[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 201811026706.X | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110875268A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 罗海龙;克里夫·德劳利 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装方法及封装结构，晶圆级封装方法包括：提供集成有第一芯片的器件晶圆，器件晶圆包括集成有第一芯片的第一正面以及与第一正面相背的第一背面；在第一正面形成第一氧化层；提供待集成的第二芯片，第二芯片具有待键合面；在待键合面上形成第二氧化层；将第二芯片背向第二氧化层的表面临时键合于承载基板上；在承载基板上形成露出第二氧化层顶部的封装层；通过第一氧化层和第二氧化层，采用低温熔融键合工艺实现器件晶圆和第二芯片的键合。一方面，封装层对第二芯片起到支撑作用，提高熔融键合工艺的可操作性；另一方面，通过低温熔融键合工艺，第一氧化层和第二氧化层实现键合且键合强度大，从而提高封装成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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