[发明专利]晶体生长的加热装置及生长装置在审
| 申请号： | 201811640596.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109594124A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 段满龙;赵有文 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 闫有幸;杨焕军 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长的加热装置，涉及晶体生长技术领域；包括从上到下依次设置的多个独立的加热单元；每个加热单元均包括壳体、保温层及加热炉丝；所述壳体为空心柱体；每个加热单元的壳体表面分别螺旋缠绕有所述加热炉丝；所述保温层设在所述壳体与加热炉丝外；上下相邻的两个加热单元可拆卸连接；多个加热单元的壳体围成一空腔；各加热单元自由组合、单独更换，在使用过程中若出现局部加热丝断裂后直接更换损坏的加热单元即可，不用报废整个加热炉，可大幅度提高加热炉的利用率及降低使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 加热单元 加热炉丝 壳体 加热炉 加热装置 晶体生长 保温层 晶体生长技术 可拆卸连接 从上到下 单独更换 局部加热 壳体表面 空心柱体 螺旋缠绕 生长装置 依次设置 自由组合 壳体围 一空腔 断裂 报废 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长的加热装置，其特征在于，包括从上到下依次设置的多个独立的加热单元；每个加热单元均包括壳体、保温层及加热炉丝；所述壳体为空心柱体；每个加热单元的壳体表面分别螺旋缠绕有所述加热炉丝；所述保温层设在所述壳体与加热炉丝外；上下相邻的两个加热单元可拆卸连接；多个加热单元的壳体围成一空腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海鼎泰芯源晶体有限公司，未经珠海鼎泰芯源晶体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811640596.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种金属氮化物晶须的生长方法-201811014736.9
- 不公告发明人 - 江苏贝肯新材料有限公司
- 2018-08-31 - 2019-11-12 - C30B29/40
- 一种在衬底上生长金属氮化物晶须的方法，具体为：在衬底上沉积金属氧化物薄膜，以该氧化物薄膜作为模板，将含Ni溶液均匀喷洒在氧化物薄膜上，形成催化剂液滴层，通入氮气或氨气中的至少一种，在模板层上可控地原位生长出金属氮化物晶须。本发明在MOCVD法中原位引入Ni催化剂，不需要将衬底在不同设备间转移及清洗的繁琐流程，并且有效避免样品在转移过程中造成的玷污，收率高达85％以上，易于实现规模化工业生产。
- 一种非极性氮化铟纳米晶薄膜的制备装置和方法-201711314853.2
- 沈龙海;吕伟;刘俊 - 沈阳理工大学
- 2017-12-12 - 2019-11-12 - C30B29/40
- 一种非极性氮化铟纳米晶薄膜的制备装置和方法，属于三族氮化物光电子领域。该装置包括反应腔体，衬底基片样品台、束源炉、射频电极、真空机械泵、分子泵和氮气供给系统。该方法包括将衬底基片清洗风干；将原料和设备按要求放置；抽真空，加热样品台为450～650℃，退火10～30min；关闭分子泵，通5～10sccm氮气，控制反应腔体氮气压力为25～50Pa；射频功率为120～200W，辉光清洗基片；束源炉加热至700～800℃，打开金属挡板，维持氮气流量、反应腔体氮气压力和射频功率不变，反应3～5h；关闭设备，得到非极性氮化铟纳米晶薄膜。该工艺方法原料简单、成本低，无任何催化剂和模板，易于大尺寸衬底上生长。
- 晶体生长的加热装置及生长装置-201822255084.X
- 段满龙;赵有文 - 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
- 2018-12-29 - 2019-11-05 - C30B29/40
- 本实用新型公开了一种晶体生长的加热装置，涉及晶体生长技术领域；包括从上到下依次设置的多个独立的加热单元；每个加热单元均包括壳体、保温层及加热炉丝；所述壳体为空心柱体；每个加热单元的壳体表面分别螺旋缠绕有所述加热炉丝；所述保温层设在所述壳体与加热炉丝外；上下相邻的两个加热单元可拆卸连接；多个加热单元的壳体围成一空腔；各加热单元自由组合、单独更换，在使用过程中若出现局部加热丝断裂后直接更换损坏的加热单元即可，不用报废整个加热炉，可大幅度提高加热炉的利用率及降低使用成本。
- III族氮化物结晶的制造方法-201910296956.3
- 多田昌浩;小松真介;森勇介;今西正幸 - 松下电器产业株式会社
- 2019-04-12 - 2019-10-29 - C30B29/40
- 本发明提供一种得到抑制装置的腐蚀、并且抑制冷却中的由基底基板对III族氮化物单晶的应力的III族氮化物单晶的III族氮化物结晶的制造方法。一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于种基板的III族氮化物层的工序；和(iv)将锂或锂化合物投入混合熔液，使其与基底基板反应的工序。
- 一种光气耦合晶体生长装置-201822224679.9
- 李成明;杨功寿;陈建;倪绿军;郑小平;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
- 2018-12-27 - 2019-10-29 - C30B29/40
- 本实用新型涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本实用新型的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。
- 一种可控悬浮晶体生长反应釜-201822224956.6
- 李成明;杨功寿;陈建;倪绿军;郑小平;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
- 2018-12-27 - 2019-10-29 - C30B29/40
- 本实用新型公开了一种可控悬浮晶体生长反应釜，包括反应釜体、籽晶和设置在该反应釜体内的坩埚，所述坩埚内装载有反应溶液，所述籽晶设于反应溶液内，还包括位于坩埚内的悬浮装置，所述籽晶与所述悬浮装置连接，所述悬浮装置可在反应溶液内上升或下降以调整所述籽晶在反应溶液内的位置，本实用新型通过增加了悬浮装置，通过调节悬浮装置在反应溶液中的位置，籽晶可以随悬浮装置连动而上浮或下沉到反应溶液内任意位置，由此可根据生长过程调整籽晶在反应溶液中的位置，有利于籽晶生长的各方面可控，保证籽晶一直处在最佳的反应溶液环境，进而大大加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。
- 一种高成品率晶体生长坩埚及装置-201822103824.8
- 孙聂枫;王书杰;孙同年;刘惠生;邵会民;史艳磊 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2018-12-14 - 2019-10-18 - C30B29/40
- 本实用新型提供一种高成品率晶体生长坩埚及装置，涉及化合物半导体单晶生长技术领域，采用的技术方案是：一种高成品率晶体生长坩埚，包括主坩埚，所述主坩埚结构由下往上依次包括籽晶部、生长部，主坩埚上沿周向呈设置有辅助坩埚。有益效果是：（1）本实用新型提供的高成品率晶体生长坩埚及装置，结构简单，易于操作和控制，提高了晶体生长的成品率，提高了材料的利用率；（2）通过角度的改变，适用于InP等各种晶体的生长过程，减少了晶体加工难度，降低了成本。
- 用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法-201711338597.0
- 白平平;朱刘;陈伟杰;黄成建;邹双福 - 广东先导先进材料股份有限公司
- 2017-12-14 - 2019-09-10 - C30B29/40
- 本发明提供了一种用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法。用于合成InP多晶的装料装置包括：装料瓶，具有用于盛放红磷料和铟料的且具有封闭端和开口端的收容腔；盖体，能够盖合在装料瓶的开口端上，且设有与收容腔和装料瓶外部连通的排气孔；保护气体提供瓶，用于盛放不与红磷料反应的保护气体，具有出气口；输送管，一端连通于保护气体提供瓶的出气口，另一端穿过盖体并伸进装料瓶的收容腔，以向装料瓶的收容腔输送保护气体。在根据本发明的用于合成InP多晶的装料装置中，有效地避免了红磷料在含有氧气的空气中因摩擦、碰撞而发生自燃的风险并进一步避免红磷料与空气燃烧形成的氧化物对后续形成的InP多晶造成污染。
- 氮化镓晶体生长装置及其生长方法-201910620554.4
- 乔焜;高明哲;林岳明 - 上海玺唐半导体科技有限公司
- 2019-07-10 - 2019-09-03 - C30B29/40
- 本发明涉及一种氮化镓晶体生长装置及其生长方法。该氮化镓晶体生长装置包括反应容器，所述反应容器内设置原料区和结晶区，所述原料区和所述结晶区中的至少一者的数量为至少两个，所述原料区和所述结晶区在所述反应容器的轴向上交替分布。本发明的氮化镓晶体生长装置能够提高氮化镓晶体的生长速度和结晶质量，同时能够减少原料的损失。
- 一种光调制局部加强的晶体生长装置-201822245239.1
- 李成明;杨功寿;陈建;倪绿军;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
- 2018-12-27 - 2019-08-27 - C30B29/40
- 本实用新型涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本实用新型增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。
- 用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法-201810133833.3
- 刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2018-02-09 - 2019-08-16 - C30B29/40
- 本发明公开了一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法。所述的承载结构包括籽晶承载体和支撑机构，所述籽晶承载体可升降地设置于助熔剂法生长氮化物单晶的反应容器内，所述籽晶承载体与支撑机构固定连接，所述支撑机构与驱动机构传动连接。较之现有技术，本发明通过设置与氮化物单晶的反应容器配合的、结构简单的承载结构，可以在进行助熔剂法制备氮化物单晶的液相外延生长过程中，方便快捷的调控籽晶的位置，使籽晶外延界面始终处于熔液中合适的过饱和度区域内，从而获得连续生长的高质量液相外延氮化物单晶。
- 一种适合氨热法生成氮化镓单晶制品的热等静压装置-201910263191.3
- 郑革;吴小平;杨槐;张潇;张言平;张云 - 四川航空工业川西机器有限责任公司
- 2019-04-02 - 2019-06-25 - C30B29/40
- 本发明公开了一种适合氨热法生成氮化镓单晶制品的热等静压装置，其特征在于：包括内部设置热区的工作缸（2），置于所述的热区中的生成直径为200～400mm或更大规格的相应尺寸的氮化镓单晶生长容器（3），所述的热区分隔为分别对应加热所述的氮化镓单晶生长容器（3）的结晶区和溶解区的上加热区和下加热区，所述的氮化镓单晶生长容器（3）里面的挡板（18）位置相应的热区设置使挡板（18）上下区域产生适合氨热法生成氮化镓单晶制品的阶跃性温差的中隔热环（16），同时改善氮化镓单晶生长容器3即高压釜的工作应力为压应力，这样能增大整体锻造氮化镓单晶生长容器（3）规格尺寸，生长出直径为200～400mm，甚至更大规格的氮化镓单晶制品。
- 一种规模化制备LED用半导体材料氮化镓薄膜的方法-201710583738.9
- 陈庆;曾军堂;陈兵 - 成都新柯力化工科技有限公司
- 2017-07-18 - 2019-06-25 - C30B29/40
- 本发明提供一种规模化制备LED用半导体材料氮化镓薄膜的方法，将镓盐分散于二维氮化硼中，经过还原处理使镓原子在二维氮化硼的层间均匀分布，通过加入含氨气引发反应，在较低温度下氮化镓沿层生长形成规则的氮化镓薄膜。本发明提供上述方案克服了现有技术中氮化镓制备方法中，晶体生长速率低，周期长，且晶体生长条件较为苛刻，限制了氮化镓规模化生产和应用的技术缺陷，实现了在较低温度下氮化镓沿层生长规则的氮化镓薄膜的技术效果，适合大规模批量生产。
- 一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置-201610937760.4
- 杨翠柏;方聪;杨光辉 - 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
- 2016-10-25 - 2019-06-21 - C30B29/40
- 本发明公开了一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置，包括，外部的炉体以及内部的同轴坩埚，隔热屏，同轴放置于坩埚与隔热屏之间的单段式加热器，以及同轴放置于坩埚与单段式加热器之间的变截面筒状结构，用于在传导过程中沿轴线方向产生由上至下逐渐增大的热阻，进而形成均匀的轴向温度梯度，使底部的籽晶开始逐渐向上生长晶体。本发明避免了使用多段式加热时，段与段之间轴向温度与段内部轴向温度不连续、不均匀，减少此处温度起伏，进而减少孪晶的生长，且控制系统和方法简单。
- 氮化铝单晶生长用坩埚盖-201821261322.1
- 王晓丹;陈飞飞;毛红敏;李祥;葛丽娟 - 苏州科技大学
- 2018-08-07 - 2019-05-31 - C30B29/40
- 本实用新型公开一种氮化铝单晶生长用坩埚盖，包括坩埚盖主体、至少2个固定脚架，所述固定脚架固定于坩埚盖主体的下表面，所述固定脚架的下端具有一折弯部，此折弯部与固定脚架的夹角为90°，所述固定脚架的折弯部位于朝向圆心的一侧，所述坩埚盖主体形状为圆形，所述固定脚架相互成90°夹角分布。本实用新型设计结构简单、科学合理，使用方便，能够解决高温胶带来的碳污染问题，同时还解决了在生长过程中衬底掉落的隐患问题，其次，衬底可以更方便稳固的放置在固定脚架上。
- 用于在超临界流体中生长材料的装置和材料的生长方法-201910250202.4
- 乔焜;郑革;高明哲;吴小平 - 上海玺唐半导体科技有限公司;四川航空工业川西机器有限责任公司
- 2019-03-29 - 2019-05-14 - C30B29/40
- 本发明提供了一种用于在超临界流体中生长材料的装置和材料的生长方法。用于在超临界流体中生长材料的装置包括第一容器、第二容器和加热部件，所述第二容器被容纳于所述第一容器的内腔，所述加热部件设置于所述第一容器的内腔并用于给所述第二容器加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器内生长，所述第一容器和所述第二容器均能够填充用于传递压力的介质，使所述第一容器内的压强与所述第二容器内的压强的差值小于所述第二容器内的压强与标准大气压的差值。根据本发明的装置的制作成本低且能使生长的材料达到较大的尺寸。
- 高Al组分AlxGa1-xN三元合金微晶球及其制备方法-201710906437.5
- 沈龙海;吕伟 - 沈阳理工大学
- 2017-09-29 - 2019-05-14 - C30B29/40
- 一种高Al组分AlxGa1‑xN三元合金微晶球及其制备方法，属于半导体合金材料制备的技术领域。该微晶球是不同Al组分纤锌矿结构AlxGa1‑xN三元合金晶体，Al组分可调范围为0.77≤x＜1，该微晶球平均直径为5.0μm。该微晶球的制备方法为以金属铝粉、金属镓和氨气为反应原料，抽真空，以流量为300～700sccm通入氩气，10～15min后，调节氩气流量为40～60sccm，同时，通入与氩气流量相同流量的氨气，然后加热，反应温度为950～1000℃，时间1～3h，气相沉积法生长，制备出高Al组分的AlxGa1‑xN三元合金微晶球。该方法工艺简单、重复性好、无相分离、生产成本低、没有添加任何催化剂和模板，易于工业推广应用。
- 一种降低氮化镓单晶氧原子浓度的方法-201910172986.3
- 李强;张嵩;王军山;董增印;兰飞飞;王再恩;刘金鑫;张志欣 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 2019-03-07 - 2019-05-03 - C30B29/40
- 本发明公开了一种降低氮化镓单晶氧原子浓度的方法。本方法首先按照制定摩尔比例称取金属Na与Ga，并且将金属Na放入液体石蜡中加热使其融化以分离表面氧化层；在坩埚中除金属Na以外，再添加一定量的金属Ca作为复合助熔剂以夺取晶体生长过程中金属熔融液中的氧原子；晶体生长前向炉内通入一定量的氢气并加热，保温一段时间后对炉体抽真空，反复该过程2~3次，以充分去除多孔材料在晶体生长结束时因长时间开炉接触空气而吸附的含氧气氛。采用本方法，以往Na助熔剂法氮化镓单晶存在的氧原子浓度偏高以及晶体严重着色的问题能够得到明显改善，使其能够满足同质外延对高质量氮化镓自支撑衬底的要求，从而推动氮化镓器件性能的进一步提升。
- 用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法-201410165012.X
- 唐吉龙;方铉;魏志鹏;高娴;陈芳;房丹;李金华;楚学影;方芳;王晓华;王菲 - 长春理工大学
- 2014-04-23 - 2019-04-30 - C30B29/40
- 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质的GaSb纳米线。最重要的步骤是在氧化层去除后，关闭Sb束流，使GaSb表面形成Ga富集区，形成新的纳米线生长界面，然后再开启Ga和Sb的挡板生长GaSb，由于表面状态的不同而使GaSb区域性的三维生长，从而形成纳米线结构，制备出GaSb衬底上的GaSb纳米线。
- 单晶高Al组分AlxGa1-xN三元合金纳米棒的制备方法-201710906430.3
- 沈龙海;吕伟 - 沈阳理工大学
- 2017-09-29 - 2019-04-30 - C30B29/40
- 一种单晶高Al组分AlxGa1‑xN三元合金纳米棒的制备方法，首先制备沉积厚度为0.5～1.0mm沉积薄层铝粉的硅基片。再将金属Al粉平铺于反应舟一端，上方放置硅基片，将Ga液滴置于反应舟另一端，将反应装置放入一端开口石英试管中，密闭，抽真空；当真空度≤5Pa，通入氩气，待整个氛围为氩气后，调节氩气流量，加热至900～1000℃时，调节氩气流量为40～60sccm，同时，通入与氩气流量相同流量的氨气，保持1～3h，随炉冷却，得到高Al组分的单晶AlxGa1‑xN三元合金纳米棒，Al组分可调范围为0.88≤x≤0.92。该方法工艺简单、重复性好、无相分离、生产成本低、没有添加任何催化剂和模板，易于工业推广应用。
- 一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置-201910172979.3
- 李强;张嵩;王军山;董增印;兰飞飞;王再恩;刘金鑫;张志欣 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 2019-03-07 - 2019-04-26 - C30B29/40
- 本发明公开了一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置。本装置在内部设计了籽晶夹具、反应容器、载物台等结构，在进行单晶外延生长时，降低载物台高度，可防止籽晶与未达到氮原子浓度过饱和的金属熔融液接触，从而避免了籽晶分解，防止表面质量劣化；传动杆连接的电机带动反应腔托盘转动，使反应容器及其内部坩埚与籽晶夹具产生相对转动，实现籽晶夹持杆对金属熔融液的搅拌，改善其内部的氮原子浓度均匀性，从而达到提高籽晶周围氮原子浓度的目的，避免晶体贫氮；半密封式的反应容器结构能够减少晶体生长过程中钠蒸气的逸出并阻挡外界杂质气氛，从而使金属钠能够持续发挥助熔剂的作用，为氮化镓单晶外延提供稳定、纯净的生长条件。
- 一种光气耦合晶体生长装置-201811608221.1
- 李成明;杨功寿;陈建;倪绿军;郑小平;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
- 2018-12-27 - 2019-04-19 - C30B29/40
- 本发明涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本发明的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。
- 晶体生长的加热装置及生长装置-201811640596.6
- 段满龙;赵有文 - 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
- 2018-12-29 - 2019-04-09 - C30B29/40
- 本发明公开了一种晶体生长的加热装置，涉及晶体生长技术领域；包括从上到下依次设置的多个独立的加热单元；每个加热单元均包括壳体、保温层及加热炉丝；所述壳体为空心柱体；每个加热单元的壳体表面分别螺旋缠绕有所述加热炉丝；所述保温层设在所述壳体与加热炉丝外；上下相邻的两个加热单元可拆卸连接；多个加热单元的壳体围成一空腔；各加热单元自由组合、单独更换，在使用过程中若出现局部加热丝断裂后直接更换损坏的加热单元即可，不用报废整个加热炉，可大幅度提高加热炉的利用率及降低使用成本。
- 一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方-201310079877.X
- 关活明 - 台山市华兴光电科技有限公司
- 2013-03-12 - 2019-04-02 - C30B29/40
- 本发明涉及一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方，该配方按原料重量百分比组成为：InP多晶料97.00～98.50％，三氧化二硼0.75～1.50％，红磷1.00～1.50％，铁0.02～0.03％。本发明可以获得高质量、大直径InP单晶，且生产效率高，同时晶片上的性能均匀和稳定且寿命长，制备出来的<100>InP单晶和单晶片经过测试其电阻率在107Ω·cm以上。
- III-V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法-201811037236.7
- 森勇介;吉村政志;今出完;今西正幸;森数洋司;田畑晋;诸德寺匠 - 株式会社迪思科;国立大学法人大阪大学
- 2018-09-06 - 2019-03-29 - C30B29/40
- 本发明提供一种容易将III‑V族化合物晶体从基板分离(剥离)的III‑V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法。本发明的III‑V族化合物晶体的制造方法包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板(11)上形成有III‑V族化合物晶种(12a)的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将III‑V族化合物晶种(12a)的与基板(11)接触的部分的一部分从基板(11)分离；以及晶体生长工序，在上述晶种一部分分离工序后，以III‑V族化合物晶种(12a)作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III‑V族化合物晶体(12)并使其生长。
- 一种用于制备磷化铟单晶的高压炉-201820521233.X
- 文松;葛如松 - 深圳市东一晶体技术有限公司
- 2018-04-06 - 2019-03-19 - C30B29/40
- 本实用新型公开了一种用于制备磷化铟单晶的高压炉，包括支架和炉体，所述炉体的内壁贴合有磁场线圈，所述磁场线圈内壁贴合有隔热层，所述隔热层内壁贴合有加热线圈，所述加热线圈内壁贴合有耐热层，所述耐热层内壁下端卡装有坩埚固定座，所述坩埚固定座上端卡装有坩埚，所述坩埚的外壁贴合耐热层的内壁，所述炉体的上端卡装有上封帽，所述炉体的下端卡装有下封帽，所述上封帽与下封帽之间贯穿有紧固螺杆，且紧固螺杆螺装有螺帽；在VGF生长炉炉腔内，设置均匀磁场线圈，产生诱导磁场，在单晶生长期间制造10‑20高斯的均匀磁场，结合子晶的磁性诱导，促使晶体的晶相一致性得到大幅加强，从而提高单晶体的成晶率。
- 一种光调制局部加强的晶体生长装置-201811615323.6
- 李成明;杨功寿;陈建;倪绿军;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
- 2018-12-27 - 2019-03-08 - C30B29/40
- 本发明涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置，包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件，反应釜设有入射窗口，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间，通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束，与现有技术相比，本发明增设有光束整型元器件，激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内，光束整型元器件可汇聚或减弱光束，光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域，从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整，有效局部地增强或减弱晶体生长速率。
- 一种可控悬浮晶体生长反应釜-201811608232.X
- 李成明;杨功寿;陈建;倪绿军;郑小平;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
- 2018-12-27 - 2019-03-01 - C30B29/40
- 本发明公开了一种可控悬浮晶体生长反应釜，包括反应釜体、籽晶和设置在该反应釜体内的坩埚，所述坩埚内装载有反应溶液，所述籽晶设于反应溶液内，还包括位于坩埚内的悬浮装置，所述籽晶与所述悬浮装置连接，所述悬浮装置可在反应溶液内上升或下降以调整所述籽晶在反应溶液内的位置，与现有技术相比，本发明通过增加了悬浮装置，悬浮装置能够在反应溶液中实现上浮或下沉动作，籽晶装设在悬浮装置上，实际应用中，通过调节悬浮装置在反应溶液中的位置，籽晶可以随悬浮装置连动而上浮或下沉到反应溶液内任意位置，由此可根据生长过程调整籽晶在反应溶液中的位置，有利于籽晶生长的各方面可控，保证籽晶一直处在最佳的反应溶液环境，进而大大加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。
- 一种电辅助的氮化物晶体生长装置及方法-201610966496.7
- 李成明;王琦;胡耀华;巫永鹏;陈蛟;张耿;郑小平;卢洪;李顺峰;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
- 2016-10-28 - 2019-02-19 - C30B29/40
- 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
- 一种低位错锑化铟<111>方向单晶的制备方法-201811444472.0
- 刘世能;李忠良;叶薇;陈建才;何雯瑾;太云见;赵鹏;黄晖 - 云南北方昆物光电科技发展有限公司
- 2018-11-29 - 2019-01-29 - C30B29/40
- 本发明涉及一种低位错锑化铟<111>方向单晶的制备方法，属于光电材料技术领域。所述方法主要对拉晶过程中温度、籽晶提拉速度以及放肩角度进行调控，实现直拉法生长锑化铟<111>方向单晶，拉晶结束对形成的锑化铟<111>方向单晶进行原位的退火处理，能够大大降低所制备的锑化铟<111>方向单晶的位错，使直径为50mm左右的大尺寸锑化铟<111>方向单晶的位错低密度于30个/cm2。采用锑化铟<111>方向低位错单晶制备的红外探测器的性能更稳定，所述方法大大拓宽了锑化铟<111>方向单晶在红外探测器上的应用。
- 专利分类
