[发明专利]一种可降低缺陷的硅烷法制区熔级多晶硅棒的生产工艺在审
申请号: | 201811336839.7 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109594123A | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 蔡前进;孟国均;李红彬 | 申请(专利权)人: | 河南硅烷科技发展股份有限公司 |
主分类号: | C30B28/14 | 分类号: | C30B28/14;C30B29/06 |
代理公司: | 许昌豫创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41140 | 代理人: | 李海帆 |
地址: | 461700 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种可降低缺陷的硅烷法制区熔级多晶硅棒的生产工艺,包括以下步骤:首先,将露点≥‑40℃的氢气充入热解炉反应器中;然后,开启电源,对反应器容器内的硅丝加载电流,利用电流使其产热并加热至略高于硅沉积温度,保持1‑2h;释放氢气,并置换成高纯氢;将硅烷和高纯氢气混合,并注入至预热器;将经过预热器加热后的混合气注入至反应器容器内;混合气在进入反应器容器内部后,沿着中间立柱向上流动,并通过位于硅丝周围夹套上的进气孔进入至夹套中心,与夹套内的硅丝接触;最后,混合气与硅丝接触时,硅烷发生分解形成硅,均匀沉淀于硅丝上,以形成多晶硅棒;本发明具有使用效果好、确保硅棒表面洁净均匀且避免出现缺陷的优点。 | ||
搜索关键词: | 硅丝 硅烷 反应器容器 多晶硅棒 混合气 夹套 氢气 预热器 生产工艺 加热 表面洁净 高纯氢气 均匀沉淀 中间立柱 反应器 高纯氢 硅沉积 进气孔 热解炉 并置 产热 硅棒 加载 露点 电源 分解 释放 | ||
【主权项】:
1.一种可降低缺陷的硅烷法制区熔级多晶硅棒的生产工艺,其特征在于包括以下步骤:(1)首先,将露点≥‑40℃的氢气充入热解炉反应器中;(2)然后,开启电源,对反应器容器内的硅丝加载电流,利用电流使其产热并加热至略高于硅沉积温度,并保持1‑2h;(3)预加热处理完成后,释放氢气,并置换成高纯氢;(4)将硅烷和高纯氢气混合,并注入至预热器,通过预热器对硅烷和高纯氢气的混合气进行加热;(5)将步骤(4)中经过预热器加热后的硅烷和高纯氢气的混合气注入至反应器容器内;(6)硅烷和高纯氢气的混合气在进入反应器容器内部后,沿着中间立柱向上流动,在向上流动的过程中,通过位于硅丝周围夹套上的进气孔进入至夹套中心,与夹套内的硅丝接触;(7)最后,当均匀分布于硅丝上下四周的硅烷和高纯氢气混合气,与加热至硅沉淀温度的硅丝接触时,硅烷发生分解形成硅,均匀沉淀于硅丝上,以形成多晶硅棒。
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- 本实用新型公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置,包括反应炉管,其特征在于,所述反应炉管底部设置有弥散管,弥散管两端均设置有进口;弥散管管壁上设置有多个通孔;弥散管通过通孔与反应炉管连通。本实用新型通过选择合适的装置,在硅片表面生长多晶薄膜后,WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。
- 48对棒多晶硅还原炉-201110383510.8
- 赵建;李子林;盛斌;王中华;孙惺惺 - 江苏双良锅炉有限公司
- 2011-11-28 - 2012-03-28 - C30B28/14
- 本发明涉及一种48对棒多晶硅还原炉,尤其是涉及电化学反应制造多晶硅的还原炉。包括炉体(1)和底盘(2),炉体(1)带有冷却水腔,底盘(2)带有水冷式结构,在底盘(2)上分四个圆周均匀设置48对即96个电极(4),其中,在底盘(2)的最外一圈设置18对电极(4),第二圈设置14对电极(4),第三圈设置10对电极(4),最内一圈设置6对电极(4),所述电极(4)的正极和负极在底盘(2)上逐一间隔设置。本发明涉及的多晶硅还原炉内部结构布局合理,单台还原炉的产量比现有的还原炉提高很多,大幅度降低了每公斤多晶硅的相对生产电耗,使多晶硅的综合能耗和生产成本也相应降低。
- 降低多晶硅片翘曲度的装置-201110231808.7
- 江笠 - 上海合晶硅材料有限公司
- 2011-08-14 - 2012-02-08 - C30B28/14
- 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置,包括反应炉管,其特征在于,所述反应炉管底部设置有弥散管,弥散管两端均设置有进口;弥散管管壁上设置有多个通孔;弥散管通过通孔与反应炉管连通。本发明通过选择合适的装置,在硅片表面生长多晶薄膜后,WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。
- 降低多晶硅片翘曲度的方法-201110231809.1
- 江笠 - 上海合晶硅材料有限公司
- 2011-08-14 - 2012-02-08 - C30B28/14
- 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的方法,其特征在于,向反应炉管内通入硅烷气体,在反应炉管内温度为600℃~680℃下,在硅片表面生长多晶硅薄膜。本发明通过选择合适的装置和方法,在硅片表面生长多晶薄膜后,WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。
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