[发明专利]用于半导体器件的接触插塞及其形成方法有效
| 申请号： | 201811381317.9 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110021554B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 姆鲁尼尔·A·卡迪尔巴德;奥野泰利;王菘豊;蔡邦彦;李胜男;蔡腾群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其形成方法。方法包括在半导体结构上形成栅极。形成与栅极相邻的外延源极/漏极区。在外延源极/漏极区上形成介电层。形成延伸穿过介电层并且暴露外延源极/漏极区的开口。在开口中非共形地沉积导电材料。导电材料以自下而上的方式填充开口。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的接触插塞及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 接触 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体结构上形成栅极；形成与所述栅极相邻的外延源极/漏极区；在所述外延源极/漏极区上形成介电层；形成延伸穿过所述介电层并且暴露所述外延源极/漏极区的开口；以及在所述开口中非共形地沉积导电材料，导电材料以自下而上的方式填充所述开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
