[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，提高了半导体器件的可靠性。用于耦合位于半导体区的角部处的场板和场限制环的接触沟槽由相对于晶体取向<011>线性对称布置的第一直线部和第二直线部构成。第一直线部和第二直线部的相应的一端在晶体取向<011>处耦合，并且第一直线部和第二直线部被设置为在与晶体取向<010>和晶体取向<011>不同的方向上延伸。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板具有第一主表面以及与所述第一主表面相反的第二主表面，所述第一主表面具有第一边和与所述第一边正交的第二边；单元形成区，所述单元形成区形成在所述第一主表面处，并且具有多个晶体管；第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区连续地围绕所述单元形成区的周边，并且形成在所述半导体基板的所述第一主表面处；绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述半导体基板的所述第一主表面上方；接触沟槽，所述接触沟槽连续地围绕所述单元形成区的周边，并且形成在所述绝缘膜和所述半导体基板中；以及布线，所述布线连续地围绕所述单元形成区的周边，形成在所述接触沟槽的内部以及所述绝缘膜上方，并且与所述第一半导体区耦合，其中，所述半导体基板的所述第一主表面是单晶硅的{100}面，其中，所述半导体基板的所述第一边和所述第二边在<010>方向上延伸，其中，所述接触沟槽包括沿着所述第一边线性延伸的第一接触沟槽、沿着所述第二边线性延伸的第二接触沟槽、以及将所述第一接触沟槽与所述第二接触沟槽耦合的第三接触沟槽，其中，所述第三接触沟槽具有相对于作为对称轴的<011>方向对称布置的第一直线部和第二直线部，所述<011>方向相对于所述<010>方向倾斜45°，其中，所述第一直线部的一端和所述第二直线部的一端彼此耦合，以及其中，所述第一直线部和所述第二直线部在相互不同的方向上延伸，并且在与所述<010>方向和所述<011>方向不同的方向上延伸。