[发明专利]Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种Be离子扩散保护环APD芯片及其制作方法，所述外延功能层中，所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环。通过所述Be离子注入扩散保护环对扩散区的边缘电场进行弱化，通过离子注入工艺形成Be离子注入扩散保护环，一方面可以有效避免扩散区的边缘提前击穿问题，另外，Be元素的离子注入与Zn元素的扩散工艺完全不同，离子注入主要采用高能离子注入方式，一旦注入完成，其掺杂元素的注入深度不会在后续高温扩散工艺下发生变化，离子注入工艺与扩散工艺可以完全独立控制，互不影响，可以提高制作工艺的稳定性和重复性，提高产品良率。

主权项

1.一种Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片，其特征在于，所述雪崩光电探测器芯片包括：/n外延片，所述外延片包括芯片衬底以及设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层；所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面包括第一区域以及包围所述第一区域的第二区域；所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环；/n钝化层，所述钝化层设置在所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面，且具有露出所述第一区域的开口；/n第一电极，所述第一电极位于所述外延功能背离所述芯片衬底的一侧，所述第一电极与所述Be离子注入扩散保护环电连接；/n第二电极，位于所述芯片衬底背离所述外延功能层的一侧表面。/n