[发明专利]内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的分布反馈激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811193825.4 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109286133A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 廖晨 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/30 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的分布反馈激光器及其制备方法，该分布反馈激光器包括依次向上设置的石英基板、内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的二氧化硅周期光栅。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的碲化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益，通过在碲化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的碲化银锌合金壳，来构建平缓的界面势垒和钝化碲化银量子点的表面，能够进一步降低光增益阈值。二氧化硅的光热稳定性远高于有机聚合物。用内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的二氧化硅薄膜制备周期光栅，最终能够获得低阈值、高稳定性和环境友好的分布反馈近红外量子点激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化银 壳量子点 锌核 分布反馈激光器 量子点 二氧化硅 量子态 简并 制备 二氧化硅薄膜 光热稳定性 量子点表面 有机聚合物 点激光器 分布反馈 高稳定性 红外量子 环境友好 近红外光 石英基板 向上设置 制备周期 周期光栅 逐渐增加 光栅 光增益 界面势 锌合金 锌元素 包覆 钝化 构建 铅盐 替代 | ||
【主权项】：
1.一种内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的分布反馈激光器，其特征在于：包括依次向上设置的石英基板(3)、内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的二氧化硅周期光栅(4)。
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- 2016-12-30 - 2017-07-07 - H01S5/125
- 本实用新型提供了一种半导体激光器，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
- 一种基于布拉格相移光栅的电光调制器-201710043766.1
- 肖经;王泉;韦启钦;刘平 - 桂林电子科技大学
- 2017-01-19 - 2017-05-31 - H01S5/125
- 本发明公开了一种基于布拉格相移光栅的电光调制器，其特征是，包括基底层、下波导层和上波导层，所述下波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，布拉格光栅的中间位置设有相移结构，相移结构将布拉格光栅分成大小相同的2个光栅结构，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层的宽度尺寸、上波导层的宽度尺寸，基底层的上表面还设有电极。这种电光调制器结构尺寸小、传输损耗低、调制效率高，另外还具有工艺简单，易集成于CMOS集成电路的特点。
- 一种半导体激光器及其制作方法-201611256072.8
- 周坤;唐淳;高松信;马毅;仁怀瑾;李弋;杜维川;杨小波;谭昊;孟慧成;彭珏;康俊杰 - 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 2016-12-30 - 2017-04-26 - H01S5/125
- 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
- 分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器-201410206087.8
- 姚辰;曹俊诚 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2014-05-15 - 2017-02-08 - H01S5/125
- 本发明提供一种分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，包括多模波导及分别形成于所述多模波导两侧的DBR光栅波导，其中，所述多模波导的宽度至少为所述DBR光栅波导宽度的两倍。本发明采用宽度较宽的多模波导与宽度较窄的DBR光栅波导组合设计，可以同时实现单横模激射和单纵模激射；并且具有更大的增益面积及更高的输出光功率，可以提高出光光束的质量和收集效率，且器件更加小巧。本发明的DBR光栅波导通过波导宽度的周期性变化实现反馈，其上下电极可采用整片金属，具有更均匀的注入电流，易于实现激光波长调谐和上电极引线键合，提高了器件的成品率和工作稳定性，同时减少了太赫兹激光的功率损失。
- 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法-201610996866.1
- 酉艳宁 - 北京青辰光电科技有限公司
- 2016-11-14 - 2017-01-18 - H01S5/125
- 本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。
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