[发明专利]一种具有超结结构的功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811276121.3 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109411529B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京多基观测技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 211500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超结结构的功率器件及其制作方法，该具有超结结构的功率器件包括位于终端区内的超结结构，所述超结结构包括至少一个第一导电类型的第一半导体柱及至少一个第二导电类型的第二半导体柱，第一半导体柱与第二半导体柱横向交替排布；超结结构还包括第二隔离层和第三隔离层，第二隔离层与第二半导体柱的一端连接；第三隔离层与第一半导体柱的一端连接。本发明所述具有超结结构的功率器件中的所述超结结构相当于多个PN结并联，其可通过较大的漏电流，从而起到对所述具有超结结构的功率器件的有源区进行保护的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有超结结构的功率器件，其特征在于，包括：基片，所述基片包括第一导电类型的衬底和位于所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层；所述基片上设置有有源区和邻接所述有源区的终端区；位于所述终端区内设置有贯穿所述外延层且底部连接所述衬底的沟槽；形成于所述沟槽的侧壁的第一隔离层；形成于所述沟槽内且位于所述第一隔离层之间的超结结构，所述超结结构包括至少一个第一导电类型的第一半导体柱及至少一个第二导电类型的第二半导体柱，所述第一半导体柱与所述第二半导体柱横向交替排布；所述超结结构还包括第二隔离层和第三隔离层，所述第二隔离层位于所述衬底上表面且与所述第二半导体柱的一端连接；所述第三隔离层与所述第一半导体柱的一端连接，所述第一半导体柱的另一端与所述衬底连接；连接所述第二半导体柱的另一端的第一金属层；位于所述衬底的下表面的第二金属层。
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