[发明专利]一种新型发光二极管量子阱及其制备方法有效

申请号：	201811022466.6	申请日：	2018-09-03
公开（公告）号：	CN109300853B	公开（公告）日：	2022-03-15
发明（设计）人：	孙旭东;祝光辉;任亮亮;曾海军	申请（专利权）人：	淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
主分类号：	H01L21/86	分类号：	H01L21/86;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32
代理公司：	淮安市科文知识产权事务所 32223	代理人：	李锋
地址：	223001***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明属于半导体技术领域，提供了一种新型发光二极管量子阱及制备方法，包括蓝宝石衬底以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、应力释放层、多量子阱结构以及p型氮化镓层；所述多量子阱结构包括5～15个周期量子阱结构单元，每个量子阱结构单元包括纯氮气环境生长的铟镓氮量子阱区、纯氮气环境生长的AlxGa1‑xN Cap区以及纯氢气环境生长的AlmGa1‑mN量子垒区。本发明纯氮气环境生长的铟镓氮量子阱区与AlxGa1‑xN Cap区，得到铟组分掺杂良好的铟镓氮量子阱区。纯氢气环境下生长的AlmGa1‑mN量子垒区，生长缺陷少，晶体质量得到改善。
搜索关键词：	一种新型发光二极管量子及其制备方法
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【主权项】：

1.一种新型发光二极管量子阱，其特征在于，所述的新型发光二极管量子阱包括蓝宝石衬底以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、应力释放层、多量子阱结构以及p型氮化镓层；所述多量子阱结构包括5～15个周期量子阱结构单元，每个量子阱结构单元包括纯氮气环境生长的铟镓氮量子阱区、纯氮气环境生长的AlxGa1‑xN Cap区以及纯氢气环境生长的AlmGa1‑mN量子垒区；所述的铟镓氮量子阱区的生长厚度为3～5nm；所述的AlxGa1‑xN Cap区的生长厚度为0.5～2nm，其中0＜x≦0.3；所述的AlmGa1‑mN量子垒区生长厚度为5～15nm，其中0.2≦m≦0.6；所述的AlxGa1‑xN Cap区与AlmGa1‑mN量子垒区，均掺入硅烷。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种新型发光二极管量子阱及其制备方法有效

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