专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种金刚籽晶信息测量方法及相关设备-CN202211187019.2有效
  • 顾亚骏;蒋礼;全峰 - 深圳优普莱等离子体技术有限公司
  • 2022-09-28 - 2022-12-20 - G01J5/48
  • 本发明公开了一种金刚籽晶信息测量方法及相关设备,获取红外摄像头拍摄金刚籽晶晶体的红外光图片,确定各个金刚籽晶的位置,并得到红外摄像头测得目标金刚籽晶的温度;读取金刚籽晶生长的相关工艺参数、目标金刚籽晶的温度以及目标金刚籽晶对应点的RGB值,根据参数曲线方程计算除开目标金刚籽晶外每片金刚籽晶中心区域的金刚籽晶温度,并与临界值进行对比,当出现金刚籽晶温度异常时,发送告警提醒给用户终端;将数据保存到数据库,并统计分析数据后生成金刚籽晶信息统计图本发明对多个金刚籽晶进行温度测量,实现了高效率测温,并根据测量的温度及时掌握每个金刚籽晶的温度情况,有利于高品质金刚的生长。
  • 一种金刚石籽晶信息测量方法相关设备
  • [发明专利]一种金刚生长方法-CN202111633010.5在审
  • 王新强;王忠强;刘南柳;陶仁春;王琦;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
  • 2021-12-28 - 2022-04-12 - C30B25/00
  • 本申请公开了一种金刚生长方法,所述生长方法包括如下步骤:S1、选取金刚籽晶,S2、选取陪料,S3、金刚籽晶转移,S4、抽真空,S5、金刚生长,S6、取出金刚成品。本申请中陪料包围金刚籽晶金刚籽晶有一部分露出陪料,陪料的导热率比金刚低,陪料的存在能减少金刚生长面与非生长面之间的温差,避免金刚在生长过程中由于局部温差过大而产生应力或生长出多晶,陪料与金刚籽晶一起保持振动或转动,可以使得金刚籽晶的不同表面都有机会接触包含碳源的等离子体,便于金刚籽晶在三维方向连续生长。
  • 一种金刚石生长方法
  • [发明专利]制造合成单晶金刚材料的方法-CN201380022945.7有效
  • D·玻瑟;E·古拉;C·N·道吉;R·A·斯皮特斯 - 六号元素技术有限公司
  • 2013-03-13 - 2017-12-12 - B01J23/889
  • 一种制造多个合成单晶金刚的方法,该方法包括形成多个籽晶垫,每个籽晶垫包含锚固于或嵌入惰性支持物的多个单晶金刚籽晶;将碳源、金属催化剂和所述多个籽晶垫装入容器;将该容器装入高压高温(HPHT)压力机;和使该容器经受HPHT生长周期以在所述多个单晶金刚籽晶上生长单晶金刚材料,该HPHT生长周期包括通过增加压力和温度,开始在所述多个单晶金刚籽晶上的单晶金刚材料的HPHT生长;通过控制和维持压力及温度经由压力驱动的生长工艺,维持在所述多个单晶金刚籽晶上的单晶金刚材料的HPHT生长;和通过降低压力和温度,终止在所述多个单晶金刚籽晶上的单晶金刚材料的HPHT生长,其中,在HPHT生长周期期间,所述多个单晶金刚籽晶保持锚固于或嵌入该惰性支持物
  • 制造合成金刚石材料方法
  • [发明专利]衬底及衬底的拼接方法和单晶金刚的制备方法-CN202110758828.3在审
  • 何斌;曹海涛;韩培刚;黄江涛;陈文婷;张宗雁 - 深圳技术大学
  • 2021-07-05 - 2021-10-22 - C30B35/00
  • 本发明涉及单晶金刚技术领域,具体提供一种衬底及衬底的拼接方法和单晶金刚的制备方法。所述衬底的拼接方法包括以下步骤:提供单晶金刚籽晶,单晶金刚籽晶具有底表面和与底表面相背的顶表面;单晶金刚籽晶具有自底表面至顶表面的第一高度;沿第一高度的等分线切割单晶金刚籽晶,使单晶金刚籽晶被切割成具有相同第二高度的多块籽晶;将多块籽晶沿垂直于第二高度的方向进行拼接,且使相互拼接的籽晶之间的晶体取向相同,由此获得衬底。本发明可获得晶体取向相同的衬底,从而有助于节省单晶金刚的加工工序,提高单晶金刚的生长效率以及获得大尺寸、高质量的单晶金刚
  • 衬底拼接方法金刚石制备
  • [发明专利]一种扩大金刚籽晶面积的沉积部和方法-CN202110658265.0有效
  • 王垒;温简杰 - 上海昌润极锐超硬材料有限公司
  • 2021-06-15 - 2023-03-31 - C30B29/04
  • 本发明提供一种扩大金刚籽晶面积的沉积部和方法,所述沉积部包括冷却单元、基板台和钼环;所述基板台设于所述冷却单元上;所述基板台包括底座和位于所述底座上的金刚承托部,所述金刚承托部为柱状,并被设置为适于在所述钼环的环孔内上下活动;所述冷却单元和所述基板台可升降,用于调整放于所述金刚承托部上金刚籽晶的上平面与钼环顶面的高度差。所述方法包括如下步骤:将金刚籽晶放于该沉积部的金刚承托部上,在生长过程中,保持金刚籽晶的上平面低于钼环顶面,金刚籽晶的上平面与钼环顶面的高度差为0.01~4mm。
  • 一种扩大金刚石籽晶面积沉积方法
  • [发明专利]一种光学级金刚晶片的制备方法-CN202010966247.4在审
  • 林超男;单崇新;杨珣;杨西贵;臧金浩 - 郑州大学
  • 2020-09-15 - 2020-12-22 - C30B29/04
  • 本发明属于材料生长技术,具体的涉及一种光学级金刚晶片的制备方法。包括如下步骤:采用金属钼为基底,然后在金属钼上旋涂金刚籽晶,最终将旋涂过金刚籽晶的金属钼放入微波等离子体化学气相沉积设备中进行生长。发明的有益效果是:本发明通过使用具有凹槽的金属钼使得旋涂籽晶更容易附着、生长的金刚与衬底结合更加紧密。使用不同晶粒尺寸的籽晶,分多次进行籽晶旋涂,得到的籽晶分布均匀,有利于金刚的均匀生长,减小所得到金刚中的晶界,因此更容易得到光学级金刚。生长条件控制在一定范围是得到光学级金刚的必要条件,调控好生长过程中的温度、压强、微波功率及甲烷浓度等条件,对生长高品质光学级金刚非常重要。
  • 一种光学金刚石晶片制备方法

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