[发明专利]摄像机、移动存储器及信息确定、信息发送方法在审

专利信息
申请号: 201810556470.4 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN110556151A 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 徐石雄 申请(专利权)人: 杭州萤石软件有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 李欣;马敬
地址: 310052 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请实施例提供了一种摄像机、移动存储器及信息确定、信息发送方法。信息确定方法包括:获取移动存储器的剩余可写入容量,根据剩余可写入容量以及摄像机向移动存储器中写入数据时的数据写入速率,确定移动存储器的剩余使用时长;其中,剩余可写入容量为:根据移动存储器的最大擦写次数、移动存储器的总容量和移动存储器的累计已写入数据量确定。应用本申请实施例提供的方案,能够更准确地得到移动存储器的剩余使用时长。
搜索关键词: 移动存储器 写入 信息确定 时长 摄像机 写入数据量 写入数据 信息发送 总容量 擦写 申请 应用
【主权项】:
1.一种摄像机,其特征在于,包括:处理器和存储器;/n所述处理器,用于获取移动存储器的剩余可写入容量,根据所述剩余可写入容量以及所述摄像机向所述移动存储器中写入数据时的数据写入速率,确定所述移动存储器的剩余使用时长;/n所述存储器,用于存储所述处理器获取的剩余可写入容量;/n其中,所述剩余可写入容量为:根据所述移动存储器的最大擦写次数、所述移动存储器的总容量和所述移动存储器的累计已写入数据量确定。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州萤石软件有限公司,未经杭州萤石软件有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810556470.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 存储设备健康诊断-201510746495.7
  • 刘海宁 - 西部数据技术公司
  • 2015-09-25 - 2020-02-11 - G11C16/34
  • 存储设备健康诊断。一种存储设备,包括在逻辑上划分成多个块的多个存储器设备和控制器。在一些示例中,控制器可以被配置为确定多个块中的每个相应块的相应充满百分比;确定多个相应充满百分比的最小充满百分比;以及响应于确定最小充满百分比超过预定阈值,执行与存储设备的健康相关的操作。
  • 减少具有连接的源极端选择栅极的3D存储器设备中的热电子注入型读取干扰-201880040995.0
  • 陈宏燕;董颖达 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2018-05-14 - 2020-02-07 - G11C16/34
  • 本发明公开了用于在感测过程期间减少存储器单元的读取干扰的存储器设备和相关联的技术。使未选定子块的漏极端选择栅极晶体管在未选定字线电压斜升期间的时间段内暂时导电,以减少相应存储器串沟道电容耦合的量。这减小了可存在于所述存储器串沟道中的沟道梯度,从而也减小了所述读取干扰。此外,当所述选定字线在所述字线的源极端或中端子集中时的所述时间段大于当所述选定字线在所述字线的漏极端子集中时的所述时间段。另一种选择涉及在所述未选定子块未被编程时省略注入干扰对策,或提供较不严格的注入干扰对策。
  • 用于闪存装置的操作参数-201610804633.7
  • M.S.罗思伯格 - HGST荷兰公司
  • 2016-09-05 - 2020-01-24 - G11C16/34
  • 一种用于管理闪存存储系统的机器实现的方法包括:确定该闪存存储系统中的多个闪存装置的每一个的预测寿命值,其中所述多个闪存装置的至少一个的预测寿命值高于所述多个闪存装置的至少另一个的预测寿命值。该方法还包括基于所述多个闪存装置的相应预测寿命值,来确定所述多个闪存装置的每一个的操作参数。该方法还包括基于确定的操作参数来配置所述多个闪存装置。
  • 非易失性存储装置及其写入数据、擦除数据的方法-201910248608.9
  • 金森宏治;姜昌锡;金容锡;李炅奂 - 三星电子株式会社
  • 2019-03-29 - 2020-01-21 - G11C16/34
  • 公开了一种非易失性存储装置及其写入数据、擦除数据的方法。在非易失性存储装置的写入数据的方法中,所述非易失性存储装置包括多个单元串,所述多个单元串中的每一个单元串包括沿垂直方向布置的多个存储单元。编程目标页被划分为多个子页。编程目标页与多个字线中的一个字线连接。所述多个子页中的每一个子页包括彼此物理上间隔开的存储单元。对所述多个子页顺序地执行编程操作。对包括所述多个子页的编程目标页同时执行编程验证操作。
  • 一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置-201810637809.3
  • 龙冬庆;温靖康;张美洲 - 深圳市芯天下技术有限公司
  • 2018-06-20 - 2019-12-27 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置。所述方法包括:在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵,对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理,对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理。本发明提供的过擦除处理方法,将大量处于过擦除状态的存储单元依次经过至少一次预弱编程处理,使处于过擦除状态的存储单元电性特性尽量收敛,再执行完整弱编程操作,这样处理过程中弱编程电流将会明显降低,弱编程的效率也会大幅提高,能够节省弱编程时间,从而节省了芯片的擦除时间。
  • 存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质-201910738267.3
  • 李爽;王瑜;张超;李海波;侯春源;盛悦 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-08-12 - 2019-12-27 - G11C16/34
  • 本发明提供了一种存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质,所述存储器编程方法包括如下步骤:1)采用初始编程电压对所述存储器中待编程的存储单元进行编程;2)验证所述存储单元是否完成编程,并对未通过验证的所述存储单元按照编程速度快慢进行分类;3)采用不同的编程电压分别对编程速度快慢不同的未通过验证的所述存储单元进行再次编程。本发明通过引入一种新的存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质,在编程后的验证过程中对存储单元编程速度的快慢进行分类,在再次编程时,对编程速度快慢不同的存储单元施加不同的编程电压,进一步缩减了阈值电压的区间范围,确保了存储器的可靠性。
  • 半导体存储装置-201610822032.9
  • 常盘直哉 - 东芝存储器株式会社
  • 2013-08-12 - 2019-12-24 - G11C16/34
  • 本发明提一种半导体存储装置,其具备:存储块,其具备多个存储串,多个存储串包括第1存储串和第2存储串;第1位线,其连接至第1存储串的一个端部和第2存储串的一个端部;多个字线,其连接至多个存储串;以及控制器,其被设置用于控制存储块的删除操作,其中,删除操作包括:在多个字线上施加第1删除电压;选择第1存储串;向多个字线施加删除验证电压并读取第1存储串的数据;以及当第1存储串通过删除验证时,在未首先对多个字线放电的情况下选择第2存储串,或当第1存储串未通过删除验证时,对多个字线放电并重复存储块上的删除操作直至在存储块上执行的重复的删除操作次数少于第1次数。
  • 存储单元写入方法及其应用-201610153509.9
  • 李亚睿;陈冠复 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2016-03-17 - 2019-12-20 - G11C16/34
  • 一种存储单元写入方法及其应用,此方法包括下述步骤:获取存储阵列中至少一个存储单元的第一临界电压。识别存储单元的目标临界电压,并根据第一临界电压来决定用来使存储单元达到目标临界电压所需要的写入射击的数目。将存储单元所需数目的写入射击施加至存储单元。验证存储单元被施予此数目的写入射击之后是否达到存储单元的目标临界电压。
  • 一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质-201810555032.6
  • 贺元魁;潘荣华;马思博 - 北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
  • 2018-06-01 - 2019-12-10 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种存储单元的编程方法,该方法包括:对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作;若所述执行编程操作的总次数小于设定阈值,则对编程区域中设定等级的存储单元进行编程校验;若所述执行编程操作的总次数大于等于设定阈值,则对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的所有等级的存储单元进行编程校验;当编程区域的所有存储单元的校验结果均为通过时,编程过程结束,否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作的步骤。通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域,节省了编程时间。
  • 摄像机、移动存储器及信息确定、信息发送方法-201810556470.4
  • 徐石雄 - 杭州萤石软件有限公司
  • 2018-06-01 - 2019-12-10 - G11C16/34
  • 本申请实施例提供了一种摄像机、移动存储器及信息确定、信息发送方法。信息确定方法包括:获取移动存储器的剩余可写入容量,根据剩余可写入容量以及摄像机向移动存储器中写入数据时的数据写入速率,确定移动存储器的剩余使用时长;其中,剩余可写入容量为:根据移动存储器的最大擦写次数、移动存储器的总容量和移动存储器的累计已写入数据量确定。应用本申请实施例提供的方案,能够更准确地得到移动存储器的剩余使用时长。
  • 多端口SRAM模块及其控制方法-201610300869.7
  • 朱俐玮;连南钧 - 円星科技股份有限公司
  • 2016-05-09 - 2019-11-26 - G11C16/34
  • 本发明公开了一种多端口SRAM模块及其控制方法,该模块包含:一记忆体单元阵列,包含多列记忆体单元,每一记忆体单元包含至少一第一控制端口及一第二控制端口;一第一字元线,耦接一目标列的多个记忆体单元,用来控制该第一控制端口是否开启;一第二字元线,耦接该目标列的多个记忆体单元,用来控制该第二控制端口是否开启;以及一开关元件,耦接该第一字元线及该第二字元线,系依据该第一字元线的电位决定是否将该第二字元线耦接至一参考电位。
  • 控制电路、存储装置及操作方法-201610200572.3
  • 肖化鹏;伍冬;吴华强;钱鹤;曹堪宇;朱一明 - 清华大学;北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2016-03-31 - 2019-11-26 - G11C16/34
  • 控制电路、存储装置及操作方法。该控制电路,包括:电源;第一节点;第二节点;第三节点;第四节点;钳位单元;充电单元;隔断单元;连接单元;上拉单元,其中,第一节点耦接到钳位单元的一端;钳位单元的另一端耦接到充电单元,钳位单元配置为根据施加至其控制端的钳位电压而导通或截止;充电单元一端耦接在钳位单元的另一端和第二节点之间;隔断单元耦接在第一节点和第二节点之间,隔断单元根据第三节点的电压而导通或截止;连接单元配置为响应于第四节点的电压为第二电压而将第二节点的电压设置为第一电压;上拉单元配置为响应于第四节点的电压为第一电压而将第二节点的电压设置为电源电压。
  • 用于多管芯NAND存储器装置的自动暂停和自动恢复操作-201480011229.3
  • A.贾拉姆;D.诺布纳加;J.郭 - 英特尔公司
  • 2014-02-13 - 2019-11-26 - G11C16/34
  • 在诸如固态驱动器的多管芯存储器中通过由多管芯存储器的至少一个管芯确定随后的存储器操作是否为高电流存储器操作,如启用管芯的电荷泵的操作、为管芯的位线充电的操作或编程/擦除循环操作或其组合,来控制峰值电流条件的方法和设备。如果确定随后的存储器操作是高电流存储器操作,则管芯进入暂停操作模式。响应于诸如但不限于特定寻址到管芯的命令、来自另一管芯的高电流存储器操作已完成的指示的恢复操作事件,由管芯恢复操作。一旦操作被恢复,管芯便执行高电流存储器操作。
  • 一种NAND Flash的操作检测方法-201910752065.4
  • 刘凯 - 山东华芯半导体有限公司
  • 2019-08-15 - 2019-11-19 - G11C16/34
  • 本发明公开一种NAND Flash的操作检测方法,本方法首先根据操作类型、NAND Flash所处的温度、磨损次数确定每种操作对应的最大耗时,然后根据操作类型确定每种操作对应的检测间隔时间,从而确定每种操作在一段时间内对应的最大检测次数,最后每隔检测间隔时间时间检查NAND Flash的状态,判断操作是否完成,并对检查次数做加一操作,当检测次数大于最大检测次数时则返回错误状态或者根据配置进行错误处理。本发明能够减少操作时多余的等待时间,提高NAND操作的整体效率。
  • 基于非易失性存储器的性能来优化通过电压和初始编程电压-201480068259.8
  • 大和田宪;村井昭太 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2014-12-03 - 2019-11-19 - G11C16/34
  • 提供了基于存储器单元组的编程速度自适应地设定通过电压和初始编程电压的编程技术。在多道次编程操作的一个道次中,获得指示编程速度的编程电压。例如,这可以是最终编程电压或在另一编程里程碑处的编程电压。通过提供对参考通过电压的调整来针对多道次编程操作的另一编程道次确定通过电压。基于相对于指示编程速度的编程电压的偏移来针对另一编程道次确定初始编程电压。还调整初始编程电压以抵消对参考通过电压的调整的效应。对初始编程电压的调整在极性上与对参考通过电压的调整相反,并且在量值上小于对参考通过电压的调整。
  • 动态P2L异步功率损耗降低-201910380390.2
  • G·德利赛奥;罗贤刚;罗婷;J·黄 - 美光科技公司
  • 2019-05-08 - 2019-11-15 - G11C16/34
  • 本申请提供动态P2L异步功率损耗降低。公开系统和方法,其包含:在包括控制电路系统和具有多组存储器单元的存储器阵列的存储系统中,例如当从包含异步功率损耗APL的低功率状态恢复操作时,将用于第一组存储器单元的第一物理区域的第一物理到逻辑P2L数据结构存储在所述第一组存储器单元的第二物理区域中。所述第一组存储器单元可以包含存储器单元的超级块。可以将用于所述第一组存储器单元的所述第二物理区域的第二P2L数据结构存储在例如所述第二物理区域的元数据区域中,并且可以将所述第一P2L数据结构的地址存储在所述第二P2L数据结构中。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top