“连南钧”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]可改良感测放大时序适应性的存储模块-CN202310340382.1在审
发明人：吴柏佑;杨皓义;连南钧 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种可改良感测放大时序适应性的存储模块，包含至少一感测放大器、一追随位元线、一追随字元线与一脉宽控制器。该追随字元线包含一前节点与一后节点。各该感测放大器在一使能信号被激发/停止激发时使能/失能。该脉宽控制器耦接该追随位元线、该前节点与该后节点。当该追随位元线的电压改变至一预设电压，该脉宽控制器激发该使能信号，并使该前节点的电压改变。当该前节点的电压改变，该追随字元线在一第一延迟时间后使该后节点的电压改变。当该后节点的电压改变，该脉宽控制器在一第二延迟时间后停止激发该使能信号。
改良放大时序适应性存储模块

[发明专利]具有改良连线负载的电路模块-CN202111294069.6在审
发明人： 连南钧;朱俐玮;张廷玮 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：一种具有改良连线负载的电路模块，包含一第一连线、一第一开关、一第二连线、一第二开关与一第二驱动器。该第一开关可开启与关闭以导通与不导通于该第一连线与一第一节点之间。该第二开关可开启与关闭以导通与不导通于该第二连线与该第一节点之间。该第二驱动器耦接该第二连线，可致能与失能以依据一第二节点的电压驱动该第二连线与停止驱动该第二连线。该第二节点的电压受控于该第一节点的电压。当该第一开关开启，该第二开关关闭。当该第二开关关闭，该第二驱动器致能。
具有改良连线负载电路模块

[发明专利]具备可靠容限设定的电路模块-CN202110896025.4在审
发明人：朱俐玮;连南钧 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：一种具备可靠容限设定的电路模块，包含一主电路、一第一辅助电路与一第二辅助电路。当该第一辅助电路开启，该第二辅助电路依据一控制信号为一第一位准或一第二位准而开启或关闭。当该第一辅助电路与该第二辅助电路均开启，该第一辅助电路与该第二辅助电路联合使该主电路的一运行参数为一第一值。当该第一辅助电路开启且该第二辅助电路关闭，该第一辅助电路使该运行参数为一第二值。该主电路的一运行容限是涵盖该第一值与该第二值间的范围。
具备可靠容限设定电路模块

[发明专利]SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法-CN201910615928.3有效
发明人： 连南钧;游江成 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开了SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法。所述SRAM模块，具有多个记忆体单元，包含：一位元线，耦接该多个记忆体单元，用来传输一写入数据；一检测单元，用来产生一控制信号；一电容元件，耦接该位元线；以及一充电单元，耦接该检测单元及该电容元件，用来依据该控制信号对该电容元件充电。其中，当该电容元件充电后，其两端的电压差被用来对该位元线产生一压降。
sram 模块写入控制方法

[发明专利]用于控制半导体存储器装置的控制装置-CN201710698480.7有效
发明人：林钰芬;连南钧 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种控制装置，包含一个虚拟存储器单元组、一个第一晶体管、一个调节器、一个反相器，及一个控制器，所述第一晶体管具有一个第一端、一个接地的第二端，及一个控制端，所述调节器提供一个在所述虚拟存储器单元组与所述第一晶体管的第一端间的电阻值，所述反相器根据所述第一晶体管的第一端的一个电压，产生一个与一个半导体存储器装置的感测放大电路从一禁能状态到一致能状态的切换相关联的感测起始信号，所述控制器根据所述感测起始信号产生一个用于控制所述第一晶体管的第一控制信号，使得所述第一晶体管从导通到不导通的切换关联于所述感测起始信号。借此可使所述感测放大电路正确地感测数据，且所述半导体存储器装置具有一个较高的操作速度。
用于控制半导体存储器装置

[发明专利]多端口SRAM模块及其控制方法-CN201610300869.7有效
发明人：朱俐玮;连南钧 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多端口SRAM模块及其控制方法，该模块包含：一记忆体单元阵列，包含多列记忆体单元，每一记忆体单元包含至少一第一控制端口及一第二控制端口；一第一字元线，耦接一目标列的多个记忆体单元，用来控制该第一控制端口是否开启；一第二字元线，耦接该目标列的多个记忆体单元，用来控制该第二控制端口是否开启；以及一开关元件，耦接该第一字元线及该第二字元线，系依据该第一字元线的电位决定是否将该第二字元线耦接至一参考电位。
多端 sram 模块及其控制方法

[发明专利]SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法-CN201510075588.1有效
发明人：游江成;连南钧 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法。SRAM模块的写入控制方法应用于具有多个记忆体单元及一位元线的一SRAM模块，包含：在多个记忆体单元的数据保存期间提供一第一电压准位作为该多个记忆体单元的供应电压；将该多个记忆体单元对应储存的该第一电压准位放电至一第二电压准位；以及利用该位元线对该多个记忆体单元执行写入程序；其中该第一电压准位放电至该第二电压准位的放电时间与该多个记忆体单元的数量有关。
sram 模块写入控制方法

[发明专利]随机存取记忆体与记忆体存取方法-CN201510078573.0有效
发明人： 连南钧;游江成 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明揭露了一种随机存取记忆体与记忆体存取方法，能够避免读取干扰，并且提升读取数据的速度。所述随机存取记忆体的一实施例包含：一字元线；一字元线驱动单元，耦接于该字元线，用于接收一存取控制信号以据以产生一第一字元线致能电压；一电压调整单元，包含一开关模块以及一电容，该开关模块耦接于该字元线，用于接收一控制信号以据以呈现导通或不导通，该电容，耦接于该开关模块，用于依据该开关模块的导通情形以调整该字元线致能电压的电压准位；以及一记忆体单元，耦接于该字元线，用于依据该字元线致能电压而被致能。
随机存取记忆体存取方法

[发明专利]脉波宽度调节装置-CN201410551354.5有效
发明人： 连南钧;林政伟;钟兆贵;朱俐玮;林育均;叶有伟;石维强 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种脉波宽度调节装置，应用于一N端口随机存取内存中，N大于等于2，所述N端口随机存取内存中具有复数组字符线，所述复数组字符线中至少一组字符线中包含有N个端口字符线，所述脉波宽度调节装置包含：一状态侦测装置，用于因应第一端口字符线的电压值与第二端口字符线的电压值皆位于一第一准位范围而相对应发出一第一控制信号；以及一时脉信号产生器，电性连接于所述状态侦测装置与所述组字符线，用以产生送往所述组字符线的一第一时脉信号，所述第一时脉信号位于所述第一准位范围的时间长度系因应所述第一控制信号而改变。本发明可以避免电源的过度消耗，也可以降低字符线的开启时间过长带来组件储存数据反转或是遗失的风险。
宽度调节装置

[发明专利]静态随机存取存储器及其操作方法-CN201410677446.8有效
发明人： 连南钧 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明是有关于一种静态随机存取存储器，包含电压产生器，其接收正电源电压以可控产生第一电源电压，其在特定期间具高于保持电压的降低位准。第一反相器与第二反相器各连接于第一电源电压与第二电源电压之间。第一反相器与第二反相器交叉耦接，且第一反相器与第二反相器的输出节点作为位元节点对。本发明提出的一种静态随机存取存储器，具有增强写入裕度或/且较低的最低电源电压Vmin，并提供负位线电压，以增强可写性(writability)，且提供电源电压降，有助于位元节点处的放电。
反相器电源电压静态随机存取存储器位元电压产生器电源电压降正电源电压输出节点位线电压写入裕度节点处可写性放电可控位准耦接

[发明专利]内存数据的写入追踪装置与方法-CN201510882902.7有效
发明人：钟兆贵;连南钧 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种内存数据的写入追踪装置与方法，应用对一列内存晶胞进行数据写入，该内存数据的写入追踪装置包含列虚拟内存晶胞以及判断装置，列虚拟内存晶胞受一虚拟字符线的一电压信号的控制而进行数据写入，且该等虚拟内存晶胞分别具有互不相同的数据写入能力；判断装置在一预定时间内计算出该列虚拟内存晶胞中已完成资料写入的一晶胞数量并根据该晶胞数量而对该列内存晶胞进行一数据写入能力的调整。本发明将可以让运用此技术所完成的静态随机存取内存具有可适性(adaptive)的写入时间以及写入能力，进而达到省电与写入成功率都能兼顾的目的。
内存数据写入追踪装置方法

[发明专利]使用存储器编译器以产生最佳化存储器实例的方法-CN201310056648.6有效
发明人： 连南钧;林孝平;石维强;林育均;叶有伟 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种使用存储器编译器以产生最佳化存储器实例的方法。提供用于描述所设计的存储器的数据，且产生前端模型和后端模型以提供一数据库。通过用户界面接收设计准则。根据所提供的数据库和设计准则，同时考量速度、功率及面积来最佳化该存储器的设计，从而产生存储器实例。
使用存储器编译器产生最佳实例方法

[发明专利]静态随机存取存储装置及其位线电压控制电路-CN201210320572.9有效
发明人：庄景德;连南钧;廖伟男;张琦昕;杨皓义;黄威;杜明贤 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储装置及其位线电压控制电路，位线电压控制电路包括控制器、电压上拉电路、电压下拉电路以及电压维持器。控制器接收存储库选择信号以及时钟信号，依据存储库选择信号以及时钟信号来决定上拉时间周期、下拉时间周期以及电压维持时间周期。电压上拉电路在上拉时间周期依据第一参考电压上拉位线电源。电压下拉电路在下拉时间周期依据第二参考电压下拉位线电源。电压维持器在电压维持时间周期使位线电源维持等于输出电压。其中，电压维持时间周期在上拉时间周期以及下拉时间周期之后。
静态随机存取存储装置及其电压控制电路

[发明专利]供电检测装置与方法-CN200910128216.5有效
发明人：高永信;连南钧 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种供电检测装置与方法。供电检测装置包括四个晶体管、两个电阻与比较器，用以检测输入电压并据以判断是否开机，其开机与否的判断受温度影响很低，且有良好的抗噪声功能，可以在不同温度之下具有稳定的表现。
供电检测装置方法

1
共 14 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top