[发明专利]一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811384310.2 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109638071A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王东;陈兴;吴勇;张进成;何滇;伍旭东;檀生辉;卫祥;张金生;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构及其制作方法，属于微电子技术领域，包括Si衬底、低温氮化铝成核层、铝镓氮过渡层一、铝镓氮过渡层二、铝镓氮过渡层三、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、分居两端的漏电极和源电极以及两者中间的栅电极，上述各层从下至上依次排布，其中在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，栅电极和铝镓氮势垒层之间还设有栅介质层，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于Si衬底氮化镓HEMT器件应用。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 铝镓氮过渡层 铝镓氮势垒层 氮化镓HEMT 欧姆接触 氮化镓 低电阻 沟道层 栅电极 低温氮化铝成核层 氮化镓HEMT器件 二维电子气沟道 微电子技术领域 氮化镓缓冲层 栅介质层 制造工艺 漏电极 源电极 排布 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于Si衬底氮化镓HEMT低电阻欧姆接触的结构，其特征在于，包括Si衬底(101)、低温氮化铝成核层(102)、铝镓氮过渡层一(103)、铝镓氮过渡层二(104)、铝镓氮过渡层三(105)、氮化镓缓冲层(106)、氮化镓沟道层(107)、铝镓氮势垒层(108)、分居两端的漏电极(109)和源电极(110)以及两者中间的栅电极(111)，上述各层从下至上依次排布，其中在氮化镓沟道层(107)与铝镓氮势垒层(108)之间形成(113)二维电子气沟道(113)，栅电极(111)和铝镓氮势垒层(108)之间还设有栅介质层(112)。
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