[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201811026716.3 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875200B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 罗海龙;克里夫·德劳利 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/16 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆以及键合于器件晶圆上的多个第一芯片，器件晶圆上具有覆盖第一芯片的第一封装层，第一芯片包括形成有第一焊盘的芯片正面以及与芯片正面相背的芯片背面，芯片正面朝向器件晶圆；刻蚀第一封装层，形成露出至少一个第一芯片的第一开口，且第一开口露出的芯片背面适于加载信号；形成覆盖第一开口露出的第一芯片、第一开口底部和侧壁、以及第一封装层顶部的金属层结构；对芯片背面和金属层结构进行合金处理，使芯片背面的金属层结构作为背金层；形成覆盖背金层和金属层结构的第二封装层。本发明在芯片背面形成背金层，作为第一芯片的背面电极，从而根据实际工艺需求对芯片背面加载信号。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路（宁波）有限公司，未经中芯集成电路（宁波）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811026716.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆级封装方法及封装结构
- 下一篇：晶圆级封装方法以及封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
