[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810441815.1 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110164970B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 黄竞加;吕增富;廖伟明 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/108;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括半导体基板、介电层、栅极结构、以及源极半导体特征和漏极半导体特征。半导体基板具有主动区域和围绕主动区域的浅沟槽隔离结构。半导体基板包括突起结构。突起结构位于主动区域中并具有位于主动区域的周边的底切。介电层覆盖半导体基板的突起结构，并填充突起结构的底切的至少一部分。栅极结构跨过突起结构。源极半导体特征和漏极半导体特征位于主动区域中，并位于栅极结构的相对两侧上。本发明的半导体装置的栅极结构具有良好的栅极控制能力，且有助于半导体装置表面的平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，具有主动区域和围绕所述主动区域的浅沟槽隔离结构，其中所述半导体基板包括突起结构，所述突起结构位于所述主动区域中并具有位于所述主动区域的周边的底切；介电层，覆盖所述半导体基板的所述突起结构，并填充所述突起结构的所述底切的至少一部分；栅极结构，跨过所述突起结构；以及源极半导体特征和一漏极半导体特征，位于所述主动区域中，并位于所述栅极结构的相对两侧上。
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