[发明专利]集成耗尽增强管的制备方法在审
| 申请号： | 201811076167.0 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109360807A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 孙晓儒;徐栋 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8236 | 分类号： | H01L21/8236;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种集成耗尽增强管的制备方法，包括如下步骤，选用N型晶向衬底，在衬底上设置隔离区、第一增强区及第一耗尽区，对第一增强区、第一耗尽区进行耐压环区光刻，对耐压环区进行注入、推进和氧化，形成隔离区内的P型掺杂扩散，在对第一增强区、第一耗尽区进行栅极氧化时，沉积多晶硅：再对二者的栅极进行多晶注入，然后进行光刻、腐蚀，再进行NSD注入，同时在多晶上形成多个PN结从而形成耗尽区增强区的源区，最后进行溅射光刻、钝化沉积和背面蒸发。集成耗尽增强管的制作方法使得在增强管的制造过程中同时集成融合耗尽管，通过集成了抗ESD功能器件，可有效增强器件抗ESD能力。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽区 增强管 增强区 光刻 耗尽 衬底 多晶 环区 耐压 沉积 制备 抗ESD能力 功能器件 制造过程 多晶硅 隔离区 钝化 溅射 晶向 源区 背面 蒸发 腐蚀 隔离 扩散 融合 制作 | ||
【主权项】：
1.一种集成耗尽增强管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，选用N型晶向衬底，在衬底上设置隔离区、第一增强区及第一耗尽区，对第一增强区、第一耗尽区进行耐压环区光刻，对耐压环区进行注入、推进和氧化，形成隔离区内的P型掺杂扩散，在对第一增强区、第一耗尽区进行栅极氧化时，沉积多晶硅：再对二者的栅极进行多晶注入，然后进行光刻、腐蚀，再进行NSD注入，同时在多晶上形成多个PN结从而形成耗尽区增强区的源区，最后进行溅射光刻、钝化沉积和背面蒸发。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
