[发明专利]空白掩模和光掩模有效

申请号：	201811558340.0	申请日：	2018-12-19
公开（公告）号：	CN110716388B	公开（公告）日：	2023-05-30
发明（设计）人：	申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕	申请（专利权）人：	思而施技术株式会社
主分类号：	G03F1/50	分类号：	G03F1/50
代理公司：	北京汇泽知识产权代理有限公司 11228	代理人：	亓赢
地址：	韩国大邱广***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。
搜索关键词：	空白光掩模
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【主权项】：

1.一种空白掩模，包括：/n透明衬底；/n遮光膜，设置在所述透明衬底上；以及/n硬掩模膜，设置在所述遮光膜上且包括铬以及一个或多个种类的金属。/n

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摘要：本实用新型涉及一种用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，所述通用掩模版包括至少一个曝光区，所述至少一个曝光区的每个曝光区包括至少一个掩模版单元，所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的面积被设置为，以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的面积满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的面积的要求，所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的数量和位置被设置为，以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的数量和位置满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的数量和位置的要求。

一种掩模版的制备方法-202310340788.X
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申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供了一种掩模版的制备方法，包括：根据预设掩模版的掩模图案，以逐级放大的方式设计M级掩模图案直至一级掩模图案，M为大于或等于1的整数；采用直写工艺利用一级掩模图案制作一级掩模版；采用光刻工艺，由一级掩模版以逐级缩小的方式制作二级掩模版直至M级掩模版，再由M级掩模版制作预设掩模版，预设掩模版的精度高于直写工艺及光刻工艺的精度。本发明中，通过精度相对较低的直写工艺及光刻工艺制备精度较高的预设掩模版，而且可利用上述过程中的一级至M级掩模版批量制备高精度的预设掩模版，有利于提高制备预设掩模版的生产效率及降低成本。

空白掩模和光掩模-201811558340.0
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。

光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法-202211255619.8
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摘要：本发明的课题在于提供一种在光掩模的制造时容易进行图案的尺寸控制，能够在光掩模中提高图案的尺寸精度的光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。该光掩模坯的制造方法用于制造将透明基板(3)的表面划分为第一图案区域和第二图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯(2)。

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申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在透光基板的多层遮光膜。多层遮光膜包括第一遮光膜和第二遮光膜。式1中的多层遮光膜的EA值为2nm2以下：[式1]EA＝(BC‑AC)/2。BC值是在清洗前测定的多层遮光膜的截面面积。AC值是将空白掩模在SC‑1溶液中浸渍800秒并用臭氧水冲洗后测定的多层遮光膜的截面面积。SC‑1溶液是包含14.3重量％的NH4OH、14.3重量％的H2O2及71.4重量％的H2O的溶液。臭氧水是超纯水为溶剂且含有20ppm臭氧的溶液。由此，能够进一步提高在增强清洗过程中多层遮光膜对清洗溶液的耐久性。

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申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法，所述空白掩模包括透光基板以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。遮光膜包括第一遮光层和配置在所述第一遮光层上的第二遮光层。下述式1中的遮光膜的Rd值为0.4至0.8。[式1]Rd＝er2/er1。在上述式1中，所述er1值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第一遮光层的蚀刻速度。所述er2值是利用氩气进行蚀刻并测量的所述第二遮光层的蚀刻速度。根据本发明的空白掩模，在对遮光膜进行图案化时能够有效地抑制图案的分辨率低下。

掩模基版、掩模版及光刻设备-202210934134.5
发明人：林岳明;季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及一种掩模基版、掩模版及光刻设备。所述掩模基版包括：基底以及分别设置于所述基底两侧的第一双色遮光层和第二双色遮光层；所述第一双色遮光层用于透射第一曝光光束，且遮挡第二曝光光束；所述第二双色遮光层用于透射所述第二曝光光束，且遮挡所述第一曝光光束；其中，所述第一曝光光束的波长为第一波长；所述第二曝光光束的波长为第二波长；所述第一波长与所述第二波长不同。本发明提供的掩模基版、掩模版及光刻设备能够减少半导体器件制备过程中所需的掩模版的总数量，从而降低生产成本。

空白掩模、光掩模及空白掩模的制备方法-202210449936.7
发明人：李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本实施方式涉及空白掩模等，上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面的下述第一式的Mtr值为6以下：[第一式]Mtr＝|Rsk|×Rku。在上述第一式中，上述|Rsk|是Rsk值的绝对值。如上所述的空白掩模等可以提高在涂布抗蚀剂时抗蚀膜之间的附着力，且在去除抗蚀图案时可有效地去除残留在遮光膜表面上的抗蚀剂的量。

一种基于光刻的多光谱计算传感器制备方法及装置-202210880698.5
发明人：边丽蘅;王振;张宇哲;张一诺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明公开了一种基于光刻的多光谱计算传感器制备方法及装置，该方法包括：利用光谱调制材料制备具有光谱调制效果的光刻胶以及根据多光谱掩模的空间结构制备光刻掩膜版；通过紫外曝光将光刻胶固化在石英衬底上，得到具有光谱调制作用的多光谱掩模；将多光谱掩模与图像传感器集成得到多光谱计算传感器，并利用多光谱计算传感器采集耦合光谱数据；通过解耦算法从耦合光谱数据中重建多光谱图像。本发明以光刻胶作为载体，利用光刻技术实现高精度、低成本、易于集成的多光谱掩模制备方案；将其与图像传感器结合制备实时性的多光谱信息采集系统，并通过解耦算法高精度重建多光谱图像，实现场景多光谱信息的高效采集。

产生用于光刻过程的多个光掩模的方法-201611143527.5
发明人：蔡念豫;徐金厂;李宪信;杨稳儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F1/50
摘要：一种产生用于光刻过程的多个光掩模的方法包含产生电路图形。电路图形包括多个顶点和多个边缘。多个顶点中的每一者表示多个导线中的一者。多个边缘表示小于可接受最小距离的导线之间的间距。通过将第三顶点合并到选自多个顶点的第一集合的第四顶点中来简化Kn+1图形，所述Kn+1图形包括选自由选自多个边缘的边缘的第一集合串联连接的多个顶点的顶点的第一集合，且具有选自顶点的第一集合的第一顶点和第二顶点之间的至少一个非串联边缘连接。执行n重图案冲突检查，且基于结果产生光掩模。

用于抑制热吸收的光掩模基板和光掩模-201910124028.9
发明人：河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/50
摘要：一种光掩模基板和/或光掩模，包括：透光衬底；被设置在所述透光衬底上的高反射材料层；以及被设置在所述高反射材料层上的转移图案层。所述高反射材料层以预设的反射率反射光，以透过所述透光衬底。

光掩模坯-201610791249.8
发明人：笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。

一种光罩、曝光方法及曝光系统-202010408072.5
发明人：张旭;吴舜均;朱欢欢;田强强 -专利权人：咸阳彩虹光电科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明公开了一种光罩、曝光方法及曝光系统，其中，所述光罩包括透明基板和遮光薄膜形成的光罩图案，所述光罩图案的中间设有包括若干重复单元B的曝光区域，所述曝光区域两侧边缘分别设有第一有效图形区域以及第二有效图形区域，所述第一有效图形区域的另一侧设置有第三有效图形区域，所述第二有效图形区域的另一侧设置有第四有效图形区域。本发明提供的光罩在进行大尺寸面板的拼接曝光时，可减少曝光次数，从而减少拼接次数，减轻拼接处的拼接mura现象，提高显示效果。

掩膜装置和曝光设备-201810287984.4
发明人：齐鹏煜;张思凯;汪栋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供一种掩膜装置，包括相对设置的掩膜板和半透光板，所述掩膜板包括多个透光区和位于该多个透光区以外的不透光区，所述半透光板被划分为与所述掩膜板的透光区一一对应的半透光区，所述半透光区中的一部分区域透光，另一部分区域不透光；每个所述半透光区中，不透光的区域在所述半透光区中均匀分布。相应地，本发明还提供一种曝光设备。本发明能够提高感光层接收到的有效照度，有利于高分辨率显示产品的制作。

掩模版、显示面板及掩模版的制备方法-202010207412.8
发明人：张晨;蒋际君 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供了一种掩模版、显示面板及掩模版的制备方法，本发明实施例中的技术方案，掩模版包括透光区、半透光区以及不透光区，其中，所述透光区用于形成阵列基板的像素开口，所述半透光区用于形成阵列基板的像素限定层，所述不透光区用于形成阵列基板的支撑柱。利用本实施例中掩模版仅需一道掩膜工艺就能同时形成像素开口区、像素限定层以及支撑柱三种结构，相比于现有技术，减少了OLED制备过程中所需要的掩膜工艺次数，简化了工艺流程。

光罩、形成间隔物结构的方法以及形成液晶面板的方法-201710549600.7
发明人：刘永振 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明公开了一种光罩、对应的间隔物结构及应用其的液晶面板。光罩包括一第一开口区以及一第二开口区。第一开口区与第二开口区分别具有长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值大于或等于1.25的几何形状，且第一开口区的面积大于第二开口区的面积。

掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法-202011344580.8
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摘要：本发明的课题在于提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。解决方法是该掩模坯料，其在基板上具备图案形成用的薄膜。上述薄膜由含有铬的材料形成。另外，上述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成。此处，上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。

一种掩膜板及其制作方法-202110119327.0
发明人：钱超;杨波;洪明;王有明 -专利权人：江苏高光半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及显示技术技术领域，且公开了一种掩膜板，包括透光底板，所述透光底板的上方活动安装有定型框架，所述定型框架的内部活动安装有块状单元格，所述块状单元格的中部开设有安装槽，所述安装槽的侧面开设有定位孔，所述安装槽的边角处开设有卡槽，所述安装槽和卡槽的内部活动安装有定位架，所述定位架的两侧均开设有转动卡槽。该掩膜板及其制作方法，通过在在定型框架的上下两端均开设有转动卡槽，且转动卡槽的内部活动安装有转动圆板，转动圆板的中部设有像素图案，像素图案可在转动卡槽的内部进行转动和拆卸，通过像素图案之间的图形组合形成要加工的掩膜图案，便于自动灵活的进行调整，提高装置的重复使用率，节省加工生产成本。

用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模-202011221137.1
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;公拮寓;徐暻原 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。

光掩模坯和制备光掩模的方法-201610597860.7
发明人：笹本纮平;深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。

光掩模坯、制备方法和光掩模-201610824947.3
发明人：深谷创一;五十岚慎一;吉井崇 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G03F1/50
摘要：光掩模坯、制备方法和光掩模。光掩模坯，其包括透明衬底(1)、蚀刻阻止膜(2)、遮光膜(3)和蚀刻掩模膜(4)，在衬底侧上具有相对于曝光光的最多35％的反射率。所述蚀刻阻止膜(2)由邻近所述衬底设置并充当减反射层的第一层(21)和充当耐氟系干蚀刻层的第二层(22)组成，所述第一和第二层的一层为具有压缩应力的层且另一层为具有拉伸应力的层。

一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置-201710706686.X
发明人：刘超;魏雄周;万彬;彭元鸿;熊强;黎敏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，该显示基板的制作方法包括：在显示基板的膜层图形上形成与辅隔垫物顶部预设外环区域匹配的环形凹槽，以使得形成在该环形凹槽上的辅隔垫物顶部预设外环区域下陷，或者，在显示基板的膜层图形上形成与辅隔垫物顶部预设中部区域匹配的凸起，以使得形成在该凸起上的辅隔垫物顶部预设中部区域被抬升，使辅隔垫物顶部外环区域和中部区域高度基本持平，避免辅隔垫物顶部出现火山口状，提高辅隔垫物顶部表面的平坦度，从而避免液晶显示面板触压相关不良。

空白掩模和光掩模-202010401171.0
发明人：申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。

掩模版及其制备方法-202010867429.6
发明人：庄迪斯;秦毅 -专利权人：豪威光电子科技（上海）有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供了一种掩模版及其制备方法，首先提供具有凹槽的底模，然后在凹槽中形成不透光层，接着在底模上形成透光过渡层并盖上透光基板，透光过渡层可作为透光基板与不透光层之间的粘合层，以利于底模离模，离模之后，形成所述掩模版。本发明中不透光层凸出于透光基板，利用所述掩模版对具有坑穴的基底进行曝光时，不透光层可伸进基底的坑穴中，从而减小与坑穴底部之间的距离，增大曝光后形成的图案的边缘的锐利度和清晰度，进而提高器件的精度和可靠性。

一种光罩和显示面板的制作方法-201811167258.5
发明人：何怀亮 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明公开了一种光罩和显示面板的制作方法。所述光罩的制作方法包括：在实验环境模拟所述光罩对应生产的部件的曝光条件；在实验环境制作所述部件，记录实验数据；将所述实验数据跟生产环境记录的生产数据对比，形成参考数据；根据所述参考数据制作所述部件的光罩。本发明能有效减少制作光罩的成本。

光刻掩模板-201611093541.9
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管复合结构，设置于所述基板的表面，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及包裹于该碳纳米管层的一金属铬层；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管复合结构远离基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。

掩模板及掩模板的制造方法-201911111123.1
发明人：孙朝宁 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明实施例公开了一种掩模板及掩模板的制造方法，该掩模板包括透光区，至少部分透光区内设有透光层，该透光层内设有金属有机框架聚合物。其中，金属有机框架聚合物的金属离子和有机桥配体之间存在电荷转移，通过调控金属元素和有机配体种类能够优化材料发光性能。因此，通过在透光区的一部分区域内设置金属有机框架聚合物，并调节透光区不同位置的有机框架聚合物中的金属离子及有机配体的种类，以精确控制不同区域的透过光单一波长和强度，提高掩模板的各透光区的曝光精度。

光刻掩模板-201611095319.2
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述第二基板的表面；一图案化铬层，覆盖于所述碳纳米管层远离第二基板的表面，且所述图案化铬层的图案与所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案相同；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述图案化铬层远离第二基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。

光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法-201610173066.X
发明人：牛田正男;坪井诚治;安森顺一;阿山兼士 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G03F1/50
摘要：本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法，上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模，上述光掩模的制造方法具有上述特性，上述显示装置的制造方法以高成品率制造高精细显示装置。上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层，遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成，该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0以上。此外，上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且，上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]空白掩模和光掩模有效

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