[发明专利]一种SiC/Si异质结侧向型光敏IMPATT二极管及其制备方法有效
申请号: | 201811390240.1 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109509808B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 韦文生;林宇豪 | 申请(专利权)人: | 温州大学 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0336;H01L31/18 |
代理公司: | 33258 温州名创知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈加利 |
地址: | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种SiC/Si异质结侧向型光敏IMPATT二极管及其制备方法,首先确定SiC晶型及材料参数,结合目标IMPATT二极管的工作频率,计算出n型区及p型区的宽度;其次选择一定厚度的p型Si单晶片,根据计算的n型区、p型区宽度,在所选Si单晶片上分别制备出n阱、n | ||
搜索关键词: | 二极管 制备 侧向 单晶片 异质结 电极 光敏 晶型 蚀刻 材料参数 串联组合 单片集成 工作频率 光照调控 生长 雪崩区 遮光层 涂覆 光照 引入 | ||
【主权项】:
1.一种SiC/Si异质结侧向型光敏IMPATT二极管的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:/n步骤a1、确定n型掺杂SiC的晶型及其对应的材料参数、p型掺杂Si晶片的材料参数,并将所确定的SiC、Si材料参数与目标IMPATT二极管的工作频率相结合,计算出目标IMPATT二极管的n型区及p型区宽度;/n步骤a2、选择具有厚度的p型Si晶片,并在所选Si晶片上确定SiC/Si异质结的位置,且进一步在所选Si晶片上,选定所述SiC/Si异质结位置一侧的某一区域作为第一蚀刻区,蚀刻所述第一蚀刻区得到长度及深度均与n型区宽度相等的n阱;/n步骤a3、利用金属有机物化学气相沉积技术,在所述n阱中生长所确定晶型的n型掺杂SiC,形成n/p型的SiC/Si异质结;/n步骤a4、在所选Si晶片上,选定所述n阱两侧的两个区域分别作为第二蚀刻区和第三蚀刻区,蚀刻所述第二蚀刻区得到与n区同样深的n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的