[发明专利]沟槽栅功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811601009.2 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370479A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李东升 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅功率器件，包括器件单元区和终端区，终端区环绕在器件单元区的周侧，器件单元区中由多个器件单元并联而成；终端区的终端结构包括：终端沟槽，在终端沟槽中填充有终端介质层，终端沟槽依次穿过器件单元的沟道区、载流子存储层和漂移区，终端沟槽的深度要大于沟槽栅功率器件反偏时在漂移区中形成的耗尽区的深度；终端沟槽的区域也设置为沟槽栅功率器件的芯片划片区，终端沟槽的宽度在满足耐压所需要的要求值的同时满足大于采用光刻刻蚀进行芯片划片的要求值。本发明公开了一种沟槽栅功率器件的制造方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种沟槽栅功率器件，能大大缩小终端结构的宽度，从而缩小终端区的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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