[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810425128.0 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110459673B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;王裕平 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先提供一基底包含一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一边缘区域，然后形成一第一金属间介电层于该基底上，再形成一第一磁性隧穿接面以及一第二磁性隧穿接面于第一金属间介电层上，其中第一磁性隧穿接面设于磁性隧穿接面区域上而第二磁性隧穿接面则设于边缘区域上。之后再形成一第二金属间介电层于第一磁性隧穿接面以及第二磁性隧穿接面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，包含：/n提供基底包含磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及边缘区域；/n形成第一磁性隧穿接面于该磁性隧穿接面区域上；以及/n形成第二磁性隧穿接面于该边缘区域上。/n
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