[发明专利]一种功率二极管器件有效
| 申请号： | 201810961364.4 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109065638B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 张金平;邹华;赵阳;罗君轶;刘竞秀;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率二极管器件，属于半导体功率器件领域。其元胞结构包括自下而上依次设置的阴极金属、N+半导体衬底和N‑半导体漂移区，N‑半导体漂移区顶层两侧对称设置沟槽结构，沟槽结构包括自下而上设置的P+半导体保护层和多晶硅，沟槽结构以及沟槽结构之间的N‑半导体漂移区上表面设置阳极金属；阴极金属与N+半导体衬底形成欧姆接触，阳极金属与多晶硅栅形成欧姆接触，阳极金属与N‑半导体漂移区形成肖特基接触，多晶硅栅与N‑半导体漂移区形成异质结。本发明具有高正向电流密度、高反向耐压能力、低反向漏电的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率二极管器件，其元胞结构包括自下而上依次设置的阴极金属(6)、N+半导体衬底(5)和N‑半导体漂移区(4)，其特征在于，所述N‑半导体漂移区(4)顶层两侧对称设置沟槽结构，所述沟槽结构包括自下而上设置的P+半导体保护层(7)和第一多晶硅(2)，所述沟槽结构和沟槽结构之间的所述N‑半导体漂移区(4)上表面设置阳极金属(1)；所述阴极金属(6)与所述N+半导体衬底(5)形成欧姆接触，所述阳极金属(1)与所述第一多晶硅(2)形成欧姆接触，所述阳极金属(1)与所述N‑半导体漂移区(4)形成肖特基接触，所述第一多晶硅(2)与所述N‑半导体漂移区(4)接触形成异质结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810961364.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
