa4O(BO3)3(RE为Y和稀土元素)；外壳为一端开口的矩形壳体，与安装底座固定连接形成传感器的密封内腔；安装底座上还设置有通孔，通孔内安装有用于信号传输的双屏蔽高温铠装电缆。本发明体积较小，结构简单稳定，低介电损耗、热释电小、温度漂移小于5％，且该传感器耐温高达1000℃，并可在高达1000℃的极端环境下长时间服役。
一种微小超高温压电振动加速度传感器及其装配方法

[发明专利]一种高温压电振动传感器-CN201611236683.6有效
发明人：于法鹏;田世伟;马庆宇;张树君;李妍璐;程秀凤;段秀兰;陈菲菲;王正平;赵显 -专利权人：山东大学;山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01H11/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温压电振动传感器，包括：底座；外壳，底座上连接外壳，形成压电振动传感器的密封内腔；固定在底座上的陶瓷棒；依次套放在陶瓷棒上的多片压电晶片、金属块、绝缘片、穿有高温引线的预紧件；两路电极线，放置在压电晶片之间；压电晶片为(XYw/45°)切YGdCOB晶片。(XYw/45°)切YGdCOB晶片的有效压电常数为～5pC/N，室温到1000℃范围，压电常数变化率低于5％，加工平整度误差小于0.02mm，具有特别优异的高温压电性能及温度稳定性，使得压电振动传感器耐高温高达600℃以上。
压电振动传感器底座压电常数压电晶片陶瓷棒晶片多片压电晶片温度稳定性高温引线连接外壳密封内腔压电性能变化率电极线金属块绝缘片耐高温平整度预紧件两路加工

[发明专利]一种利用金属辅助在6H/4H-SiC碳面上外延生长石墨烯的方法-CN201610975425.3有效
发明人：于法鹏;杨志远;马庆宇;张晶;孙丽;陈秀芳;徐现刚;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学;山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用金属辅助在6H/4H‑SiC碳面上外延生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，生成极少量的以C原子为中心的成核位点，在到达成核点温度后，以金属薄膜为催化剂吸收多余的C原子，促进实现SiC晶片自身内部碳源处于合适的浓度，生长出质量优异的石墨烯，该方法不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且解决了在碳面上生长石墨烯的层数很难控制的问题，能够得到质量更好的石墨烯。
石墨烯金属辅助外延生长高温加热金属薄膜成核点生长成核位点催化剂分裂吸收

[发明专利]一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法-CN201610975636.7有效
发明人：于法鹏;张晶;杨志远;马庆宇;孙丽;陈秀芳;徐现刚;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学;山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上通过点籽晶定位生长大尺寸单晶石墨烯的方法，包括步骤如下：(1)将SiC进行抛光、清洗后，置于生长炉中，抽真空，升温至1200～1300℃；通入氩气和氢气，升温至1500℃～1600℃，进行氢刻蚀；刻蚀后，关闭氢气，降温至1400～1500℃，保温；氩气氛围降温至800℃～1100℃，将微细导热探针放在SiC衬底上，形成局部过冷点；通入碳源气体和氢气，碳源气体分解后的活性碳源在过冷点处优先生长为石墨烯籽晶；(2)在800℃～1100℃，800～900mbar；碳源气体的供应下，石墨烯以SiC衬底上的籽晶为中心不断长大，得大尺寸单晶石墨烯；(3)生长结束后，通入氩气，降温，即得。本发明不依赖于金属衬底，无需对生长得到的大尺寸单晶石墨烯进行转移，可以直接应用到微电子器件。
一种 sic 衬底通过籽晶定位生长尺寸晶石方法

[发明专利]一种在6H/4H-SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合方式生长石墨烯的方法-CN201610975637.1有效
发明人：于法鹏;杨志远;马庆宇;孙丽;张晶;陈秀芳;徐现刚;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学;山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种在6H/4H‑SiC硅面上用金属辅助内外碳源结合法生长石墨烯的方法，该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解，然后急剧降温至CVD工艺的生长温度，通过金属通道引入外部碳源并在SiC表面继续生长石墨烯，利用SiC内部碳源和外部气体碳源的协同作用制备大尺寸高品质石墨烯单晶。不仅可以避免CVD方法转移过程中对石墨烯的破坏而且减弱了衬底缓冲层的影响，能够得到质量更好的石墨烯。
石墨烯生长金属辅助高温加热结合方式金属通道外部气体外部碳源高品质缓冲层衬底单晶制备分裂引入

[发明专利]一种掺杂缩合阻燃石墨烯聚合物材料的制备方法-CN201710187497.6有效
发明人：杨冰雪;于法鹏;杨志远;马庆宇 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂缩合阻燃石墨烯聚合物材料的制备方法，本发明加入的石墨烯可以在聚合物基体表面形成一层致密的保护炭层，该炭层可以隔绝热量、气体，使得热分解产生的可燃性气体不再参与燃烧，从而提高了成品的阻燃性能，本发明还引入了四羟甲基氯化磷来改性聚酯单体，四羟甲基氯化磷为一种有机阻燃添加剂，进一步提高了成品的阻燃性能。
一种掺杂缩合阻燃石墨聚合物材料制备方法

[发明专利]一种硅磷协同阻燃石墨烯聚合物材料的制备方法-CN201710187796.X有效
发明人：杨冰雪;于法鹏;杨志远;马庆宇 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅磷协同阻燃石墨烯聚合物材料的制备方法，本发明加入的磷酸酯在燃烧时可以通过脱水催化成碳，对碳层下面的材料起到隔热、隔氧的作用，使得聚合物的表面形成坚固的保护型炭层，而硅填料、石墨烯在燃烧过程中向聚合物炭层表而富集并起到了一定的炭层增强作用，炭渣具有一定的坚固性，展现出致密且完整的炭层，起到了很好的阻燃防火性能。
一种协同阻燃石墨聚合物材料制备方法

[发明专利]一种改性石墨烯催化氧化处理福美双废水的方法-CN201710198755.0有效
发明人：赵兴亚;杨志远;于法鹏;杨冰雪 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本发明属于废水处理技术领域，具体涉及一种改性石墨烯催化氧化处理福美双废水的方法。本发明采取氯化锰、钨酸钠对石墨烯进行改性得纳米级改性石墨烯，然后将改性后的纳米级石墨烯作为催化剂用于催化氧化处理福美双生产废水，可有效降低废水中的氨氮含量；催化剂可回收套用，并且可以通过简单的高温煅烧进行活化。
一种改性石墨催化氧化处理福美双废水方法

[发明专利]一种有机金属配合物晶体的制备方法与用途-CN201710230593.4有效
发明人：杨冰雪;杨志远;于法鹏 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明属于植物保护技术领域，具体涉及一种有机金属配合物晶体的制备方法与用途，本发明以2,2'‑双(邻氯苯基)‑4,4',5,5'‑四苯基‑1,2'‑双咪唑、甘氨酸和乙酰丙酮金属盐为主要原料制备出有机金属配合物晶体，所述有机金属配合物晶体具有防治农作物病害的作用，尤其是用于防治番茄灰霉病菌、烟草炭疽病菌、棉花枯萎病菌、苹果轮纹病菌、玉米小班病菌。
一种有机金属配合晶体制备方法用途

[发明专利]一种杂多酸晶体的制备方法与用途-CN201710226079.3有效
发明人：赵兴亚;杨志远;于法鹏;杨冰雪 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2017-04-08 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明属于有机催化技术领域，具体涉及一种杂多酸晶体的制备方法与用途，本发明以Na2WO4.2H2O、NaVO3.2H2O、磷酸氢二钠、醋酸锰和苄基三正丁基氯化铵为原料制备出杂多酸晶体；以杂多酸晶体作为催化剂，催化制备哮喘药物维兰特罗三苯乙酸盐中间体，解决了现有工艺中采用强碱的缺点，减轻了环保压力，工艺路线绿色环保，符合现有工业生产的要求。
一种杂多晶体制备方法用途

[发明专利]一种石墨烯负载量子点催化降解烯酰吗啉含酚废水的方法-CN201710221810.3有效
发明人：赵兴亚;杨志远;于法鹏;杨冰雪 -专利权人： 山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本发明属于污水处理技术领域，具体涉及一种石墨烯负载量子点催化降解烯酰吗啉含酚废水的方法，本发明以自制石墨烯负载量子点为催化剂，以双氧水为氧化剂，对烯酰吗啉含酚废水进行氧化，邻苯二酚的氧化降解率达到99%以上。本发明催化剂形貌尺寸为纳米级别，纳米级的结构利于提高催化氧化的速率，缩短氧化降解的生产周期；而且本发明催化剂可针对酚类物质具有普适的催化降解效果。
一种石墨负载量子催化降解烯酰吗啉含酚废水方法

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