[发明专利]晶体取向图生成装置、带电粒子射线装置、晶体取向图生成方法以及程序有效
| 申请号： | 201880069757.2 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111279183B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 网野岳文;森孝茂;丸山直纪 | 申请（专利权）人： | 日本制铁株式会社 |
| 主分类号： | G01N23/2055 | 分类号： | G01N23/2055;G01N23/203;G01N23/2251;H01J37/26;H01J37/28 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体取向图生成装置(10)，被用于向样品的表面入射带电粒子射线的带电粒子射线装置(100)，装置(10)是用于生成晶体取向图的装置，该晶体取向图是表示相对于带电粒子射线的入射方向的、在样品表面的选择出的位置处的晶体的晶体坐标系的图，该装置(10)具备：取向信息获取部(1)，其获取选择出的位置处的晶体相对于入射方向的取向信息；入射方向信息获取部(2)，其获取与带电粒子射线相对于样品的入射方向有关的信息；以及晶体取向图生成部(3)，其基于由取向信息获取部(1)获取到的晶体的取向信息、由入射方向信息获取部(2)获取到的与获取到晶体的取向信息时的入射方向有关的信息以及与变更后的入射方向有关的信息，来生成选择出的位置处的变更后的入射方向下的晶体取向图。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 取向 生成 装置 带电 粒子 射线 方法 以及 程序 | ||
【主权项】：
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