[发明专利]增强型开关器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810365883.4 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108807526B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州工业园区金鸡湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及增强型开关器件及其制作方法。该方法包括：提供一衬底，在上述衬底上依次形成氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；在上述氮化物势垒层上制作形成介质层，其上定义有栅极区域；在上述栅极区域上形成凹槽结构；在上述凹槽内沉积p型半导体材料；在上述介质层上栅极区域之外的位置刻蚀该介质层，以形成两处欧姆接触区域；在上述两处欧姆接触区域上分别形成源电极和漏电极。通过在氮化物势垒层上生成介质层，并在该介质层栅极处生成凹槽结构，并在凹槽内设置p型半导体材料，达到夹断栅极下方n型导电层以及控制阈值电压的目的，以实现增强型开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强型开关器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层、氮化物势垒层；在所述氮化物势垒层上形成介质层，所述介质层上定义有栅极区域；在所述栅极区域上形成一向氮化物势垒层延伸的凹槽，所述凹槽部分贯穿所述介质层；在所述凹槽内形成p型半导体材料；在上述介质层上的非栅极区域刻蚀所述介质层，以形成两处欧姆接触区域；在上述两处欧姆接触区域分别形成源电极和漏电极。
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