[发明专利]一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构在审
| 申请号： | 201811260458.5 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111106086A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构的形成方法，包括：提供金属层；在所述金属层上形成保护层，在所述保护层形成开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘；在所述保护层靠近所述开口的侧壁形成斜面，所述斜面延伸面与所述金属层所在平面具有第一夹角；其中，在形成所述开口的同时在所述保护层的开口区域周围形成若干孔洞，再通过热回流方法，使所述孔洞坍塌内缩，从而在所述开口的侧壁形成斜面；在所述开口中形成焊球并向外延伸出引线。本发明还提供一种焊盘结构。本发明通过在保护层靠近开口的侧壁形成斜面，可使引线平缓地越过保护层，从而降低引线的应力，进而提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 形成 方法 盘结 | ||
【主权项】：
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