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[实用新型]一种除尘筛分设备及除尘筛分系统-CN202320301679.2有效
发明人：柴玉奇;占程;魏涛;张慧彬;秦利俊;杨洪强;张正旋;陆飞;柏兴银;赵燕成;任兴华;陈增发;李明 -专利权人：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B07B1/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种除尘筛分设备及除尘筛分系统，涉及筛分设备的技术领域。除尘筛分设备包括壳体、驱动装置和吹扫装置；壳体设有进风口、出风口、进料口、第一出料口、第二出料口和至少一层筛板；筛板位于壳体内，且其与第一出料口数量相等且一一对应；第二出料口位于壳体底部；进料口设置于筛板上方；出风口位于壳体侧壁并靠近壳体底部；进风口位于壳体顶部；驱动装置装设于壳体底部以驱动壳体直线往复运动；吹扫装置装设于进风口以向筛板吹扫空气；除尘筛分系统包括至少两台除尘筛分设备；各除尘筛分设备首尾相接本申请通过顶部进风，侧壁出风的除尘方式，达到提高筛分质量的效果。
一种除尘筛分设备系统

[发明专利]一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法-CN202310532339.5在审
发明人：刘新科;月文;陈增发;黎晓华;黄双武;贺威 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明公开一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法，包括：在氮化镓一侧区域注入He离子形成第一高阻区，生长外延层；在氮化镓的另一侧区域注入镁离子制备JFET的第一P阱区和第二P阱区，在第一高阻区的区域制备保护结构中二极管的P型区；用He离子注入方式在第二P阱区和保护结构中二极管的P型区之间制备第二高阻区；在保护结构中二极管的P型区的一侧的器件表面注入He离子形成第三高阻区作为保护结构中电容极板之间的介质层，对第三高阻区的两边刻蚀形成两个凹槽；在第三高阻区的两个凹槽内沉积铜得到栅极，在第一P阱区和第二P阱区表面蒸镀金属膜制备栅极，在保护结构中二极管的P型区的表面蒸镀金属膜制备源极，在第一P阱区和第二P阱区的中间区域制备源极，在氮化镓背面蒸镀金属膜制备漏极。
一种保护结构氮化 jfet 制备方法

[发明专利]一种基于n型氮化镓的GAA-HEMT反相器的制备方法-CN202211559928.4在审
发明人： 陈增发;高麟飞;蒋忠伟;黄双武;贺威;黎晓华;刘新科 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开基于n型氮化镓的GAA‑HEMT反相器的制备方法，包括：S1在GaN单晶衬底生长氧化铝，制作阻挡层刻蚀中部并沉积金属栅极；S2刻蚀栅极中部形成凹槽，沉积氧化铝，刻蚀氧化铝的中间和两边，在刻蚀区域生长GaN纳米片以及生长AlGaN纳米片后掺入Si，生长GaN纳米片掺入Mg形成p‑GaN纳米片；S3刻蚀p‑GaN纳米片使其宽度和栅极相同，在两层纳米片的厚度方向蒸镀金属膜制备源极和漏极，在器件表面生长氧化铝覆盖p‑GaN纳米片和AlGaN纳米片，沉积金属栅极覆盖氧化铝形成E‑mode GaN；S4生长氧化铝，刻蚀氧化铝中部沉积金属栅极，并按S2和S3的方式在制备GaN纳米片、AlGaN纳米片、源极和漏极，生长氧化铝覆盖AlGaN纳米片，沉积金属栅极覆盖氧化铝形成GAA结构的D‑mode GaN。
一种基于氮化 gaa hemt 反相器制备方法

[发明专利]一种GAAFET器件及其制备方法-CN202210067718.7有效
发明人：刘新科;高麟飞;陈增发;黄双武;宋利军;吴钧烨;黎晓华;贺威 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种GAAFET器件及其制备方法，本发明的GAAFET器件在现有的增强型和耗尽型GaN HEMT的结构上采用金刚石隔离且与衬底下面金刚石相连，其优势是：由于现有的增强型和耗尽型GaN HEMT集成散热晶体管导通时，两个MOS管之间采用金刚石接触，且金刚石从衬底下直到顶层电极，与传统增强型和耗尽型GaN HEMT的结构相比，更有效地散热，更长时间的正常工作，更高的输出电流密度。由于器件两侧采用离子注入，与采用刻蚀工艺结构相比，应力损伤小，形成的器件缺陷小，电学性能更好且更稳定。本发明的GAAFET器件的制备方法在提升了器件性能，提升了器件集成度，降低能耗的同时采用的都是没有任何门槛的技术手段，因此适合大规模推广和应用。
一种 gaafet 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于氮化镓的CMOS场效应晶体管及制备方法-CN202210089420.6有效
发明人：刘新科;陈增发;黄双武;宋利军;高麟飞;林峰;吴钧烨;黎晓华;贺威 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氮化镓的CMOS场效应晶体管及制备方法，CMOS场效应晶体管包括：衬底、绝缘导热层和金属栅极，绝缘导热层和金属栅极设置于抛光面上，且绝缘导热层位于金属栅极的两侧；在金属栅极内生长有形成第一沟道的nmos纳米片和生长有形成第二沟道的pmos纳米片，nmos纳米片和pmos纳米片均为氮化镓材料，nmos纳米片和pmos纳米片的两侧均延伸至绝缘导热层内；且在nmos纳米片与金属栅极之间，以及pmos纳米片与金属栅极之间生长有栅氧化层。本发明提供的基于氮化镓的CMOS场效应晶体管，解决沟道存在高热量的问题，增强栅极对沟道的控制能力，漏电流更小，静态功耗更低，散热性更强，使得器件能保持长时间的正常工作。
一种基于氮化 cmos 场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种GaN HEMT和GaOx-CN202210520552.X在审
发明人：刘新科;马正蓊;陈增发;黄正;李博;蒋忠伟;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/86 文献下载
摘要：本发明实施例公开了GaN HEMT和GaOx MOSFET异构反相器的制备方法，包括：在蓝宝石单晶衬底上生长GaN Fe调制缓冲层，在900～1200℃的条件下同质外延生长30～50nm的GaN层，并在GaN层上生长掺硅AlGaN势垒层，以及在AlGaN势垒层上生长SiN钝化层形成HEMT结构；在SiN钝化层上刻蚀部分区域到蓝宝石层，刻蚀沟道隔离区域，并在刻蚀后的蓝宝石表面生长第一GaOx缓冲层使得第一GaOx缓冲层与蓝宝石表面形成台阶，以及在第一GaOx缓冲层上生长第二GaOx层，并在第二GaOx层上注入Si离子进行N掺杂形成MOSFET的漏、源掺杂区域后沉积SiO2栅质层；在SiN钝化层和SiO2介质层的两端沉积金属膜，剥离，退火分别得到源极和漏极，在SiN钝化层和SiO2介质层的中间沉积金属膜，剥离，退火分别得到栅极。本发明可适用于高温、高压工作场景。
一种 gan hemt gao base sub

[发明专利]一种GaN-GaON紫外-深紫外宽波段探测器制备方法-CN202210518436.4在审
发明人：刘新科;蒋忠伟;李博;马正蓊;黄正;陈增发;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种GaN‑GaON紫外‑深紫外宽波段探测器制备方法，其包括以下步骤：在衬底上生长100～300nm厚的GaN紫外吸收层；对材料表面GaN层进行氧化处理或通过沉积方法，形成GaON深紫外吸收层，退火，产生GaON纳米层；将所述GaON纳米层刻蚀去除1/3～2/3，以暴露出GaN紫外吸收层并形成台阶；制备欧姆接触电极，在衬底的两侧及中间台阶处蒸镀金属膜，形成第一、第二、第三欧姆接触电极。该探测器上的GaN材料具有3.4eV带隙，可用于探测紫外波段，而GaON具有更大的带隙(3.4～4.8eV)，可用于探测深紫外UVC波段，所构建异质结可实现对紫外‑深紫外宽波段的探测。
一种 gan gaon 紫外深紫波段探测器制备方法

[发明专利]一种基于GaOx-CN202210518854.3在审
发明人：刘新科;陈增发;黄正;李博;蒋忠伟;马正蓊;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：本发明公开一种基于GaOx‑PMOS/GaN‑NMOS的CMOS反相器的制备方法：在单晶Si衬底或GaN衬底上生长掺碳或掺硅GaN缓冲层，利用光刻胶阻挡掺碳GaN缓冲层一侧的区域，并在另一侧外延生长掺Mg‑GaN形成n‑MOS沟道层，去除一侧的光刻胶，阻挡n‑MOS沟道层表面，并在去除光刻胶的表面外延生长GaOx形成p‑MOS沟道层；在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层临界位置进行垂直光刻，并在形成的隔离区域生长高热导率物质，形成阻挡层；利用光刻胶阻挡，在n‑MOS沟道层表面两端用离子注入Si形成n区，在p‑MOS沟道层表面两端用离子注入Mg形成p区；在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层的两端区域、阻挡层区域刻蚀部分绝缘层，沉积金属膜，剥离，退火分别得到源极和漏极，在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层区域的绝缘层上剥离，退火形成栅极。
一种基于 gao base sub

[发明专利]一种基于GaOx-CN202210518928.3在审
发明人：刘新科;黄正;李博;蒋忠伟;马正蓊;陈增发;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：本发明公开GaOx‑NMOS/GaN‑PMOS的CMOS反相器的制备方法：在Si衬底生长掺碳GaN缓冲层，用光刻胶阻挡掺碳GaN缓冲层一侧区域，在另一侧外延生长掺Si‑GaN形成p‑MOS沟道层，去除另一侧光刻胶，阻挡p‑MOS沟道层表面，在n‑MOS沟道层的部分区域进行刻蚀到掺碳GaN缓冲层，利用SiO2作为生长掩膜在刻蚀后暴露的掺碳GaN缓冲层上生长GaN形成p‑MOS沟道层，并在去除光刻胶的表面外延生长GaOx形成n‑MOS沟道层；在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层临界位置进行垂直光刻，并在形成的隔离区域生长金刚石形成阻挡层；用光刻胶阻挡，在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层表面分别注入Si和Mg形成n区和p区；在器件表面沉积金属膜和介质层，剥离，退火，在阻挡层区域n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层的两端区域得到漏极和源极，在n‑MOS沟道层和p‑MOS沟道层形成栅极。
一种基于 gao base sub

[发明专利]一种基于GaOx-CN202210518961.6在审
发明人：刘新科;李博;蒋忠伟;马正蓊;黄正;陈增发;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于GaOx‑GaN的CMOS反相器的制备方法，包括：在单晶Si衬底或GaN衬底上依次生长掺碳GaN缓冲层，并在掺碳或硅GaN缓冲层表面生长GaN沟道层；在垂直GaN沟道层表面的方向光刻GaN沟道层和掺碳GaN缓冲层形成隔离区域，并在隔离区域生长高热导率物质；在隔离区域两侧的GaN层表面制作凹槽，并在凹槽内沉积GaOx，并在沉积GaOx后的一侧注入Mg离子形成Mg‑GaOx；在器件表面沉积金属膜和介质层，退火，在阻挡层区域得到漏极，在GaN层的两端区域得到源极，在两侧的GaOx层和Mg‑GaOx层表面沉积金属膜和介质层，剥离，退火得到栅极。本发明形成了GaOx—GaN异质结，可以提升反相器的性能，结构更简单，散热好。
一种基于 gao base sub

[发明专利]一种GaN HEMT与SBD器件结构、制备方法及环形振荡器-CN202210235036.2在审
发明人：刘新科;郑子阳;陈增发;黄双武;宋利军;高麟飞;林峰;吴钧烨;黎晓华;贺威 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN HEMT与SBD器件结构、制备方法及环形振荡器，GaN HEMT与SBD器件结构包括衬底层；成核层；形成于成核层的背离衬底层侧且依次间隔设置的D－mode HEMT、E－mode HEMT以及SBD；其中，D－mode HEMT、E－mode HEMT以及SBD均包括依次叠置于成核层的背离衬底层侧的n型GaN基层、n型GaN沟道层、Al0.23Ga0.67N层、Si3N4场板层、Al2O3保护层以及类金刚石薄膜层；D－mode HEMT和E－mode HEMT均还包括连接于对应的n型GaN基层和n型GaN沟道层的一侧的Si3N4场板；SBD还包括连接于对应的n型GaN沟道层、Al0.23Ga0.67N层、Si3N4场板层和Al2O3保护层的一侧的肖特基二极管阳极以及肖特基二极管阴极。在本方案中，通过在氮化镓表面设置场板结构，能够形成良好的保护效果，降低正向导通电阻并增加反向击穿电压，有效提高器件的性能。
一种 gan hemt sbd 器件结构制备方法环形振荡器

[实用新型]一种模拟微粒或枝状晶体对隔膜破坏的装置-CN201922365276.0有效
发明人： 陈增发;姚坤;王维康;王会娜;刘琳 -专利权人：深圳中兴新材技术股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01N19/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种模拟微粒或枝状晶体对隔膜破坏的装置。本申请的装置包括微型压力机、尖刺模具和电源；微型压力机包括压头、支架和底座，支架装于底座上，将微型压力机支撑于底座正上方，压头可上下移动的安装于底座正上方；尖刺模具表面具有若干微米级的尖刺，尖刺模具由模具支架支撑安装于底座上，尖刺模具呈尖刺向上安装，整个尖刺模具位于压头正下方；压头和尖刺模具都采用导电材料制备，电源的正负极分别连接压头和尖刺模具。本申请的装置，能模拟电池隔膜使用过程中遭受的微粒或枝状晶体的破坏，不仅可以更准确有效的检测隔膜抗微粒和枝状晶体破坏的性能，而且可以用于研发耐微粒和枝状晶体破坏的隔膜，为电池的安全性提供更好的保障。
一种模拟微粒晶体隔膜破坏装置

[发明专利]三电平DCDC变换器双闭环控制-CN201310135041.7在审
发明人：盛成玉;陈增发;孙振权;刘炜;陈来军;田伟帅 -专利权人：陕西省地方电力（集团）有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了三电平DCDC变换器双闭环控制，包括以下步骤：根据电压外环调节得到输出滤波电感电流的参考值；根据电流内环调节得到移相角；计算各开关管的移相角；根据移相角计算延时时间；根据延时时间得到各开关管的驱动脉冲，控制DCDC变换器工作。本发明通过输出电压外环以及输出滤波电感电流内环得到移相角，再将移相角转换为延时时间，最后通过移相PWM得到各开关管的驱动脉冲控制变换器工作。同原有开环控制相比该方法能够对输出直流电压进行闭环控制，使得输出电压能够跟踪设定值，且在负荷投切、输入电压波动等动态过程中保持恒定，使得零电压开关半桥三电平DCDC变换器能够更加稳定高效运行。
电平 dcdc 变换器闭环控制

[实用新型]一种变压器油压监测系统-CN201320636938.3有效
发明人： 陈增发;孙毅卫;瞿云飞;贾建成;徐丽媛 -专利权人：陕西省地方电力（集团）有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种变压器油压监测系统，应用于油浸式电力变压器，包括油压监测部件和法兰盘：所述油压监测部件包括压力变送器；所述压力变送器，用于通过与所述出油管相连的法兰盘采集所述油浸式电力变压器油箱的油压数据，并将采集到的油压数据转换为电流或电压信号；所述法兰盘的一端与油浸式电力变压器油箱的出油管相连，另一端与所述压力变送器相连，可见，对于不同类型的变压器，均将压力变送器安装在与变压器油箱出油管相连的法兰盘上，有效采集变压器油箱油压数据的同时也固定了压力变送器的安装位置，由此大大降低了安装操作以及后续维修的困难程度。
一种变压器油压监测系统

[实用新型]一种变压器监控系统-CN201320627999.3有效
发明人： 陈增发;刘炜;贾红元;许金红;徐占宝 -专利权人：陕西省地方电力（集团）有限公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：实用新型实施例公开了一种变压器监控系统，包括参数监测子系统、传感器组和参数判断模块：参数监测子系统与传感器组的数据输出端相连，用于接收传感器组采集的变压器工作参数；所述参数判断模块与所述参数监测子系统相连，用于判断参数监测子系统发送的所述变压器工作参数是否超过预设参数条件，并在所述变压器工作参数超过预设参数条件时进行报警操作，可见，为变压器设置多个监测模块并将多个监测模块与用于判断变压器工作参数是否超过预设参数条件的参数判断模块相连，使得通过参数判断模块能够对变压器的当前工作状态以至于可能出现的工作故障进行合理判断，大大提高了变压器的工作安全性，由此减少了变压器的维护次数和维护成本。
一种变压器监控系统

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