[发明专利]一种LDMOS器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810791054.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109119472A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李科;万宁;丛密芳;任建伟;李永强;黄苒;苏畅;李浩;杜寰 | 申请（专利权）人： | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种LDMOS器件结构，包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底上的第一导电类型的外延层；形成在外延层中的第二导电类型的漂移区；第一导电类型的阱区，自外延层的表面延伸到衬底中；第一导电类型的沟道区，形成在漂移区中并位于漂移区与阱区之间；第二导电类型的源区，位于阱区和沟道区中；以及第二导电类型的漏区，位于漂移区中，位于沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；其中，自外延层的靠近表面处还形成有沟槽，沟槽部分地覆盖漂移区及沟道区，沟槽填充有氧化物构成的沟槽填充区域。本发明还公开一种制作该LDMOS器件结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 第一导电类型 沟道区 外延层 导电类型 衬底 阱区 沟槽填充区域 栅极绝缘层 表面延伸 沟槽填充 表面处 氧化物 漏区 源区 制作 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件结构，包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上的第一导电类型的外延层；形成在所述外延层中的第二导电类型的漂移区；第一导电类型的阱区，自所述外延层的表面延伸到所述衬底中；第一导电类型的沟道区，形成在所述漂移区中并位于所述漂移区与所述阱区之间；第二导电类型的源区，位于所述阱区和所述沟道区中；以及第二导电类型的漏区，位于所述漂移区中，位于所述沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；其特征在于，其中，自所述外延层的靠近表面处还形成有沟槽，所述沟槽部分地覆盖所述漂移区及所述沟道区，所述沟槽填充有氧化物构成的沟槽填充区域。
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