[发明专利]存储器在审
| 申请号： | 201910088556.3 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109801977A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;罗庆;许晓欣;龚天成;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L29/423;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；深能级缺陷介质层，位于沟道区之上；栅极，位于深能级缺陷介质层之上。本公开的存储器通过提供生能级缺陷介质层，可以使存储单元能够在电荷俘模式以及极化翻转模态下工作，因此，该存储器兼具DRAM和NAND的功能，融合了两者的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 介质层 存储器单元 深能级缺陷 沟道区 衬底 块体 源极 能级 存储单元 极化翻转 漏极区域 电荷 漏极 模态 融合 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；深能级缺陷介质层，位于沟道区之上；栅极，位于深能级缺陷介质层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910088556.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
