[发明专利]一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法有效

专利信息
申请号: 201811644666.5 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109536890B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 储开荣;刘晓芳;盛兴;李冬凤 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十二研究所
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 赵晓丹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法,该方法包括如下步骤:在衬底上形成铬膜;在湿氢氛围中,将形成有铬膜的该衬底于900~1300℃温度下保温至铬膜完全氧化成氧化铬膜。该方法降低了在电真空器件上形成高质量的氧化铬薄膜的工艺控制难度,从而减小了电真空器件在高梯度电场下的击穿几率。
搜索关键词: 一种 适用于 真空 器件 衬底 形成 氧化铬 方法
【主权项】:
1.一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:在衬底上形成铬膜;在湿氢氛围中,将形成有铬膜的该衬底于900~1300℃温度下保温至铬膜完全氧化成氧化铬膜。
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