[发明专利]多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件有效
| 申请号： | 200810107025.6 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101624724A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 卡罗·保迪;玛太罗·玛塞里;皮艾罗·斯凯德拉 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C01B33/03 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶硅棒生产结束后的转移取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，特别是涉及一种一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法及其取棒装置和取棒装置组合件，面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶硅棒，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒，再一次性取次外圈圆环上的多晶硅棒，依次从外到里，一圈圈地取出所有多晶硅棒。取棒装置是由壁、空腔组成；取棒装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶硅棒的接触件。降低了在转移过程中多晶硅棒被污染的风险；使用本发明，大大简化了生产工艺，减少了转移多晶硅棒所需时间，降低了多晶硅生产周期；同时解决了操作工容易被多晶硅棒刮伤的危险。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 方法 及其 装置 组合 | ||
【主权项】：
1、一次能取出多根多晶硅棒的取棒方法，其特征在于：面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶硅棒(7)，先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶硅棒(7)，再一次性取次外圈圆环上的多晶硅棒(7)，依次从外到里，一圈圈地取出所有多晶硅棒(7)。
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- 本发明涉及一种48对棒多晶硅还原炉，尤其是涉及电化学反应制造多晶硅的还原炉。包括炉体（1）和底盘（2），炉体（1）带有冷却水腔，底盘（2）带有水冷式结构，在底盘（2）上分四个圆周均匀设置48对即96个电极（4），其中，在底盘（2）的最外一圈设置18对电极（4），第二圈设置14对电极（4），第三圈设置10对电极（4），最内一圈设置6对电极（4），所述电极（4）的正极和负极在底盘（2）上逐一间隔设置。本发明涉及的多晶硅还原炉内部结构布局合理，单台还原炉的产量比现有的还原炉提高很多，大幅度降低了每公斤多晶硅的相对生产电耗，使多晶硅的综合能耗和生产成本也相应降低。
- 降低多晶硅片翘曲度的装置-201110231808.7
- 江笠 - 上海合晶硅材料有限公司
- 2011-08-14 - 2012-02-08 - C30B28/14
- 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置，包括反应炉管，其特征在于，所述反应炉管底部设置有弥散管，弥散管两端均设置有进口；弥散管管壁上设置有多个通孔；弥散管通过通孔与反应炉管连通。本发明通过选择合适的装置，在硅片表面生长多晶薄膜后，WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。
- 降低多晶硅片翘曲度的方法-201110231809.1
- 江笠 - 上海合晶硅材料有限公司
- 2011-08-14 - 2012-02-08 - C30B28/14
- 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的方法，其特征在于，向反应炉管内通入硅烷气体，在反应炉管内温度为600℃～680℃下，在硅片表面生长多晶硅薄膜。本发明通过选择合适的装置和方法，在硅片表面生长多晶薄膜后，WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。
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