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[发明专利]一种多晶硅还原生产工艺及装置-CN201210348552.2有效
发明人：陈喜清;银波;潘小龙;陈朝霞;张伟;刘桂林 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原生产工艺，包括步骤：a1、将液态三氯氢硅通过三氯氢硅汽化器汽化得到气态三氯氢硅；a2、与步骤a1同时，将氢气预热得到热氢气；a3、将气态三氯氢硅和热氢气按照氢过量的配比通过静态混合器混合均匀，形成原料混合气；a4、将原料混合气体通过恒温换热器升温并达到恒温状态；a5、将恒温后的混合气送入还原炉。本发明工艺流程能耗低、多晶硅沉积速度高、三氯氢硅一次转化率高。本发明同时公开了一种多晶硅还原生产装置。
一种多晶还原生产工艺装置

[实用新型]一种三氯氢硅合成炉废硅粉回收装置-CN201220343122.7有效
发明人：刘兴平;呼维军;涂江 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：一种三氯氢硅合成炉废硅粉回收装置，包括合成炉和硅粉收集罐，合成炉通过金属软管与硅粉收集罐的接口连通，具体的说，所述合成炉的底部具有锥体结构，所述锥体结构的两端分别与氮气进口管线和正常氯化氢进气管线连通，在所述合成炉的锥体结构上部侧壁上设有硅粉泄放阀，硅粉泄放阀通过金属软管与硅粉收集罐侧壁上的接口连接，在所述硅粉收集罐顶部的氮气出口处设有布袋过滤器。本实用新型的有益效果如下：本实用新型提供的回收装置，工艺简单，工艺条件易于实现，且操作方便；再生产中可以将合成炉内废旧硅粉全部回收再使用，同时回收时不会对人员身体产生粉尘危害。
一种三氯氢硅合成炉废硅粉回收装置

[发明专利]纳米铂催化氢化四氯化硅的方法-CN201210346131.6有效
发明人：刘桂林;李西良 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米铂催化氢化四氯化硅的方法，四氯化硅与氢气混合后在包括以下条件下进行反应：（1）催化剂为纳米铂；（2）光照；（3）反应温度为20-400℃。本发明采用纳米铂催化四氯化硅的氢化反应，在有光照的条件下，四氯化硅与氢气的反应温度可降至400℃以下，反应压力在0.6MPa以下，而四氯化硅转化率达到20～35%，该方法对设备要求低，具有能耗低、转化率高的优点。
纳米催化氢化氯化方法

[发明专利]一种破碎多晶硅的方法及其装置-CN201210346137.3有效
发明人：刘桂林;银波;胡光健;周慧 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。本发明所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用水电效应破碎多晶硅，可实现大规模破碎生产，并且工艺简单；本发明所提供的多晶硅破碎装置，结构简单、安全，易于操作；本发明不仅避免了现有技术中出现的金属污染问题，而且破碎均匀，有效的减少了多晶硅粉末的形成，对提高企业效益方面具有非常重要的意义。
一种破碎多晶方法及其装置

[发明专利]一种氢化尾气、还原尾气热能回收工艺及系统-CN201210348641.7无效
发明人：张伟;陈喜清;陈朝霞;叶冬梅;张吉武 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化尾气、还原尾气热能回收工艺，包括步骤：a1、将80～150℃的尾气通过水冷器与循环水换热降温以后，尾气温度降至40～60℃；a2、40～60℃的尾气与解析出的，由低温-40℃氯化氢液体通过汽化器进行换热，将-40℃氯化氢液体加热成10～20℃氯化氢气体供三氯氢硅合成使用；a3、通过旁路阀调节40～60℃的尾气进入汽化器的流量，控制汽化器中-40℃液态氯化氢的汽化量及汽化器的氯化氢出口温度。本发明实现了对氢化尾气或还原尾气携带的大量热量以及-40℃氯化氢液体携带的大量冷量进行综合利用。本发明同时公开一种氢化尾气、还原尾气热能回收系统。
一种氢化尾气还原热能回收工艺系统

[发明专利]一种多晶硅尾气干法回收中热能回收工艺及系统-CN201210348632.8无效
发明人：张伟;陈喜清;陈朝霞;叶冬梅;张吉武 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅尾气干法回收系统中热能回收工艺，包括步骤：a1、120～150℃的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器，对合成解析塔塔釜进行加热；a2、通过旁路阀调节120～150℃的氢化或还原贫液氯硅烷进入合成解析塔再沸器的流量，控制合成解析塔的釜温；a3、经过合成解析塔再沸器换热后的氢化或还原贫液氯硅烷进入冷却器中进行水冷，将氢化或还原贫液氯硅烷降温至30～40℃。本发明实现多晶硅尾气干法回收系统合成解析塔塔釜采用120～150℃氢化或还原贫液氯硅烷作为热源进行塔釜加热，减少了合成尾气热能回收系统蒸汽的消耗，有效的利用了多晶硅尾气干法回收系统中解析后的120～150℃氢化或还原贫液氯硅烷所携带的热量。本发明同时公开了一种多晶硅尾气干法回收中热能回收系统。
一种多晶尾气回收热能工艺系统

[实用新型]调节阀油封装置-CN201220202998.X有效
发明人：张兆东;运利花 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： F16K41/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种调节阀油封装置，尤其适用于多晶硅行业强腐蚀易结晶环境，能够保持和提高调节阀灵敏度的装置。所述装置包括油封与油封座，所述油封压在油封座内径，油封座固定在调节阀内，处于调节阀填料密封以外的外露阀杆置于所述油封座内；油封为骨架油封，油封的内径与阀杆为过盈配合；油封座为筒形，内部设有凸棱，凸棱上安装油封。本实用新型涉及的这种调节阀油封装置可有效地防止氯化氢气体、水、油泥、砂尘对阀杆外露部分的侵蚀，特别适用于多晶硅行业现场使用且简单快捷，提高了阀门的灵敏度。
调节阀油封装置

[实用新型]一种涡街流量计检测装置-CN201220205615.4有效
发明人：罗志强;运利花 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01F25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种涡街流量计检测装置，包括依次电连接的检测信号生成装置、信号处理单元与显示单元。本实用新型所述涡街流量计检测装置，可以克服现有技术中适用范围小、费用高、实用性差与检测精度低等缺陷，以实现适用范围大、费用低、实用性好与检测精度高的优点。
一种流量计检测装置

[实用新型]基于DCS系统智能机柜温度控制系统-CN201220205614.X有效
发明人：宋永刚 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G05D23/19 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于DCS系统智能机柜温度控制系统，包括机柜温度检测单元，机柜温度转换单元，机柜温度程序控制单元，风机电源控制单元，机柜冷却风机单元；所述机柜温度检测单元检测的机柜温度信号，经机柜温度转换单元传递给机柜温度程序控制单元，该机柜温度程序控制单元对该温度信号进行判断，并根据判断结果控制风机电源控制单元动作，所述风机电源控制单元驱动机柜冷却风机单元动作。通过在机柜中增加温度检测模块，通过DCS系统本身存在的通道进行数据的传输，完成相应的程序编写，便可以对机柜温度进行监控，因而该系统具有通用性，适合所有的DCS系统。并且降低了用户的使用成本。
基于 dcs 系统智能机柜温度控制系统

[实用新型]一种CVD还原炉电极及其绝缘装置-CN201220205976.9有效
发明人：潘小龙;陈喜清;白冬松;杨磊 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种CVD还原炉电极及其绝缘装置，电极为T形，在电极的中部有环槽，绝缘装置包括氮化硅瓷环，四氟绝缘套，四氟绝缘筒，氟橡胶O型圈，四氟垫片及绝缘纸。四氟绝缘套呈T形，套装在电极外并位于电极的T形凸台下方。四氟绝缘筒套装在电极外，其上端与四氟绝缘套下端呈承插连接结构。四氟绝缘套与四氟绝缘筒的连接处与电极中部的环槽相对应，环槽内缠绕有若干层绝缘纸。本实用新型可提高还原炉效率，降低工作强度，提高产品质量，提高安全系数，节约生产成本。
一种 cvd 还原电极及其绝缘装置

[实用新型]一种氢化炉用组合式绝缘密封装置-CN201220202997.5有效
发明人：李长生;王文;刘微玲;马蕊蕊;周琴;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氢化炉用组合式绝缘密封装置，包括：大瓷环、小瓷环、绝缘套、绝缘瓷、绝缘垫、环形绝缘瓷及O形圈，小瓷环外套有大瓷环，绝缘套为T型套，绝缘套外部套有绝缘瓷及绝缘垫，绝缘套边沿下表面与绝缘瓷的上表面贴合，绝缘垫上表面与绝缘瓷下表面贴合，环形绝缘瓷和O形圈均为两个，O形圈与环形绝缘瓷间隔排列于绝缘套下方，环形绝缘瓷与所述绝缘套下表面贴合。本实用新型所述氢化炉用组合式绝缘密封装置，可以克服现有技术中不耐高温、绝缘等级低且易损坏等缺陷，以实现耐高温、延长使用周期、避免电极和底盘间造成短路停炉事故的优点。
一种氢化组合式绝缘密封装置

[实用新型]一种降低氢气中水含量装置-CN201220206989.8有效
发明人：王东;胡国鑫;李成云 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C01B3/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低氢气中水含量装置，包括脱氧塔、干燥塔，所述脱氧塔进气口连接有进气管，所述脱氧塔出气口通过安装有阀门的管道与分离器进气口连接，所述分离器出气口通过安装有阀门的管道与干燥塔进气口连接，所述干燥塔出气口连接有出气管，所述分离器的还设置有冷凝液排出管、低温出水管和低温进水进管。本实用新型能有效降低干燥塔的负荷，同时提高氢气纯度。
一种降低氢气中水含量装置

[发明专利]一种三氯氢硅合成炉废硅粉回收方法及装置-CN201210245222.0有效
发明人：刘兴平;呼维军;涂江 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：一种三氯氢硅合成炉废硅粉回收方法，包括合成炉和硅粉收集罐，具体操作步骤包括，A、在合成炉正常停车后，对合成炉进行置换；B、在置换合格后，将合成炉底部硅粉泄放阀与硅粉收集罐通过金属软管进行相连，通过氮气进口管线向合成炉通入氮气；C、打开硅粉泄放阀，氮气连同硅粉被带入硅粉收集罐，氮气通过硅粉收集罐顶部布袋过滤器被放空，使硅粉被收集到硅粉收集罐内，实现了硅粉的全部回收使用。本发明的有益效果如下：本方法工艺简单，工艺条件易于实现，且操作方便；再生产中可以将合成炉内废旧硅粉全部回收再使用，同时回收时不会对人员身体产生粉尘危害。本发明同时公开了三氯氢硅合成炉废硅粉回收装置。
一种三氯氢硅合成炉废硅粉回收方法装置

[发明专利]工业级四氯化硅的处理工艺-CN201210141828.X有效
发明人：周玲英 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明属于化工提纯领域，提供一种将工业级四氯化硅处理成高纯四氯化硅工艺。该工艺步骤如下：先将粗四氯化硅进入脱重塔，脱重塔塔顶采出物作为初级产品进入缓冲罐，脱重塔塔釜采出物为高沸点杂质和固体杂质；缓冲罐中的初级产品再进入脱轻塔，脱轻塔塔顶的气相物料作为热源进入脱重塔的再沸器，再经过冷凝器冷却，脱轻塔塔釜采出物通过压差进入二级脱重塔；二级脱重塔塔釜采出物回流作为脱重塔的进料，二级脱重塔塔顶采出物即为最终产品。本工艺可以防止原料中的固体杂质和高沸点粘性物质堵塞后续精馏塔的进料管道，对原料质量要求低，适用于处理各种不同来源的工业级四氯化硅，通过脱重塔与脱轻塔的热耦合精馏，节约了能源消耗。
工业氯化处理工艺

[发明专利]一种涡街流量计检测装置-CN201210141562.9有效
发明人：罗志强;运利花 -专利权人： 特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G01F25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种涡街流量计检测装置，包括依次电连接的检测信号生成装置、信号处理单元与显示单元。本发明所述涡街流量计检测装置，可以克服现有技术中适用范围小、费用高、实用性差与检测精度低等缺陷，以实现适用范围大、费用低、实用性好与检测精度高的优点。
一种流量计检测装置

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