[发明专利]用于形成分级纤锌矿III族氮化物合金层的方法有效
| 申请号： | 201880078771.9 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111448674B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李晓航;刘开锴 | 申请（专利权）人： | 阿卜杜拉国王科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 罗小晨;刘继富 |
| 地址： | 沙特阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在第二层上形成包括包含纤锌矿III族氮化物合金的分级纤锌矿III族氮化物合金层的半导体器件的方法。基于半导体器件的预期功能选择针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布。基于所选择的针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布，确定分级纤锌矿III族氮化物合金层的组分‑极化变化率和分级纤锌矿III族氮化物合金层的分级速度。组分‑极化变化率和分级速度均基于纤锌矿III族氮化物合金的第一元素和第二元素的组分。使用所确定的组分‑极化变化率和分级速度，基于分级纤锌矿III族氮化物合金层中距离第二层的当前位置来调整纤锌矿III族氮化物合金的第一III族氮化物元素和第二III族氮化物元素的组分，以在第二层上形成具有所选择的极化掺杂浓度分布的分级纤锌矿III族氮化物合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 分级 锌矿 iii 氮化物 合金 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明涉及一种半导体本体(1)，所述半导体本体包括III‑V族化合物半导体材料，所述半导体本体具有掺杂有p型掺杂材料的p型传导区域(10)，其中p型传导区域(10)包括至少一个第一部段(101)、第二部段(102)和第三部段(103)，第二部段(102)设置在第一部段(101)和第三部段(103)之间，第二部段(102)直接邻接于第一部段(101)和第三部段(103)，并且部段中的至少一个部段(101，102，103)的铟浓度(I)与其他两个部段(101，102，103)的铟浓度(I)不同。
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- 实施方式涉及的图像显示装置的制造方法具备：准备半导体层的工序；将所述半导体层经由第一金属层而向第一基板接合的工序；在透光性基板贴合所述半导体层的工序；除去所述第一基板且蚀刻所述半导体层而形成包括发光面和上表面的发光元件的工序；蚀刻所述第一金属层而形成覆盖所述上表面的遮光电极的工序；形成覆盖所述发光元件及所述遮光电极的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；形成覆盖所述第一绝缘膜及所述电路元件的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的第一导孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成第一配线层的工序。
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- 李晓航 - 阿卜杜拉国王科技大学
- 2019-06-10 - 2021-01-22 - H01L33/02
- 一种发光二极管包括：形成在衬底上的n型氮化铝层，形成在该n型氮化铝层上的多量子阱，以及与该多量子阱相邻地形成的p型氮化铝空穴注入层。该多量子阱包括：第一氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第一氮化铝量子势垒层和第二氮化铝量子势垒层包围，和第二氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层包围。该第一氮化铝量子势垒层、第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层中的至少一个具有渐变的铝组分。第一氮化铝量子势垒层与n型氮化铝层相邻，并且第三氮化铝量子势垒层与p型氮化铝空穴注入层相邻。
- 利用激光剥离的加工方法和平坦化夹具-201880070053.7
- 柳川良胜;深谷康一郎;大仓直也 - 株式会社V技术
- 2018-10-23 - 2020-06-12 - H01L33/02
- 本发明是利用激光剥离的加工方法，对包含蓝宝石基板(11)、以及形成在蓝宝石基板的一个面的微型LED(12)的层叠体(1)，从蓝宝石基板的另一个面照射通过脉冲振荡产生的激光，使各个微型LED从蓝宝石基板剥离，该加工方法执行如下工序：通过来自层叠体的外部的作用压制蓝宝石基板的翘曲而使该蓝宝石基板平坦化的工序；以及在蓝宝石基板平坦化的状态下，一边使载置在工作台(91)上的层叠体与照射激光的光学系统(6)相对移动，一边以使焦点位置对准蓝宝石基板与微型LED的边界部的方式从上述另一个面照射激光，使各个微型LED从蓝宝石基板剥离的工序。由此，能够提供即使蓝宝石基板产生翘曲的问题也会使微型LED良好地从蓝宝石基板剥离的利用激光剥离的加工方法。
- 发光半导体器件-201880057334.9
- 亚历山大·通基赫;布丽塔·格厄特茨 - 欧司朗OLED股份有限公司
- 2018-09-03 - 2020-05-01 - H01L33/02
- 提出一种发光半导体器件(100)，所述发光半导体器件具有基于磷化物和/或砷化物化合物半导体材料体系的半导体层序列(1)，其中半导体层序列(1)具有在第一包覆层(11)和第二包覆层(12)之间的发光半导体层(10)以及至少一个第一半导体保护层(13)，所述发光半导体层构建用于，在半导体器件(100)的运行中放射光，第一半导体保护层(13)在构成为外层的第一包覆层(11)之内或直接在第一包覆层(11)上在背离发光半导体层(10)的侧上作为外层设置，并且第一半导体保护层(13)具有比第一包覆层更低的铝含量。
- 具有应变改性表面有源区域的III价氮化物纳米线和其制造方法-201580050665.6
- 琳达·罗马诺;王平 - GLO公司
- 2015-08-07 - 2019-06-28 - H01L33/02
- 核‑壳纳米线装置包括檐区域，其具有从壳层上部顶端部分中的p平面到壳层下部中的m平面的结构不连续性。檐区域中的铟含量比壳层的p平面和m平面部分高至少5原子百分比。
- 专利分类
