[发明专利]一种GaN水平纳米线电子器件制备方法有效
申请号: | 201710287542.5 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107195586B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 何苗;王志成;丛海云;郑树文 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L21/86 | 分类号: | H01L21/86;H01L27/12;H01L29/06;H01L31/0352 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 胡辉 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法,直接在衬底上生长水平GaN纳米线,并通过光刻工艺制备方形电极阵列,采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2;通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属铂,并引出金属铂连接至另一个方形电极。本发明通过在衬底上直接生长水平GaN纳米线,其与衬底粘结性强,同时将纳米线结构紫外探测器和纳米线场效应管集成在一起,无需转移纳米线,不仅增强器件性能稳定性,同时减少材料缺陷,缩小器件尺寸,提高应用范围。本发明作为一种GaN水平纳米线电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 gan 水平 纳米 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种GaN水平纳米线电子器件制备方法,其特征在于,包括有以下步骤:将衬底放进4:1的硫酸、双氧水中浸泡4min,取出后用去离子水冲洗;将衬底放入丙酮溶液中80℃超声清洗10min,然后再放入乙醇溶液中80℃超声清洗10min,取出后用去离子水冲洗;使用真空镀膜机在衬底表面镀上金属薄膜;在氢化物气相外延生长设备中,通过气液固相生长方法在蒸镀有催化剂的衬底上生长水平纳米线;将生长有水平GaN纳米线的衬底放入王水中浸泡30s;通过匀胶、前烘、后烘、曝光、显影工序在生长有水平GaN纳米线的衬底上光刻100*100mm的方形电极阵列;所述方形电极阵列中的第一方形电极和第二方形电极分别连接至纳米线的两端;使用真空镀膜机在光刻好的衬底上蒸镀金属薄膜;采用等离子体增强化学的气相沉积设备沉积厚度为
的SiO2;所述厚度为
的SiO2覆盖在水平纳米线上;通过聚焦离子束工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属铂,并引出金属铂连接至方形电极。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造